[發明專利]用于納米線器件的隔離

有效

• 申請號: 201080057647.8
• 申請日: 2010-11-03
• 公開（公告）號: CN102652364A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: U.沙;B.楚-孔;B-Y.金;R.皮拉里塞蒂;M.拉多沙夫耶維奇;W.雷奇馬迪
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 楊美靈;王忠忠

背景技術

微電子集成電路（例如微處理器）的確包括數億個晶體管。集成電路的速度主要取決于這些晶體管的性能。因此，業界已經開發出獨特結構，例如非平面晶體管，以及用于這些晶體管的高移動性載流子。

附圖說明

在說明書的結束部分中具體指出并且明確要求保護本公開的主題。結合附圖來看，根據以下描述和所附權利要求書，本公開的前述和其它特征將變得更充分明顯。要理解的是，附圖僅描繪根據本公開的若干實施例，并且因此不應被認為限制其范圍。將通過使用附圖，用附加的特性和細節來描述本公開，使得能夠更容易斷定本公開的優點，其中：

圖1是在其上具有圖案化掩膜的含硅襯底的側截面視圖；

圖2是圖1的含硅襯底在蝕刻以形成鰭狀物之后的側截面視圖；

圖3是圖2的結構在移除掩膜之后的側截面視圖；

圖4是圖3的結構的截面斜視圖；

圖5是圖3和圖4的結構在沉積第一介電材料層之后的側截面視圖；

圖6是圖5的結構在平面化第一介電材料層之后的側截面視圖；

圖7是圖6的結構在使得第一介電材料層凹進以暴露鰭狀物的部分之后的側截面視圖；

圖8是圖7的結構在鰭狀物的暴露的部分上形成硅鍺合金包層之后的側截面視圖；

圖9是圖8的結構在形成鍺納米線之后的側截面視圖；

圖10是圖9的結構在沉積第二介電材料層之后的側截面視圖；

圖11是圖10的結構在平面化第二介電材料層之后的側截面視圖；

圖12是圖11的結構在移除第二介電材料層之后的側截面視圖，移除第二介電材料層在第一介電材料層中創建凹陷溝道；

圖13是圖12的結構在沉積保護層之后的側截面視圖；

圖14是圖13的結構在沉積填充介電材料層之后的側截面視圖；

圖15是圖14的結構在平面化填充介電材料層之后的側截面視圖；

圖16是圖15的結構在部分移除填充介電材料層之后的側截面視圖，其中，填充介電材料層的一部分保留在凹陷溝道中；

圖17是圖16的結構的截面斜視圖；

圖18是具有多個鍺納米線作為高移動性器件的晶體管柵的截面斜視圖；以及

圖19是制造鍺納米線的工藝流程。

具體實施方式

在以下詳細描述中，參考附圖，其作為示例示出其中可實施要求保護的主題的特定實施例。足夠詳細地描述這些實施例以使得本領域技術人員能夠實施本主題。理解的是，各種實施例雖然不同但是不一定互斥。例如，本文結合一個實施例描述的特殊特征、結構或特性可在其它實施例內實現，而不背離要求保護的主題的精神和范圍。另外，要理解的是，可修改每個公開實施例內的各個單元的位置或設置，而不背離要求保護的主題的精神和范圍。因此，不是以限制的意義來看待以下詳細描述，并且僅由適當解釋的所附權利要求書連同所附權利要求書享有權利的等同物的全部范圍來定義本主題的范圍。附圖中，類似數字指貫穿若干視圖的相同或相似的單元或功能性，并且其中描繪的單元不一定彼此按比例，而是各個單元可能經過放大或縮小以便更容易理解本說明書的上下文中的單元。

本說明書的實施例涉及微電子器件的制造。在至少一個實施例中，本主題涉及形成隔離的納米線，其中，鄰接于納米線的隔離結構為其上微電子結構的形成提供基本上水平的表面。

微電子器件（例如微處理器、存儲器器件以及專用集成電路）由各種電子組件（例如晶體管、電阻器以及電容器）形成，這些電子器件用跡線（trace）互連以形成微電子器件晶片上和中的電路。微電子器件業界已經不斷努力縮小這些組件的尺寸，這導致更快的且更便宜的微電子器件。但是，當這些組件的尺寸縮小時，可能出現關于寄生電容、斷態泄漏、功耗以及這些微電子器件的其它性能特性的問題。

在晶體管（具體地，金屬氧化物半導體場效應晶體管）的制造中，已經通過使用各種各樣的創新來改進性能和可靠性，例如，絕緣體上半導體襯底（semiconductor-on-insulator?substrate）的利用、選擇性外延沉積的增高式源和漏（raised?source?and?drain）的形成、原子層沉積的高K柵介電質的形成、金屬柵的制造、應變晶體管溝道的形成以及低K層間介電層的沉積。