[發明專利]具有嵌入式管芯的半導體封裝及其制造方法

有效

• 申請號: 201080054650.4
• 申請日: 2010-12-07
• 公開（公告）號: CN102640283A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發明（設計）人: J·S·居澤克;J·S·岡薩雷斯;N·R·沃茨;R·K·納拉
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L23/48
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;王英

1.一種形成半導體封裝的方法，包括：

提供具有導電表面的載體；

在所述載體的所述導電表面上形成第一電介質層，所述第一電介質層具有暴露所述導電表面上的管芯區域的管芯空腔；

在所述導電表面的所述管芯區域上形成粘附層；

將管芯附著到所述粘附層上，所述管芯具有固定至所述粘附層的后側和具有多個管芯焊盤的前側；

在所述第一電介質層和所述管芯上沉積第二電介質層；

在所述管芯的所述前側上的所述多個管芯焊盤上形成多個管芯互連；以及

去除所述載體以暴露所述粘附層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述第一電介質層還包括：

在所述第一電介質層中形成多個焊盤開口，所述多個焊盤開口暴露所述導電表面上的多個焊盤區域；

在所述導電表面的所述多個焊盤區域上形成多個封裝焊盤；以及

在所述多個封裝焊盤上形成多個封裝互連。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第一電介質層是光可限定電介質材料。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，通過以下步驟形成所述第一電介質層：

在所述導電表面上層壓所述光可限定電介質材料；以及

將所述第一電介質層曝光于輻射源，并且對所述第一電介質層進行顯影，以在所述第一電介質層中限定所述管芯空腔和所述多個焊盤開口。

5.根據權利要求2所述的方法，其中，形成所述第一電介質層包括：

在所述導電表面上沉積所述第一電介質層；以及

在所述第一電介質層中限定所述管芯空腔和所述多個焊盤開口。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，通過蝕刻工藝來限定所述管芯空腔和所述多個焊盤開口。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，通過激光或機械鉆孔工藝來限定所述管芯空腔和所述多個焊盤開口。

8.根據權利要求2所述的方法，其中，通過電解鍍覆所述多個焊盤區域來形成所述多個封裝焊盤。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述管芯區域上噴涂或絲網印刷所述粘附層。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述多個管芯互連包括：

在所述第二電介質層中形成多個第一通路孔，所述多個第一通路孔暴露所述管芯的所述前側的所述多個管芯焊盤；

在所述多個第一通路孔中和所述多個管芯焊盤上形成金屬層；以及

蝕刻所述金屬層以形成所述多個管芯互連。

11.根據權利要求2所述的方法，其中，形成所述多個封裝互連包括：

在所述電介質層中形成多個第二通路孔，所述多個第二通路孔暴露所述多個封裝焊盤；

在所述多個第二通路孔中和所述多個封裝焊盤上形成金屬層；以及

蝕刻所述金屬層以形成所述多個封裝互連。

12.根據權利要求2所述的方法，還包括：

在所述第二電介質層上沉積第三電介質層；以及

在所述多個管芯互連或所述多個封裝互連上形成多個互連。

13.根據權利要求2所述的方法，還包括：

在所述第二電介質層上形成阻焊層；以及

形成多個焊料凸塊，其中所述多個焊料凸塊與所述多個管芯互連或者所述多個封裝互連電耦合。

14.一種半導體封裝，包括：

第一封裝，包括：

第一電介質層，具有上表面和延伸穿過所述第一電介質層的空腔；

形成在所述第一電介質層的所述空腔中的粘附層，所述粘附層具有上表面和下表面，其中所述上表面基本上與所述第一電介質層的頂表面共面；

形成在所述空腔中的第一管芯，所述第一管芯具有前側和后側，其中所述前側包括多個管芯焊盤，并且其中所述后側粘附于所述粘附層的所述下表面；

形成在所述第一電介質層的底表面和所述第一管芯的所述前側上的第二電介質層；以及

電耦合到所述第一管芯的所述前側上的所述多個管芯焊盤的多個管芯互連。