[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號： | 201080062030.5 | 申請日： | 2010-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN102742014A | 公開（公告）日： | 2012-10-17 |
| 發明（設計）人： | 山崎舜平;鄉戶宏充;須澤英臣;笹川慎也;倉田求;三上真弓 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L21/28;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 葉曉勇;王忠忠 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.?一種半導體裝置，包括：
氧化物半導體層；
與所述氧化物半導體層接觸的源電極，所述源電極包括：
????第一導電層；以及
????第二導電層；
與所述氧化物半導體層接觸的漏電極，所述漏電極包括：
????第三導電層；以及
????第四導電層；
與所述氧化物半導體層重疊的柵電極；以及
設置在所述氧化物半導體層和所述柵電極之間的柵極絕緣層，
其中，所述第二導電層延伸超過所述第一導電層的端部，
所述第四導電層延伸超過所述第三導電層的端部，
并且，所述第一導電層的端部與所述第三導電層的端部彼此相對。
2.?根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一導電層、所述第二導電層、所述第三導電層以及所述第四導電層各具有錐形形狀。
3.?根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：
所述第二導電層上的與所述第一導電層的端部接觸的第一側壁絕緣層；以及
所述第四導電層上的與所述第三導電層的端部接觸的第二側壁絕緣層。
4.?根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第二導電層的材料和所述第四導電層的材料是金屬氮化物。
5.?根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第二導電層的厚度和所述第四導電層的厚度為5nm至15nm。
6.?根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：
設置在所述氧化物半導體層和所述源電極之間的第一絕緣層；以及
設置在所述氧化物半導體層和所述漏電極之間的第二絕緣層，
其中，所述源電極及所述漏電極在所述源電極及所述漏電極的端部與所述氧化物半導體層接觸。
7.?一種半導體裝置，包括：
氧化物半導體層；
源電極，包括：
????第一導電層；以及
????與所述氧化物半導體層接觸的第二導電層；
漏電極，包括：
????第三導電層；以及
????與所述氧化物半導體層接觸的第四導電層；
與所述氧化物半導體層重疊的柵電極；以及
設置在所述氧化物半導體層和所述柵電極之間的柵極絕緣層，
其中，所述第二導電層在所述第一導電層上，且所述第二導電層具有比所述第一導電層高的電阻，
并且，所述第四導電層在所述第三導電層上，且所述第四導電層具有比所述第三導電層高的電阻。
8.?根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第一導電層和所述第三導電層與所述氧化物半導體層接觸。
9.?根據權利要求7所述的半導體裝置，
其中，所述第二導電層延伸超過所述第一導電層的端部，
所述第四導電層延伸超過所述第三導電層的端部，
并且，所述第一導電層的端部與所述第三導電層的端部彼此相對。
10.?根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第一導電層、所述第二導電層、所述第三導電層以及所述第四導電層各具有錐形形狀。
11.?根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第二導電層的材料和所述第四導電層的材料是金屬氮化物。
12.?根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第二導電層的厚度和所述第四導電層的厚度為5nm至15nm。
13.?根據權利要求7所述的半導體裝置，還包括：
設置在所述氧化物半導體層和所述源電極之間的第一絕緣層；以及
設置在所述氧化物半導體層和所述漏電極之間的第二絕緣層，
其中，所述源電極及所述漏電極在所述源電極及所述漏電極的端部與所述氧化物半導體層接觸。
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