[發明專利]薄膜晶體管組合物及其相關方法

無效

• 申請號: 201080060279.2
• 申請日: 2010-11-19
• 公開（公告）號: CN102803345A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: B·C·奧曼;M·L·鄧巴;T·何;K·庫塔基斯
• 申請（專利權）人: E·I·內穆爾杜邦公司
• 主分類號: C08G73/10
• 分類號: C08G73/10;C09D179/08;H01L21/77
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 朱黎明

1.薄膜晶體管組合物，包含：

A)半導體材料；

B)基板，具有在所述基板的最靠近半導體材料一側上的第一表面和在所述基板的另一側上的第二表面，并且具有5-150微米的厚度，所述基板包含：

a)衍生自以下物質的聚酰亞胺：

i)至少一種芳族二酸酐組分，所述芳族二酸酐組分選自剛棒二酸酐、非剛棒二酸酐以及它們的組合，和

ii)至少一種芳族二胺組分，所述芳族二胺組分選自剛棒二胺、非剛棒二胺以及它們的組合；

其中基于所述聚酰亞胺的總二酸酐組分和總二胺組分計，所述二酸酐與二胺的摩爾比為48-52:52-48，并且X:Y的比率為20-80:80-20，其中X為剛棒二酸酐和剛棒二胺的摩爾百分比，并且Y為非剛棒二酸酐和非剛棒二胺的摩爾百分比；

和

b)亞微米級填料：

i)在至少一個尺寸上小于（數均）550納米；

ii)具有大于3:1的長寬比；

iii)在所有尺度上小于所述基板的厚度；并且

iv)以所述基板的10-45體積%的量存在。

2.根據權利要求1的薄膜晶體管組合物，附加地包含介于所述半導體材料和所述第一表面之間的鈍化層。

3.根據權利要求2的薄膜晶體管組合物，其中所述鈍化層包含二氧化硅或氮化鋁。

4.根據權利要求2的薄膜晶體管組合物，在所述第二表面上附加地包含第二鈍化層。

5.根據權利要求1的薄膜晶體管組合物，其中所述基板包含金屬層，所述金屬層具有小于50納米的厚度，并且所述金屬層在所述基板的遠離所述半導體材料的一側上。

6.根據權利要求5的薄膜晶體管組合物，其中所述金屬層具有限定延伸穿過所述金屬層的孔的壁。

7.根據權利要求2的薄膜晶體管組合物，附加地包含介于所述半導體材料和所述鈍化層之間的介電層。

8.根據權利要求7的薄膜晶體管組合物，其中所述介電層包含氮化硅。

9.根據權利要求1的薄膜晶體管組合物，其中所述半導體材料包含非晶硅。

10.根據權利要求9的薄膜晶體管組合物，其中在所述非晶硅上，所述半導體材料進一步包含n型硅層。

11.根據權利要求10的薄膜晶體管組合物，進一步包含位于所述n型硅層上的圖案化金屬層，其中所述n型硅層對圖案化金屬層限定互補圖案，以便所述n型硅層僅在圖案化金屬層下。

12.根據權利要求1的薄膜晶體管組合物，其中所述亞微米級填料在至少一個尺寸上小于400納米。

13.根據權利要求1的薄膜晶體管組合物，其中所述亞微米級填料選自氧化物、氮化物、碳化物以及它們的組合。

14.根據權利要求1的薄膜晶體管組合物，其中所述亞微米級填料為針狀二氧化鈦、滑石、SiC纖維、板形Al₂O₃或它們的混合物。

15.根據權利要求1的薄膜晶體管組合物，其中：

a)至少70摩爾%的芳族二酸酐組分為均苯四酸二酐；并且

b)至少70摩爾%的芳族二胺組分為4,4'-二氨基二苯醚。

16.根據權利要求15的薄膜晶體管組合物，其中所述亞微米級填料為針狀二氧化鈦、滑石、SiC纖維、板形Al₂O₃或它們的混合物。

17.根據權利要求1的薄膜晶體管組合物，其中所述聚酰亞胺衍生自：

a)至少75摩爾%的芳族二酸酐組分為均苯四酸二酐；和

b)70摩爾%的4,4'-二氨基二苯醚和30摩爾%的1,4二氨基苯作為所述芳族二胺組分。

18.根據權利要求1的薄膜晶體管組合物，其中所述聚酰亞胺為嵌段共聚物。

19.根據權利要求18的薄膜晶體管組合物，其中所述嵌段共聚物衍生自4,4’-二氨基二苯醚和1,4二氨基苯與均苯四酸二酐和3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐。