[發明專利]集成電路器件以及檢測過度電壓狀態的方法

無效

• 申請號: 201080070285.6
• 申請日: 2010-11-22
• 公開（公告）號: CN103221830A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 阿利斯泰爾·羅伯遜;卡爾·卡肖;阿蘭·迪瓦恩
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: G01R19/165
• 分類號: G01R19/165;H03M1/12
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李佳;穆德駿

1.一種集成電路器件(100)，包括至少一個模擬數字轉換器ADC(110)，所述至少一個ADC(110)包括至少一個輸入(115)，所述至少一個輸入(115)操作地耦合于所述集成電路器件(100)的至少一個外部接觸件；其中所述集成電路器件(100)還包括檢測電路(120)，所述檢測電路(120)包括至少一個檢測模塊(130)，所述至少一個檢測模塊(130)被配置成：

在其第一輸入(132)處，接收在所述至少一個ADC(110)的所述至少一個輸入(115)處的電壓水平的指示(140)；

將接收到的指示(140)和閾值(145)進行比較；以及

如果所述接收到的指示(140)超過所述閾值(145)，則輸出關于在所述至少一個ADC(110)的所述至少一個輸入(115)處的過度電壓狀態已被檢測的指示。

2.根據權利要求1所述的集成電路器件(100)，其中所述檢測電路(120)還被配置成：

在其第二輸入(134)處，接收用于所述集成電路器件(100)的電源電壓(145)，

將所述至少一個ADC(110)的所述至少一個輸入(115)處的電壓水平的所述接收到的指示(140)和所述電源電壓(145)進行比較；以及

如果所述接收到的指示(140)超過所述電源電壓(145)，則輸出關于在所述至少一個ADC(110)的所述至少一個輸入(115)處的過度電壓狀態已被檢測的指示。

3.根據權利要求2所述的集成電路器件(100)，其中所述檢測電路(120)還包括電壓偏移組件(125)，所述電壓偏移組件(125)操作地耦合于所述至少一個ADC(110)的所述至少一個輸入(115)和所述至少一個檢測模塊(130)的所述第一輸入(132)之間。

4.根據權利要求3所述的集成電路器件(100)其中所述集成電路器件(100)還包括靜電放電ESD保護電路(150)，所述靜電放電ESD保護電路(150)操作地耦合于所述至少一個ADC(110)的所述至少一個輸入(115)和所述電源電壓(145)之間。

5.根據權利要求4所述的集成電路器件(100)，其中所述電壓偏移組件(125)被配置成：在所述至少一個ADC(110)的所述至少一個輸入(115)和所述至少一個檢測模塊(130)的所述第一輸入(132)之間提供電壓偏移，其代表在過度電壓狀態期間在所述至少一個ADC(110)的所述至少一個輸入(115)處跨越所述ESD保護電路(150)的電壓降落。

6.根據權利要求4或權利要求5所述的集成電路器件(100)，其中所述ESD保護電路(150)包括二極管(152)，所述二極管(152)操作地耦合于所述至少一個ADC(110)的所述至少一個輸入(115)和所述電源電壓(145)之間，并且朝著所述電源電壓(145)正向偏壓。

7.根據權利要求3到6中任何一項所述的集成電路器件(100)，其中所述電壓偏移組件包括二極管(125)，所述二極管(125)操作地耦合于所述至少一個ADC(110)的所述至少一個輸入(115)和所述至少一個檢測模塊(130)的所述第一輸入(132)之間，并且朝著所述至少一個檢測模塊(130)的所述第一輸入(132)正向偏壓。

8.根據前述任何一項權利要求所述的集成電路器件(100)，其中所述至少一個檢測模塊(130)包括具有第一輸入和第二輸入的比較器，并且被配置成：

在所述第一輸入(132)處接收關于在所述至少一個ADC(110)的所述至少一個輸入(115)處所述電壓水平的所述指示(140)；

在所述第二輸入(134)處接收所述閾值(145)；

將所述至少一個ADC(110)的所述至少一個輸入(115)處的所述電壓水平的接收到的指示(140)和所述閾值(145)進行比較；以及

輸出(162)所述比較的結果。