[發明專利]粘結膜及半導體晶片加工用帶

無效

• 申請號: 201080069874.2
• 申請日: 2010-11-11
• 公開（公告）號: CN103189459A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 青山真沙美;石渡伸一;盛島泰正
• 申請（專利權）人: 古河電氣工業株式會社
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;H01L21/301
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

技術領域

本發明涉及將半導體晶片切斷為半導體芯片，制造半導體裝置而使用的粘結膜及半導體晶片加工用帶。

背景技術

作為在半導體裝置的制造工序使用的半導體晶片加工用帶，提出了具有在粘結膜(切割帶，dicing?tape)上層壓膠粘劑層(模片接合膜，die?bonding?film)的結構的半導體晶片加工用帶(例如，參照專利文獻1)，也已經被實用化。

在半導體裝置的制造工序，在半導體晶片貼附半導體晶片加工用帶后，實施使用切割刀片將半導體晶片切斷(切割)為芯片單元的工序、展開半導體晶片加工用帶的工序，進而還包括由膠粘劑層以及粘結劑層拾取(pick-up)被切斷的芯片的工序、通過附著于芯片的膠粘劑層將芯片安裝于基板等的工序。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平02-32181號公報

發明內容

發明所要解決的問題

然而，在記載于前述專利文獻1的半導體晶片加工用帶中，會有在輸送中或保管中膠粘劑層吸收空氣中的水分而變軟，降低切削性的情形。

在這樣的情況下，切割時，發生胡須狀的切削屑，這些切削屑與基材膜或粘結劑層的切削屑一起被切割而在相鄰的芯片間熔融粘結，在拾取時，會有相鄰于要拾取的芯片的芯片附隨地被拾取的拾取錯誤(雙重切割)的問題。

因此，本發明的目的在于提供降低因膠粘劑層吸收空氣中的水分而軟化的情形，而可以抑制拾取(pick-up)錯誤的發生的粘結膜及半導體晶片加工用帶。

用于解決問題的方法

為了解決前述課題，本發明的粘結膜，其特征在于，其是包括基材膜及被設于該基材膜上的粘結劑層的粘結膜，透濕度為10.0g/m²/day以下。

此外，本發明的半導體晶片加工用帶，其特征在于，其具有：包括基材膜及被設于該基材膜上的粘結劑層的粘結膜，及被設于前述粘結劑層上的膠粘劑層的晶片加工用帶，其中，前述粘結膜的透濕度為10.0g/m²/day以下。

此外，在前述半導體晶片加工用帶中，前述粘結膜與前述膠粘劑層合計的吸水率優選在2.0體積％以下。

發明效果

本發明的粘結膜及半導體晶片加工用帶，在膠粘劑層被接合于粘結膜而被輸送/保管的情況下，降低由于膠粘劑層吸收空氣中的水分而導致軟化的情形，可以抑制拾取錯誤的發生。

附圖說明

圖1是表示本發明的半導體晶片加工用帶的一例的剖面圖。

圖2的(a)是表示半導體晶片W與環狀框被貼合于半導體晶片加工用帶的狀態的剖面圖，(b)是表示切割后的半導體晶片加工用帶與半導體晶片的剖面圖，(c)是表示展開后的半導體晶片加工用帶與半導體晶片的剖面圖。

具體實施方式

以下，根據附圖詳細說明本發明的實施方式。

本實施方式涉及的半導體晶片加工用帶15，如圖1所示，其是具有在基材膜11上層壓了粘結劑層12的粘結膜14，在粘結劑層12上層壓了膠粘劑層13的切割/模片接合膜(die?bonding?film)。另外，粘結劑層12及膠粘劑層13，配合于使用工序或裝置而被預先切斷為特定形狀(預切)也可。相應于晶片W(參照圖2(a))層壓被預切的膠粘劑層13的情況下，在晶片W被貼合的部分有膠粘劑層13，在切割用的環狀框20(參照圖2(a))被貼合的部分沒有膠粘劑層13僅存在粘結劑層12。一般而言，膠粘劑層13不易與被膠粘體剝離，所以通過使用被預切的膠粘劑層13，環狀框20可貼合于粘結劑層12，可得到不容易產生對使用后的環狀框20的糊殘留的效果。此外，本發明的半導體晶片加工用帶15包括每1張晶片被切斷而層壓的形態以及形成多個晶片的長條薄片卷取為滾筒狀的形態。以下，針對基材膜11、粘結劑層12、及膠粘劑層13分別詳細說明。

<基材膜>

作為構成基材膜的材料，沒有特別限定，優選選自聚烯烴及聚氯乙烯。

作為前述聚烯烴，可以舉出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離子聚合物(ionomer)等的α-烯烴的均聚物或共聚物或這些的混合物等。

作為后述的粘結劑層使用通過放射線照射而固化且粘結力降低的類型的情況下，基材膜優選為放射線透過性。從強度及芯片的拾取性的確保的觀點來看，基材膜的厚度優選為50～300μm。此外，基材膜可為單層，也可以多層構成。