[發(fā)明專利]粘合片以及電子部件的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080058000.7 | 申請日: | 2010-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN102712830A | 公開(公告)日: | 2012-10-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 高津知道 | 申請(專利權)人: | 電氣化學工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | C09J7/02 | 分類號: | C09J7/02;C09J4/02;C09J11/06;C09J133/06;C09J175/14;H01L21/301;H01L21/304 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 胡燁 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 粘合 以及 電子 部件 制造 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及粘合片以及使用了粘合片的電子部件的制造方法。
背景技術
電子部件一般是由如下方法制造而成:將粘合片貼合在一枚半導體晶圓或者電路基板材料上形成了多個電路圖案的電子部件集合體的背面(電路圖案非形成面),將電子部件集合體切割成單個芯片,拾取芯片,將芯片用接合劑固定于引線框等。通常,切割是在將電子部件集合體與粘合片貼合固定后進行的,已公開了一種以丙烯酸酯共聚物為主要成分的紫外線固化型粘合劑作為所述粘合片的粘合劑的技術(參考專利文獻1、2)。使用紫外線固化型粘合劑,通過在拾取工序之前照射紫外線,能夠使粘合劑固化,從而降低粘合力,使其容易拾取。
專利文獻1:日本國專利申請公開公報“特開2009-147251號公報”
專利文獻2:日本國專利申請公開公報“特開2009-256458號公報”
發(fā)明內容
伴隨著半導體部件的高度集成化,都希望芯片越來越薄。因此,上述電子部件的制造方法中,在切割電子部件集合體之前,進行背面磨削工序,即對電子部件集合體的背面用磨削機進行磨削使其變薄的加工工序成為主流。但是,進行了背面磨削工序的情況下,在切割后會出現(xiàn)從粘合片上拾取芯片時成功率降低的問題。
經過發(fā)明人深入研究發(fā)現(xiàn),電子部件集合體的表面上因大氣中的氧等而自然形成了氧化膜,而經背面磨削工序,將這層氧化膜除去后,貼合主要成分為丙烯酸酯共聚物的紫外線固化型粘合劑時,粘合劑中的羥基以及羧基與電子部件集合體的磨削面發(fā)生反應,即使進行紫外線照射,也不能充分降低粘合力。氧化膜雖然隨保存時的溫度和濕度有所不同,但是一旦被除去,至少需要2、3天才能再生。因此,用通常的制造流水線進行加工時,在氧化膜再生之前進行貼合到粘合片以及切割的工序,導致拾取性降低。
鑒于上述情況,本發(fā)明發(fā)現(xiàn),通過使構成粘合片的粘合層為特定組分,則即使是切割工序之前進行了背面磨削工序的情況下,也能夠在拾取時容易地進行粘合片與芯片之間的剝離,因此,能夠容易地進行切割后芯片的拾取操作,從而完成了本發(fā)明。
也就是說,本發(fā)明涉及下述粘合片以及使用所述粘合片的電子部件制造方法。
(1)一種粘合片,具有基膜,以及在基膜上層疊的紫外線固化型粘合劑,紫外線固化型粘合劑含有重量平均分子量100萬以上的丙烯酸酯共聚物100質量份、具有3個以上碳-碳雙鍵的光聚合性丙烯酸酯20-200質量份、異氰酸酯固化劑0.1-10質量份,丙烯酸酯共聚物進行共聚時的單體中,具有羥基或羧基其中之一,或二者都有的單體的含量為0質量%以上0.1質量%以下。
(2)如上述(1)所述的粘合片,具有3個以上碳-碳雙鍵的光聚合性丙烯酸酯為聚氨酯丙烯酸酯。
(3)如上述(1)或(2)所述的粘合片,其基膜為離聚物樹脂。
(4)一種電子部件的制造方法,包括:背面磨削工序,磨削電子部件集合體的電路圖案非形成面;貼合工序,背面磨削工序之后在電子部件集合體的磨削面上貼合(1)至(3)中任意一項所述的粘合片;切割工序,貼合工序之后將電子部件集合體芯片化,切割為單個電子部件;紫外線照射工序,切割工序之后對粘合片進行紫外線照射;拾取工序,紫外線照射工序之后拾取電子部件。
使用本發(fā)明的粘合片,在電子部件制造方法中,即使在粘合到粘合片之前進行了電子部件集合體的背面磨削的情況下,也能夠抑制芯片拾取成功率的降低。
具體實施方式
<用語說明>
本說明書中,“份”以及“%”,只要不進行特別的說明,均為質量基準。本說明書中,(甲基)丙烯酰基是丙烯酰基和甲基丙烯酰基的總稱。(甲基)丙烯酸等含有(甲基)的化合物等同樣是名稱中含有“甲基”的化合物和名稱中不含“甲基”的化合物的總稱。光聚合性丙烯酸酯的官能團數(shù)是指1個丙烯酸酯分子中的乙烯基數(shù)量。
<粘合片>
粘合片,具有基膜以及在基膜一側面上層疊的紫外線固化型粘合劑。
<基膜>
基膜的原材為,能夠承受半導體晶圓的切割的原材,可以列舉出聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸-丙烯酸酯薄膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、熱塑性烯烴類彈性體、聚乙烯、聚丙烯、聚丙烯類共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、以及通過金屬離子使乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸酯共聚物等交聯(lián)而成的離聚物樹脂的單體、上述物質的混合物、共聚物或多層薄膜。
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