[發明專利]用于納米線器件的隔離

有效

• 申請號: 201080057647.8
• 申請日: 2010-11-03
• 公開（公告）號: CN102652364A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: U.沙;B.楚-孔;B-Y.金;R.皮拉里塞蒂;M.拉多沙夫耶維奇;W.雷奇馬迪
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 楊美靈;王忠忠

1.一種納米線隔離結構，包括：

置于鄰接于至少一個納米線的介電材料，其中，所述介電材料包括從所述介電材料的第一表面延伸進入所述介電材料的至少一個凹陷溝道；

置于所述介電材料第一表面之上和所述凹陷溝道之內的保護層；以及

置于所述保護層上以基本上填充所述凹陷溝道的填充介電材料。

2.如權利要求1所述的納米線隔離結構，其中，所述填充介電材料第一表面與所述填充介電材料基本上相平。

3.如權利要求1所述的納米線隔離結構，其中，所述納米線包括鍺納米線。

4.如權利要求3所述的納米線隔離結構，其中，所述鍺納米線包括具有在50和100%之間的鍺含量的鍺納米線。

5.如權利要求1所述的納米線隔離結構，其中，所述介電材料包括硅氧化物。

6.如權利要求1所述的納米線隔離結構，其中，所述保護層包括高K介電材料。

7.如權利要求1所述的納米線隔離結構，其中，所述保護層包括硅氮化物。

8.如權利要求1所述的納米線隔離結構，其中，所述填充介電材料包括硅氧化物。

9.一種通過一種方法形成的納米線隔離結構，所述方法包括：

形成至少一個納米線；

形成鄰接于所述納米線的介電材料，其中，形成所述介電材料包括在所述介電材料中形成至少一個凹陷溝道；

在所述介電材料和所述納米線之上形成保護層；

在所述保護層之上沉積填充介電材料；以及

移除所述填充介電材料的一部分以暴露所述保護層的一部分以及以將所述填充介電材料的一部分留在所述凹陷溝道內。

10.如權利要求9所述的納米線隔離結構，其中，移除所述填充介電材料的一部分以暴露所述保護層的一部分以及將所述填充介電材料的一部分留在所述凹陷溝道內包括移除所述填充介電材料的一部分以暴露所述保護層的一部分以及將所述填充介電材料的一部分留在所述凹陷溝道內，所留的部分與所述保護層基本上相平。

11.如權利要求9所述的納米線隔離結構，其中，形成至少一個納米線包括形成至少一個鍺納米線。

12.如權利要求11所述的納米線隔離結構，其中，形成至少一個鍺納米線包括形成具有大約50和100％之間的鍺含量的至少一個鍺納米線。

13.如權利要求9所述的納米線隔離結構，其中，在所述介電材料和所述納米線之上形成所述保護層包括在所述介電材料和所述納米線之上形成高K介電保護層。

14.如權利要求9所述的納米線隔離結構，其中，在所述介電材料和所述納米線之上形成所述保護層包括在所述介電材料和所述納米線之上形成硅氮化物保護層。

15.如權利要求9所述的納米線隔離結構，其中，形成至少一個納米線包括：

在襯底上圖案化掩膜；

蝕刻所述襯底以形成至少一個凹進處和至少一個鰭狀物，每個鰭狀物具有頂面和兩個相對的側面；

移除圖案化的掩膜；

在所述凹進處和鰭狀物之上沉積所述介電材料；

使得所述介電材料凹進以暴露每個鰭狀物的側面的一部分；

在每個鰭狀物的頂面和暴露的側面上形成鍺合金包層；以及

對所述鍺合金包層進行氧化和退火以將所述鍺合金包層轉變成鍺納米線。

16.如權利要求15所述的納米線隔離結構，其中，在襯底上圖案化掩膜包括在含硅襯底上圖案化掩膜。

17.如權利要求16所述的納米線隔離結構，其中，形成所述鍺合金包層包括形成硅鍺合金包層。