[發明專利]光電子半導體構件

有效

• 申請號: 201080056260.0
• 申請日: 2010-11-17
• 公開（公告）號: CN102652369A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 格特魯德·克勞特;貝恩德·巴克曼;克里斯特·貝格內克;約翰·拉姆琴科;邁克爾·齊茨爾斯佩格
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/56
• 分類號: H01L33/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張春水;田軍鋒

1.光電子半導體構件（100），所述光電子半導體構件具有

-具有輻射退耦面（6）的至少一個發射輻射的半導體芯片（3），在所述半導體芯片（3）中產生的電磁輻射的至少一部分通過所述輻射退耦面離開所述半導體芯片（3）；

-至少一個轉換元件（4），所述轉換元件設置在所述半導體芯片（3）的下游，在所述半導體芯片的所述輻射退耦面（6）上，用于轉換由所述半導體芯片（3）發射的電磁輻射，并且所述轉換元件具有背離所述輻射退耦面（6）的第一表面（7）；

-反射的包封物（5），其中

-所述反射的包封物（5）包圍所述半導體芯片（3），并且至少局部地在側面（33、44）上形狀接合地包圍所述轉換元件，并且

-所述轉換元件（4）的所述第一表面（7）沒有所述反射的包封物（5）。

2.根據上一項權利要求所述的光電子半導體構件（100），其中

-發射輻射的所述半導體芯片（3）發射在電磁輻射的光譜的藍色至紫外范圍中的光，

-所述反射的包封物（5）以硅樹脂或者由硅樹脂或者環氧化物組成的混合物制成，在硅樹脂中引入有反射輻射的顆粒，其中所述反射輻射的顆粒至少由ZrO₂組成或者至少包含ZrO₂，并且

-所述反射的包封物（5）是澆注件，所述反射的包封物在垂直于所述側面（33、44）的方向上的伸展沿著所述側面（33、44）至少局部地不同。

3.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體構件（100），其中所述包封物（5）在側向上不伸出超過所述轉換元件（4）。

4.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體構件（100），其中所述轉換元件（4）以陶瓷材料制成。

5.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體構件（100），其中所述轉換元件（4）具有的在垂直方向上的厚度至少雙倍于所述半導體芯片（3）在垂直方向上的厚度。

6.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體構件（100），其中所述轉換元件（4）具有最小50μm至最大500μm的在垂直方向上的厚度。

7.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體構件（100），其中從所述轉換元件（4）中射出的電磁輻射的至少10%在所述轉換元件（4）的所述側面（44）上射出并且通過所述反射的包封物（5）反射。

8.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體構件（100），其中所述轉換元件（4）的所述第一表面（7）至少局部地結構化。

9.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體構件（100），其中在所述半導體芯片（3）和所述轉換元件（4）之間設置有輻射能穿透的粘附層（8）。

10.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體構件（100），其中所述反射的包封物（5）完全地覆蓋所述半導體芯片（3）的側面（33）和所述粘附層（8）的側面（88）。

11.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體構件（100），其中所述反射的包封物（5）借助于噴射工藝來施加。

12.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體構件（100），其中所述反射的包封物（5）以硅樹脂或者由硅樹脂或者環氧化物組成的混合物制成，在所述硅樹脂中引入有反射輻射的顆粒，其中所述反射輻射的顆粒至少由材料TiO₂、BaSO₄、ZnO、Al_xO_y、ZrO₂組成或者包含前述材料之一。

13.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體構件（100），其中所述反射的包封物（5）在垂直于所述側面（33、44）的方向上的伸展大于1000μm。

14.根據上述權利要求之一所述的光電子半導體構件（100），其中所述反射的包封物（5）為澆注件，所述反射的包封物在垂直于所述側面（33、44）的方向上的伸展沿著所述側面（33、44）至少局部地不同。