[發明專利]用于檢測輻射的輻射檢測器及方法無效
| 申請號: | 201080069395.0 | 申請日: | 2010-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN103140943A | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發明(設計)人: | 金重奭;高秉薰;文范鎮;尹楨起 | 申請(專利權)人: | 迪邇科技 |
| 主分類號: | H01L31/115 | 分類號: | H01L31/115;G01T1/24 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李春暉;陳煒 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 檢測 輻射 檢測器 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種能夠檢測輻射例如X射線并且能夠由此生成圖像數據的用于檢測輻射的裝置及方法。
背景技術
數字輻射檢測裝置是如下設備:該設備通過X射線照射而在不需要膠片的情況下獲得人體內部的信息,使用圖像檢測傳感器從所獲得的信息中檢測電圖像信號,并基于電圖像信號生成數字圖像。數字輻射檢測裝置主要分為直接型數字輻射檢測裝置和間接型數字輻射檢測裝置。直接型數字輻射檢測裝置通過使用非晶硒(a-Se)和薄膜晶體管(TFT)直接對通過照射人體而生成的電信號進行檢測。間接型數字輻射檢測裝置使用受光器例如電荷耦合器件(CCD)或光電二極管,由此從將輻射轉換成可見光的熒光體(例如,碘化銫)所發射的光中獲得輻射圖像。與直接型數字輻射檢測裝置相比,間接型數字輻射檢測裝置具有相對低的分辨率。
使用TFT的傳統的輻射檢測裝置可能會導致相當大的噪聲。輻射檢測裝置的尺寸越大,則生成的噪聲越大,且檢測量子效率越低。另外,由于面板中的每個像素都需要TFT,因此大規模制造輻射檢測裝置通常是困難且高成本的。
技術問題
需要一種能夠改進輻射圖像的分辨率并且能夠有助于使裝置的制造簡化的用于檢測輻射的裝置及方法。
技術方案
本發明提供一種能夠改進輻射圖像的分辨率并且能夠有助于使裝置的制造簡化的用于檢測輻射的裝置及方法。
本發明的其他特點將在下述描述中闡明,并且將通過描述部分地變得明顯,或可以通過實施本發明來了解。
有益效果
根據示例性實施方式,本發明可以提供一種能夠改進輻射圖像的分辨率并且能夠有助于使裝置的制造簡化的用于檢測輻射的裝置及方法。
附圖說明
附圖示出了本發明的實施方式,并且與描述一起用于說明本發明的原理。附圖被包括以提供對本發明的進一步理解,并且附圖結合在本說明書中且構成本說明書的一部分。
圖1是用于檢測輻射的示例性裝置的橫截面圖;
圖2是用于說明圖1中示出的第一光電導層和第二光電導層的操作的電路圖;
圖3是下述另一用于檢測輻射的示例性裝置的橫截面圖,該裝置使用等離子顯示面板(PDP);
圖4A至圖4E是用于說明下述另一用于檢測輻射的示例性裝置的操作的橫截面圖,該裝置包括金屬層作為電荷俘獲層;
圖5A至圖5D是用于說明下述另一用于檢測輻射的示例性裝置的操作的橫截面圖,該裝置包括介電層作為電荷俘獲層;
圖6A至圖6D是用于說明下述另一用于檢測輻射的示例性裝置的操作的橫截面圖,該裝置包括金屬層和介電層的組合作為電荷俘獲層;以及
圖7是檢測輻射的示例性方法的流程圖。
最佳實施方式
在一個一般性方面中,本發明公開了一種用于檢測輻射的裝置,該裝置包括:上電極層,該上電極層傳輸輻射;第一光電導層,該第一光電導層在暴露于輻射時變得有光電導性,并從而在該第一光電導層中生成電荷;電荷俘獲層,該電荷俘獲層將在第一光電導層中生成的電荷俘獲在該電荷俘獲層中并且該電荷俘獲層用作為浮動電極;第二光電導層,該第二光電導層在暴露于后光時變得有光電導性,以用于讀出輻射圖像;下透明電極層,該下透明電極層被充以被俘獲在電荷俘獲層中的電荷;后光發射單元,該后光發射單元以像素為單位將后光經由下透明電極層施加到第二光電導層;以及數據處理單元,該數據處理單元從下透明電極層讀出對應于被俘獲在電荷俘獲層中的電荷的信號,并基于所讀出的信號生成輻射圖像。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





