[發明專利]金屬沉積

無效

• 申請號: 201080059127.0
• 申請日: 2010-10-29
• 公開（公告）號: CN102713016A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: L·科索沃斯基
• 申請（專利權）人: 肖克科技有限公司
• 主分類號: C25D5/48
• 分類號: C25D5/48
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 錢孟清

1.一種用于構建載流結構的方法，所述方法包括：

設置具有特性電壓的電壓可切換介電材料；

向所述電壓可切換介電材料的表面施加接觸掩模，所述接觸掩模包括：

接觸所述表面并限定所述表面用于沉積的部分的絕緣腳；以及

通過所述腳與所述表面分開的電極；

將所述電壓可切換介電材料和所施加的接觸掩模浸入向限定部分提供與電導體相關聯的離子源的溶液中；以及

將所述電導體沉積到所述電壓可切換介電材料的表面的限定部分上。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積包括產生大于所述特性電壓的所述電極和所述電壓可切換介電材料之間的電壓。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述電壓包括周期性電壓。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述電壓包括2和200伏特之間的電壓。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電壓可切換介電材料包括通路，并且沉積包括在所述通路中沉積。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積包括電鍍。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述絕緣腳包括聚合物。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述絕緣腳包括光致抗蝕劑。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電極與所述表面分開小于2cm的距離。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述電極與所述表面分開小于2mm的距離。

11.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述設置包括在導電背板上設置所述電壓可切換介電材料。

12.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述設置包括設置具有設置在所述表面上的中間層的所述電壓可切換介電材料。

13.一種用于構建載流結構的方法，所述方法包括：

在具有特性電壓的電壓可切換介電材料上設置導電材料；

向所述導電材料的表面施加接觸掩模，所述接觸掩模包括：

接觸所述表面并限定所述表面用于蝕刻的部分的絕緣腳；以及

通過所述腳與所述表面分開的電極；

將所述電壓可切換介電材料、所沉積的導電材料、以及所施加的接觸掩模浸入電化學蝕刻液中；以及

從所述表面的限定部分蝕刻所述導電材料。

14.如權利要求13所述的方法，其特征在于，所述蝕刻包括產生大于所述特性電壓的所述電極和所述電壓可切換介電材料之間的電壓。

15.如權利要求14所述的方法，其特征在于，當所述電壓小于所述特性電壓時，所述電化學蝕刻液不蝕刻所述導電材料。

16.如權利要求13所述的方法，其特征在于，所述導電材料包括金屬。

17.如權利要求13所述的方法，其特征在于，所述絕緣腳包括聚合物。

18.如權利要求13所述的方法，其特征在于，所述導電材料包括Cu、Ti、Ta、Au、以及Ag中的任一種。

19.如權利要求13所述的方法，其特征在于，所述電極與所述表面分開小于2cm的距離。

20.如權利要求19所述的方法，其特征在于，所述電極與所述表面分開小于1mm的距離。

21.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述創建所述電壓包括產生周期性電壓。

22.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述電壓在1和300伏特之間。

23.如權利要求13所述的方法，其特征在于，所述設置包括在導電背板上設置所述電壓可切換介電材料。

24.如權利要求13所述的方法，其特征在于，所述設置包括設置具有設置在所述表面的至少一部分上的中間層的所述電壓可切換介電材料。