[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201080056072.8
• 申請日: 2010-12-03
• 公開（公告）號: CN102652330A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 近間義雅;錦博彥;太田純史;水野裕二（已死亡）;原猛;會田哲也;鈴木正彥;竹井美智子;中川興史;春本祥征
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G09F9/30
• 分類號: G09F9/30;G02F1/1368;G09F9/00;H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種半導體裝置，其特征在于：

所述半導體裝置包括：基板；在所述基板上形成的薄膜晶體管；和將所述薄膜晶體管與外部配線電連接的端子部，

所述薄膜晶體管包括：

設置在所述基板上的柵極配線；

在所述柵極配線上形成的第一絕緣膜；

島狀的氧化物半導體層，該氧化物半導體層在所述第一絕緣膜上形成，具有溝道區域和分別位于所述溝道區域的兩側的源極區域和漏極區域；

在所述氧化物半導體層上接觸設置的第二絕緣膜；

設置在所述第二絕緣膜上，與所述源極區域電連接的源極配線；

設置在所述第二絕緣膜上，與所述漏極區域電連接的漏極電極；和

設置在所述源極配線和所述漏極電極上，覆蓋所述薄膜晶體管的保護膜，

所述端子部包括：

由與所述柵極配線相同的導電膜形成的第一連接部；

在所述第一連接部上形成，由與所述源極配線和所述漏極電極相同的導電膜形成的第二連接部；和

在所述第二連接部上形成的第三連接部，

所述第二連接部在設置于所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜的第一開口部內與所述第一連接部接觸，

所述第三連接部在設置于所述保護膜的第二開口部內與所述第二連接部接觸，

所述第二連接部覆蓋所述第一開口部的所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜的端面，并且不覆蓋所述第二開口部的所述保護膜的端面。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

在從所述基板的表面的法線方向看時，所述第二開口部位于所述第一開口部的內部。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于：

所述半導體裝置還包括與所述漏極電極電連接的像素電極，

所述第三連接部由與所述像素電極相同的導電膜形成。

4.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于：

所述半導體裝置還包括在所述基板形成的輔助電容，

所述輔助電容具有：

由與所述柵極配線相同的導電膜形成的輔助電容配線；

覆蓋所述輔助電容配線的所述第一絕緣膜；

由與所述氧化物半導體層相同的氧化物半導體膜形成的輔助電容形成用半導體層；和

設置在所述輔助電容形成用半導體層上的輔助電容電極，

所述輔助電容電極在形成于所述第二絕緣膜的開口部內與所述輔助電容形成用半導體層接觸。

5.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于：

所述輔助電容電極是所述漏極電極的一部分，

所述像素電極在形成于所述保護膜的開口部內與所述輔助電容電極接觸。

6.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于：

所述輔助電容電極是所述像素電極的一部分。

7.如權利要求1～6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于：

所述半導體裝置還包括將所述柵極配線與所述源極配線電連接的柵極-源極連接部，

在所述柵極-源極連接部，所述源極配線在設置于所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜的所述第一開口部內與所述柵極配線接觸。

8.如權利要求1～7中任一項所述的半導體裝置，其特征在于：

在所述保護膜與所述像素電極之間還包括有機絕緣膜。

9.如權利要求1～8中任一項所述的半導體裝置，其特征在于：

所述第一絕緣膜和所述保護膜中的至少一個含有SiO₂。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于：

所述第一絕緣膜具有包括SiO₂膜和SiNx膜的疊層結構，所述SiO₂膜是所述疊層結構的最上層，與所述氧化物半導體層的下表面接觸。

11.如權利要求9或10所述的半導體裝置，其特征在于：

所述保護膜具有包括SiO₂膜和SiNx膜的疊層結構，所述SiO₂膜是所述疊層結構的最下層。