[發(fā)明專利]用于維持組件的安全操作溫度的組件封裝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080057121.X
• 申請日: 2010-12-09
• 公開（公告）號: CN102834950B
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M·孫;P·尚帕涅
• 申請（專利權(quán)）人: 克拉-坦科股份有限公司
• 主分類號: H01M2/34
• 分類號: H01M2/34;H01M2/10
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 張欣

優(yōu)先權(quán)要求

本申請案是2005年12月13日申請、作為美國專利申請公開號20060174720 公開的、美國專利申請11/302,763的部分繼續(xù)申請并且主張該申請的優(yōu)先權(quán)， 該申請全部內(nèi)容以引用方式并入本文。

本申請還要求在2009年12月18日提交為美國專利申請12/642,695、并 在2010年1月7日轉(zhuǎn)換為臨時申請案的美國專利申請系列號12/642,695的優(yōu) 先權(quán)，該申請案的全部內(nèi)容通過引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及高溫、無線測量設(shè)備，且更具體地涉及當(dāng)該設(shè)備暴露于高溫超 過延長的時間段時保持該設(shè)備的組件安全的方法。

發(fā)明背景

集成電路、顯示器或磁盤存儲器的制造通常采用很多處理步驟。必須仔細(xì) 監(jiān)測每一處理步驟，從而提供可工作的設(shè)備。在整個成像處理、沉積與生長處 理、蝕刻與掩模處理等中，關(guān)鍵的是，例如，在每一個步驟過程中仔細(xì)控制溫 度、氣流、真空壓力、化學(xué)氣體或等離子體組分、及曝露距離。仔細(xì)注意每一 個步驟中所涉及的各種處理條件是最優(yōu)的半導(dǎo)體或薄膜工藝的要求。與最優(yōu)處 理條件的任何偏差可導(dǎo)致使隨后的集成電路或設(shè)備以低于標(biāo)準(zhǔn)的等級工作，或 更差地，完全失效。

在處理腔室中，處理條件不同。諸如溫度、氣體流速、和/或氣體組分之類 的處理條件中的變化極大地影響集成電路的形成以及因此造成的性能。使用具 有與集成電路或其它設(shè)備相同或類似材料的類似襯底的設(shè)備來測量處理條件 提供了對條件的最準(zhǔn)確的測量，因為該襯底的熱導(dǎo)率與將要處理的實際電路是 一樣的。對于實際上所有處理條件而言，在整個腔室中存在梯度及變化。因此， 這些梯度也存在于整個襯底表面上。為了準(zhǔn)確地控制在襯底處的處理條件，重 要的是在襯底上進行測量且這些讀數(shù)可用于自動控制系統(tǒng)或操作者，從而可易 于獲得腔室處理條件的優(yōu)化。處理條件包含用于控制半導(dǎo)體或其它設(shè)備制造的 任何參數(shù)或制造者期望監(jiān)測的任意條件。

授予Freed等的美國專利No.6,691,068教示了能夠為被用于處理工件的處 理工具而測量數(shù)據(jù)、處理數(shù)據(jù)、儲存數(shù)據(jù)、以及發(fā)射數(shù)據(jù)的傳感器裝置。該傳 感器裝置包括信息處理器、用于控制該裝置的嵌入可執(zhí)行命令、以及至少一個 傳感器。該傳感器裝置能夠被裝載到處理工具中。該傳感器裝置具有用于近乎 實時數(shù)據(jù)收集及通信的能力。

傳統(tǒng)地，將低輪廓無線測量設(shè)備安裝于襯底上用于測量處理條件。對于用 于在高溫環(huán)境(例如，高于約150℃的溫度)下工作的低輪廓無線量測設(shè)備而言， 當(dāng)該設(shè)備暴露于高溫環(huán)境時該設(shè)備的特定關(guān)鍵組件(諸如，薄電池及微處理器) 必須能夠運行。傳統(tǒng)地，背部AR涂布(BARC)處理在250℃下操作；CVD處理 可在約500℃的溫度下操作；且PVD處理可在約300℃下操作。不幸的是，很 多類型的電池(舉例而言，薄膜Li電池)在180℃下熔化。電池封裝材料會在180 ℃下放氣，這也造成電池?fù)p壞。

為建立無線溫度測量設(shè)備的高溫(150℃或更高)版本，一些可購得的特定組 件在高溫下操作的能力有限。進一步，近期不可能購得具有充分的高溫能力的 組件。除對熱傳導(dǎo)絕緣以外，進一步的挑戰(zhàn)在于無線測量設(shè)備中的電池應(yīng)保持 2mm或更少的輪廓，從而可裝配到各種處理腔室中。

在這樣的背景下，本發(fā)明的實施例出現(xiàn)了。

附圖說明

一旦閱讀了以下詳細(xì)說明并參考附圖，本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點就將變得 顯而易見，在附圖中：

圖1A是根據(jù)本發(fā)明的實施例的薄絕緣組件封裝的分解的三維圖。

圖1B是根據(jù)本發(fā)明的實施例的薄絕緣組件封裝的截面圖。

圖1C是根據(jù)本發(fā)明的替代實施例的薄絕緣薄組件封裝的截面圖。

圖2A是具有安裝在襯底頂部的薄絕緣組件封裝的測量襯底的俯視示意 圖。

圖2B是根據(jù)本發(fā)明的實施例的、在不含支架的情況下，具有安裝在襯底 頂部的薄絕緣組件封裝的圖2A的測量襯底的側(cè)視圖。

圖2C是根據(jù)本發(fā)明的實施例的、在含支架的情況下，具有安裝在襯底頂 部的薄絕緣組件封裝的圖2A的測量襯底的側(cè)視圖。

圖2D是根據(jù)本發(fā)明的實施例的，具有安裝在襯底腔內(nèi)的薄絕緣組件封裝 的圖2A的測量襯底的側(cè)面剖視圖。

特定實施例的描述