[發明專利]半導體裝置有效

申請號：	201080062030.5	申請日：	2010-12-24
公開（公告）號：	CN102742014A	公開（公告）日：	2012-10-17
發明（設計）人：	山崎舜平;鄉戶宏充;須澤英臣;笹川慎也;倉田求;三上真弓	申請（專利權）人：	株式會社半導體能源研究所
主分類號：	H01L29/786	分類號：	H01L29/786;H01L21/28;H01L29/417
代理公司：	中國專利代理(香港)有限公司 72001	代理人：	葉曉勇;王忠忠
地址：	日本神奈***	國省代碼：	日本;JP
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體裝置
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【說明書】：

技術領域

本發明的技術領域涉及一種半導體裝置。注意，在本文半導體裝置是指通過利用半導體特性操作的一般元件及裝置。

背景技術

金屬氧化物的種類繁多且這樣的金屬氧化物被用于各種應用。例如，氧化銦是公知的材料，并已經被用作液晶顯示裝置等中所需的透明電極。

一些金屬氧化物具有半導體特性。具有半導體特性的這種金屬氧化物的示例，例如有氧化鎢、氧化錫、氧化銦、氧化鋅等。并且已知其中使用這種金屬氧化物形成溝道形成區的一種薄膜晶體管（例如，參照專利文獻1至專利文獻4、非專利文獻1等）。

作為金屬氧化物，不僅已知一元氧化物，而且還已知多元氧化物。例如，作為包括In、Ga及Zn的多元氧化物半導體，具有同系物（homologous?phase）的InGaO₃（ZnO）_m（m為自然數）是周知的（例如，參照非專利文獻2至4等）。

并且，已經確認到可以將包括這樣的In-Ga-Zn類氧化物的氧化物半導體應用于薄膜晶體管的溝道形成區（例如，參照專利文獻5、非專利文獻5及6等）。

[專利文獻1]?日本專利申請公開昭60-198861號公報

[專利文獻2]?日本專利申請公開平8-264794號公報

[專利文獻3]?PCT國際申請日本公表平11-505377號公報

[專利文獻4]?日本專利申請公開2000-150900號公報

[專利文獻5]?日本專利申請公開2004-103957號公報

[非專利文獻1]?M.?W.?Prins,?K.?O.?Grosse-Holz,?G.?Muller,?J.?F.?M.?Cillessen,?J.?B.?Giesbers,?R.?P.?Weening,?and?R.?M.?Wolf,?A?ferroelectric?transparent?thin-film?transistor（透明鐵電薄膜晶體管）,?Appl.?Phys.?Lett.,?17?June?1996,?Vol.?68?p.?3650-3652

[非專利文獻2]?M.?Nakamura,?N.?Kimizuka,?and?T.?Mohri,?The?Phase?Relations?in?the?In₂O₃-Ga₂ZnO₄-ZnO?System?at?1350℃（In₂O₃-Ga₂ZnO₄-ZnO類在1350℃時的相位關系）,?J.?Solid?State?Chem.,?1991,?Vol.?93,?p.?298-315

[非專利文獻3]?N.?Kimizuka,?M.?Isobe,?and?M.?Nakamura,?Syntheses?and?Single-Crystal?Data?of?Homologous?Compounds,?In₂O₃(ZnO)_m?(m=3,?4,?and?5),?InGaO₃(ZnO)₃,?and?Ga₂O₃(ZnO)_m?(m=7,?8,?9,?and?16)?in?the?In₂O₃-ZnGa₂O₄-ZnO?System（同系物的合成和單晶數據，In₂O₃-ZnGa₂O₄-ZnO類的In₂O₃(ZnO)_m?(m=3,?4,?and?5),?InGaO₃(ZnO)₃,?and?Ga₂O₃(ZnO)_m?(m=7,?8,?9,?and?16)）,?J.?Solid?State?Chem.,?1995,?Vol.?116,?p.?170-178