[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201110001695.1
• 申請日: 2011-01-06
• 公開（公告）號: CN102130027A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: H.托伊斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/50;H01L23/488;H01L27/04;H01L29/861;H01L29/78
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李娜;李家麟

1.?一種制造半導體器件的方法，包括：

提供載體；

將多個半導體芯片附連到所述載體，所述半導體芯片具有在第一主面上的第一電極焊盤以及在與第一主面相對的第二主面上的至少第二電極焊盤，由此第一電極焊盤電連接到所述載體；

在所述載體上形成多個第一凸塊，所述第一凸塊由導電材料制成；

將所述載體單顆化成多個半導體器件，其中每個半導體器件包括至少一個半導體芯片和一個第一凸塊。

2.?如權利要求1所述的方法，其中所述載體具有連續導電表面。

3.?如權利要求1所述的方法，其中所述載體是金屬板或用連續金屬層覆蓋的襯底。

4.?如權利要求1所述的方法，其中所述載體是平面的。

5.?如權利要求1所述的方法，其中所述載體具有橫向尺寸，所述橫向尺寸在一維或二維中大于0.2?m。

6.?如權利要求1所述的方法，還包括將多行半導體芯片附連到所述載體。

7.?如權利要求6所述的方法，還包括在所述載體上形成多行第一凸塊。

8.?如權利要求7所述的方法，還包括在所述載體上按交替順序分布半導體芯片行和第一凸塊行。

9.?如權利要求1所述的方法，其中形成第一凸塊包括在所述載體上印刷第一凸塊。

10.?如權利要求1所述的方法，還包括在所述半導體芯片的第二電極焊盤上形成第二凸塊。

11.?如權利要求10所述的方法，其中所述載體上的第一凸塊的高度大于第二電極焊盤上的第二凸塊的高度。

12.?如權利要求10所述的方法，其中形成第一凸塊包括在所述載體上印刷第一凸塊，而形成第二凸塊包括通過相同的印刷操作在所述電極焊盤上印刷第二凸塊。

13.?如權利要求1所述的方法，其中第一凸塊由焊料材料制成。

14.?如權利要求13所述的方法，還包括：

在將所述載體單顆化成多個半導體器件之前或之后執行第一凸塊的回流操作。

15.?如權利要求1所述的方法，還包括：

在所述半導體芯片和所述載體上沉積封裝物，其中第一凸塊突出通過所述封裝物以形成所述半導體器件的暴露端子。

16.?如權利要求10所述的方法，還包括：

在所述半導體芯片和所述載體上沉積封裝物，其中第二凸塊突出通過所述封裝物以形成所述半導體器件的暴露端子。

17.?如權利要求1所述的方法，其中所述半導體芯片是垂直功率二極管。

18.?如權利要求1所述的方法，其中所述半導體芯片是垂直功率晶體管。

19.?一種半導體器件，包括：

器件載體；

附連到所述器件載體的半導體芯片，所述半導體芯片具有在第一主面上的第一電極焊盤以及在與第一主面相對的第二主面上的至少第二電極焊盤，其中第一電極焊盤電連接到所述器件載體；

在所述器件載體上形成的第一凸塊，所述第一凸塊由導電材料制成；

在第二電極焊盤上形成的第二凸塊，第二凸塊由導電材料制成。

20.?如權利要求19所述的半導體器件，其中第一和/或第二凸塊由焊料材料制成。

21.?如權利要求19所述的半導體器件，其中所述器件載體上的第一凸塊的高度大于第二電極焊盤上的第二凸塊的高度。

22.?如權利要求19所述的半導體器件，其中所述器件載體是金屬板或用連續金屬層覆蓋的襯底。

23.?如權利要求19所述的半導體器件，其中所述半導體器件包括一個芯片和一個第一凸塊。

24.?如權利要求19所述的半導體器件，其中所述半導體芯片是垂直功率二極管。

25.?如權利要求19所述的半導體器件，其中所述半導體芯片是垂直功率晶體管。