[發明專利]光電子半導體構件

有效

• 申請號: 201080056260.0
• 申請日: 2010-11-17
• 公開（公告）號: CN102652369A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 格特魯德·克勞特;貝恩德·巴克曼;克里斯特·貝格內克;約翰·拉姆琴科;邁克爾·齊茨爾斯佩格
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/56
• 分類號: H01L33/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張春水;田軍鋒

技術領域

提出一種光電子半導體構件。

本申請要求德國專利申請10?2009?058?006.9的優先權，其公開內容通過參引并入本文。

背景技術

所要實現的目的在于，提出一種光電子半導體構件，其中輻射損失是尤其低的并且所述光電子半導體構件的輻射出射面顯得尤其亮。

根據光電子半導體構件的至少一個實施形式，構件具有帶有輻射退耦面的至少一個發射輻射的半導體芯片。在半導體芯片中所產生的電磁輻射的至少一部分穿過輻射退耦面離開半導體芯片。發射輻射的半導體芯片例如能夠為輻射發光二極管芯片。輻射發光二極管芯片能夠為發射在紫外光至紅外光的范圍中的輻射的發光二極管芯片或者激光二極管芯片。優選地，輻射發光二極管芯片發射在電磁輻射的光譜的可見或者紫外范圍中的光。

根據半導體構件的至少一個實施形式，構件具有至少一個轉換元件，所述轉換元件設置在半導體芯片的下游，在所述半導體芯片的輻射退耦面上，用于轉換由半導體芯片所發射的電磁輻射。至少一個轉換元件具有背離輻射退耦面的第一表面。此外，至少一個轉換元件設置在半導體芯片的下游，使得在半導體芯片的運行中所產生的電磁輻射的至少一部分到達轉換元件中。例如，轉換元件將由半導體芯片所發射的電磁輻射的轉換成更大波長的輻射。例如，至少一個轉換元件安裝到至少一個半導體芯片的輻射退耦面上并且能夠借助于粘合劑與所述輻射退耦面連接。

根據至少一個實施形式，光電子半導體構件具有反射的包封物。“反射的”在上下文中表示，包封物對于至少到80%，優選到多于90%的從半導體芯片和/或轉換元件中射出到所述包封物上的電磁輻射是反射的。反射的包封物能夠為施加到半導體芯片的和轉換元件的外面上的層。同樣能夠考慮的是，包封物為例如通過澆注半導體芯片和澆注轉換元件來施加的澆注件。

根據至少一個實施形式，反射的包封物在側面上形狀接合地包圍半導體芯片并且至少局部地包圍轉換元件。例如，半導體芯片的和轉換元件的側面在豎直方向上延伸，因此垂直于或者橫向于發射輻射的半導體芯片的外延生長的半導體層序列延伸。“形狀接合地包圍”在上下文中表示，反射的包封物在側面上包圍半導體芯片并且局部包圍轉換元件并且與其直接接觸。換而言之，優選在反射的包封物和側面之間既不構成間隙也不構成中斷。“至少局部地”在此可表示，例如為澆注件的反射的包封物形狀接合地包圍轉換元件的側面，僅包圍到一定的填充高度。由此可能的是，半導體芯片本身在其側面上通過反射的包封物完全地覆蓋，其中轉換元件還從反射的包封物中伸出。因此，轉換元件的側面完全地或者直到可預設的高度地部分地由反射的包封物覆蓋。

根據至少一個實施形式，轉換元件的第一表面沒有包封物。“沒有”表示，第一表面既不被反射的包封物覆蓋，反射的包封物也不沿著半導體構件的輻射出射路徑而設置在轉換元件的下游。因此，輻射能夠未無阻礙地從轉換元件中射出。最可能的是，根據制造所決定地，還有反射的包封物的其余材料處在第一表面上，然而，所述其余材料將第一表面覆蓋最多10%，優選最多5%。

根據光電子半導體構件的至少一個實施形式，所述光電子半導體構件具有帶有輻射退耦面的至少一個發射輻射的半導體芯片，在半導體芯片中產生的電磁輻射的至少一部分穿過所述輻射退耦面離開半導體芯片。此外，在半導體芯片的下游在所述半導體芯片的輻射退耦面上設置有轉換元件，以用于轉換由半導體芯片所發射的電磁輻射。轉換元件具有背離輻射退耦面的表面。此外，光電子半導體構件具有反射的包封物，其中反射的包封物在側面上形狀接合地包圍半導體芯片并且至少局部地包圍轉換元件，并且轉換元件的第一表面沒有反射的包封物。

在此，這里描述的光電子半導體構件另外還基于下述知識，最初在半導體構件中產生的電磁輻射通過半導體芯片的側面和設置在半導體芯片的下游的轉換元件的側面的射出導致輻射損失。可導致半導體構件的輻射效率的損失，因為側向射出的電磁輻射主要可造成物理的和/或技術上的應用不可用。換而言之，這能夠導致輻射效率的降低。“輻射效率”在上下文中表示在分別從半導體構件中退耦的、可用的照明能量與最初在半導體芯片之內產生的照明能量之間的比值。

現在，為了避免這種不期望的輻射損失并且同時提高輻射效率，在此所描述的光電子半導體構件另外使用下述思想，提供反射的包封物，所述反射的包封物在側面上形狀接合地包圍半導體芯片，并且至少局部地包圍轉換元件，其中轉換元件的第一表面沒有反射的包封物。