[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080058540.5
• 申請日: 2010-12-14
• 公開（公告）號: CN102687264A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田丸雅規(guī);中西和幸;西村英敏
• 申請（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/3205;H01L21/822;H01L21/8238;H01L23/52;H01L27/04;H01L27/092
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導(dǎo)體裝置，在第1方向上排列配置了多個單元列，在每個單元列中，在所述第1方向延伸的多個柵極被排列配置在與所述第1方向正交的第2方向上，

所述多個單元列分別具備在所述柵極的下方形成且分別在所述第2方向上延伸的第1導(dǎo)電型阱區(qū)域及第2導(dǎo)電型阱區(qū)域，

作為所述多個單元列之一的第1單元列具備：

第1阱電位供給區(qū)域，是在所述第1導(dǎo)電型阱區(qū)域中注入導(dǎo)電型與所述第1導(dǎo)電型阱區(qū)域相同的雜質(zhì)而形成的；

第1及第2相鄰柵極，其分別配置在所述第1阱電位供給區(qū)域的所述第2方向上的兩側(cè)；

第3相鄰柵極，在所述第1阱電位供給區(qū)域的相反側(cè)相鄰地配置了該第3相鄰柵極；和

第4相鄰柵極，在所述第1阱電位供給區(qū)域的相反側(cè)相鄰地配置了該第4相鄰柵極，

在所述第2方向上以同一間距配置所述第1～第4相鄰柵極，并且，

所述多個單元列之中的、在所述第1方向上與所述第1單元列相鄰的第1相鄰單元列具有4根柵極，該4根柵極在所述第1方向上分別與所述第1～第4相鄰柵極對置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第1及第2相鄰柵極之中的至少任一方被連接成與所述第1相鄰單元列中的對置于該相鄰柵極的柵極成為一體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第1及第2相鄰柵極是虛擬柵極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

在所述第1相鄰柵極和所述第3相鄰柵極之間，形成注入導(dǎo)電型與所述第1導(dǎo)電型阱區(qū)域相同的雜質(zhì)而構(gòu)成的第2阱電位供給區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第1及第2阱電位供給區(qū)域形成為一體。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第1、第2及第3相鄰柵極是虛擬柵極。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第1單元列中的所述第1導(dǎo)電型阱區(qū)域和所述第1相鄰單元列中的所述第1導(dǎo)電型阱區(qū)域在所述第1方向上相鄰，

所述第1相鄰單元列具備在所述第1導(dǎo)電型阱區(qū)域中注入導(dǎo)電型與所述第1導(dǎo)電型阱區(qū)域相同的雜質(zhì)而構(gòu)成的第3阱電位供給區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第1單元列中的所述第1阱電位供給區(qū)域和所述第1相鄰單元列中的所述第3阱電位供給區(qū)域形成為一體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第1～第4相鄰柵極跨過所述第1導(dǎo)電型阱區(qū)域與所述第2導(dǎo)電型阱區(qū)域之間的邊界而延伸。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第1～第4相鄰柵極在所述第1導(dǎo)電型阱區(qū)域與所述第2導(dǎo)電型阱區(qū)域的邊界處被分割。

11.一種半導(dǎo)體裝置，在第1方向上排列配置了多個單元列，在每個單元列中，在所述第1方向上延伸的多個柵極被排列配置在與所述第1方向正交的第2方向上，

所述多個單元列分別具有在所述柵極的下方形成且分別在所述第2方向上延伸的第1導(dǎo)電型阱區(qū)域及第2導(dǎo)電型阱區(qū)域，

作為所述多個單元列之一的第1單元列具備：

第1阱電位供給區(qū)域，是在所述第1導(dǎo)電型阱區(qū)域中注入導(dǎo)電型與所述第1導(dǎo)電型阱區(qū)域相同的雜質(zhì)而構(gòu)成的；和

第1柵極，其配置在所述第1阱電位供給區(qū)域之上。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第1柵極是虛擬柵極。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第1柵極是活性晶體管的柵電極。