[發明專利]薄膜晶體管組合物及其相關方法

無效

• 申請號: 201080060279.2
• 申請日: 2010-11-19
• 公開（公告）號: CN102803345A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: B·C·奧曼;M·L·鄧巴;T·何;K·庫塔基斯
• 申請（專利權）人: E·I·內穆爾杜邦公司
• 主分類號: C08G73/10
• 分類號: C08G73/10;C09D179/08;H01L21/77
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 朱黎明

發明領域

本公開的領域為用于制造薄膜晶體管（“TFT”）陣列的膜，如用于制造有源矩陣、液晶顯示裝置的TFT陣列。

發明背景

廣義地講，薄膜晶體管（TFT）是已知的。TFT可用于控制各種類型的顯示器，例如液晶顯示器或電泳顯示器等。一般來講，TFT通常在剛性基板如玻璃上被加工。然而，由于較低的重量和改善的粗度（相對于玻璃），人們對在柔性基板尤其是柔性聚合物膜上加工TFT的興趣日益增加。

對于此類TFT應用，聚合物膜一般不具有足夠的熱穩定性或尺寸穩定性。因此在工業上，對于發現能夠充當在TFT應用中的玻璃的替代品的聚合物基板，尤其是其中聚合物基板能夠降低總體成本、改善性能、減輕重量、增加粗度并簡化制造。授予Denis等人的U.S.6,825,068涉及半導體復合材料，其中半導電的非晶硅在包含聚亞苯基聚酰亞胺的基板上被加工。

發明概述

本公開涉及薄膜晶體管組合物，所述組合物包含半導體材料和基板。基板具有在基板的最靠近半導體材料的一側的第一表面和在基板的另一側的第二表面?；寰哂?-150微米的厚度并包含衍生自下列的聚酰亞胺：

i)至少一種芳族二酸酐組分，所述芳族二酸酐組分選自剛棒二酸酐、非剛棒二酸酐以及它們的組合，和

ii)至少一種芳族二胺組分，所述芳族二胺組分選自剛棒二胺、非剛棒二胺以及它們的組合；

基于所述聚酰亞胺的總二酸酐組分和總二胺組分計，所述二酸酐與二胺的摩爾比為48-52:52-48，并且X:Y的比率為20-80:80-20，其中X為剛棒二酸酐和剛棒二胺的摩爾百分比，并且Y為非剛棒二酸酐和非剛棒二胺的摩爾百分比；并且

基板進一步包含亞微米級填料，所述亞微米級填料在至少一個尺寸上小于（數均）550納米，具有大于3:1的長寬比，并且在所有尺寸上小于所述基板厚度，并以基板的10-45體積%的量存在。

附圖簡述

圖1為穿過在本公開聚酰亞胺基板上形成的薄膜晶體管陣列的單個晶體管的橫截面示意圖。

優選實施方案詳述

定義

“膜”旨在表示自立式膜或（自承或非自承）涂層。術語“膜”與術語“層”互換使用并且是指覆蓋所期望的區域。

“半導體”旨在表示任何半導電材料，尤其是非晶硅，但是也包括以下任何一種：

1.第IV族半導體（硅、鍺、金剛石）；

2.第IV族化合物半導體(SiGe、SiC)；

3.第III-V族半導體(AlSb、AlAs、AlN、AlP、BN、BP、BAs、GaSb、GaAs、GaN、GaP、InSb、InAs、InN、InP)；

4.第III-V族半導體合金(AlGaAs、InGaAs、InGaP、AlInAs、AlInAs、AlInSb、GaAsN、GaAsP、AlGaN、AlGaP、InGaN、InAsSb、InGaSb)；

5.III-V四元半導體合金(AlGaInP、AlGaAsP、InGaAsP、InGaAsP、AlInAsP、AlGaAsN、InGaAsN、InAlAsN、GaAsSbN)；

6.III-V五元半導體合金(GaInNAsSb、GaInAsSbP)；

7.II-VI半導體(CdSe、CdS、CdTe、ZnO、ZnSe、ZnS、ZnTe)；

8.II-VI三元合金半導體（CdZnTe、HgCdTe、HgZnTe、HgZnSe）；

9.I-VII半導體(CuCl)；

10.IV-VI半導體(PbSe、PbS、PbTe、SnS、SnTe)；

11.IV-VI三元化合物半導體（PbSnTe、Tl₂SnTe₅、Tl₂GeTe₅）；

12.V-VI半導體（Bi₂Te₃）；