[發明專利]用于檢測輻射的輻射檢測器及方法

無效

• 申請號: 201080069395.0
• 申請日: 2010-09-30
• 公開（公告）號: CN103140943A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 金重奭;高秉薰;文范鎮;尹楨起
• 申請（專利權）人: 迪邇科技
• 主分類號: H01L31/115
• 分類號: H01L31/115;G01T1/24
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李春暉;陳煒

1.一種用于檢測輻射的裝置，所述裝置包括：

上電極層，所述上電極層傳輸輻射；

第一光電導層，所述第一光電導層在暴露于所述輻射時變得有光電導性，并從而在所述第一光電導層中生成電荷；

電荷俘獲層，所述電荷俘獲層將在所述第一光電導層中生成的所述電荷俘獲在所述電荷俘獲層中并且所述電荷俘獲層用作為浮動電極；

第二光電導層，所述第二光電導層在暴露于后光時變得有光電導性，以用于讀出輻射圖像；

下透明電極層，所述下透明電極層被充以被俘獲在所述電荷俘獲層中的所述電荷；以及

后光發射單元，所述后光發射單元以像素為單位將所述后光經由所述下透明電極層施加到所述第二光電導層。

2.根據權利要求1所述的裝置，還包括：數據處理單元，所述數據處理單元從所述下透明電極層讀出對應于被俘獲在所述電荷俘獲層中的所述電荷的信號，并基于所讀出的信號生成輻射圖像。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述電荷俘獲層包括金屬層。

4.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述電荷俘獲層包括介電層。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述電荷俘獲層包括金屬層和介電層。

6.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述后光發射單元包括：兩個基底，所述兩個基底彼此面對；多個障壁，所述障壁將胞狀結構限定在所述兩個基底之間；氣體層，所述氣體層布置在所述胞狀結構內部的內腔中并且發射等離子體光；以及等離子體顯示面板（PDP），所述等離子體顯示面板將所述等離子體光提供給所述下透明電極層作為所述后光。

7.根據權利要求1所述的裝置，其中，在將所述電荷俘獲在所述電荷俘獲層中期間，高電壓被施加到所述上電極層，以及在從所述下透明電極層讀出電荷期間，所述上電極連接至接地源。

8.一種檢測輻射的方法，所述方法由用于檢測輻射的裝置執行，所述裝置包括：上電極層，所述上電極層傳輸輻射；第一光電導層，所述第一光電導層在暴露于所述輻射時變得有光電導性，并從而在所述第一光電導層中生成電荷；電荷俘獲層，所述電荷俘獲層將在所述第一光電導層中生成的所述電荷俘獲在所述電荷俘獲層中并且所述電荷俘獲層用作為浮動電極；第二光電導層，所述第二光電導層在暴露于后光時變得有光電導性，以用于讀出輻射圖像；下透明電極層，所述下透明電極層被充以被俘獲在所述電荷俘獲層中的所述電荷；以及后光發射單元，所述后光發射單元以像素為單位將所述后光經由所述下透明電極層施加到所述第二光電導層，所述方法包括：

在將高電壓施加到所述上電極層的情況下，在暴露于輻射時在所述第一光電導層中生成成對的正電荷和負電荷；

將所述正電荷和所述負電荷彼此分離，并且使所述正電荷和所述負電荷分別朝向所述上電極層和所述電荷俘獲層移動；

將所述正電荷或所述負電荷俘獲在所述電荷俘獲層中；

將所述上電極層連接至接地源，并在暴露于所述后光時在所述第二光電導層中生成成對的正電荷和負電荷；以及

從所述下透明電極層讀出對應于被俘獲在所述電荷俘獲層中的所述電荷的信號，被俘獲在所述電荷俘獲層中的所述電荷源于所述第二光電導層。

9.根據權利要求8所述的方法，還包括：基于所讀出的信號生成輻射圖像。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，所述電荷俘獲層包括金屬層。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，所述電荷俘獲層包括介電層。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述讀出信號包括：

通過在正電荷或負電荷朝向所述電荷俘獲層移動時使所述介電層極化來在所述介電層中生成并且排列偶極子；以及

使用從所述第二光電導層傳輸的所述電荷來從所述下透明層讀出對應于所述偶極子在所述介電層中的排列的信號。

13.根據權利要求8所述的方法，其中，所述電荷俘獲層包括金屬層和介電層。

14.根據權利要求8所述的方法，其中，所述讀出信號包括：

如果所述電荷俘獲層包括金屬層和介電層，并且所述介電層和所述金屬層分別與所述第一光電導層和所述第二光電導層接觸，則通過在正電荷或負電荷朝向所述電荷俘獲層移動時使所述介電層極化來在所述介電層中生成并且排列偶極子；

給所述金屬層充以對應于所述偶極子在所述電荷俘獲層中的排列的電荷；

給所述下透明層充以與給所述金屬層充的電荷的極性相反的極性的電荷；以及

從所述下透明層讀出對應于所述偶極子在所述介電層中的排列或給所述金屬層充的電荷的信號。