[發明專利]半導體晶片表面保護用膠帶

有效

• 申請號: 201080054015.6
• 申請日: 2010-12-21
• 公開（公告）號: CN102754200A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 橫井啟時;岡祥文;矢野正三
• 申請（專利權）人: 古河電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;C09J5/02;C09J7/02;C09J133/00;H01L21/304
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 丁香蘭;龐東成

技術領域

本發明涉及半導體晶片表面保護用膠帶(粘著テ一プ)。進一步詳細地說，涉及在將半導體晶片磨削成薄膜時所使用的半導體晶片表面保護用膠帶。?

背景技術

半導體封裝件通過下述方法制造：對高純度單晶硅進行切片從而得到半導體晶片，然后通過離子注入、蝕刻等在該晶片表面上形成集成電路，由此來制造半導體封裝件。通過對形成有集成電路的半導體晶片的背面進行磨削、研磨等，能夠將半導體晶片制成所需的厚度。此時，為了保護形成于半導體晶片表面上的集成電路而使用半導體晶片表面保護用膠帶。背面磨削結束后，將經背面磨削的半導體晶片收納于晶片盒中，運送至切割工序，加工成半導體芯片。?

過去已經利用背面磨削將半導體晶片的厚度削薄至200～400μm左右。但是，伴隨著近年來高密度安裝技術的進步，產生了將半導體芯片小型化的需要，半導體晶片正在向減薄化發展。根據半導體芯片的種類，需要將其削薄至100μm左右。另外，為了增加一次加工所能夠制造的半導體芯片的數量，晶片的直徑也傾向于大型化。至今為止，直徑為5英寸和6英寸的晶片為主流，與此相對，近年來的主流變成由直徑為8～12英寸的半導體晶片加工成半導體芯片。?

半導體晶片的減薄化和大直徑化的趨勢特別在NAND型或NOR型所存在的快閃存儲器的領域、或作為易失性存儲器的DRAM等領域中顯示出了明顯的傾向。例如，使用直徑12英寸的半導體晶片，并將其磨削至150μm的厚度以下的情況也是不稀奇的。在將大口徑的半導體晶片磨削至薄壁的情況下，晶片的剛性下降，容易產生翹曲。?

通常，利用機器手臂將半導體晶片從稱作晶片盒的專用箱中逐片取出，并由位于磨削機器內的半導體晶片固定用夾具保持，由此來進行背面磨削。利用機器手臂將經背面磨削的半導體晶片收納于晶片盒中，并輸送至下一工序。在由半導體晶片固定用夾具保持時，若半導體晶片的翹曲大，則會出現半導體晶片無法良好地吸附的情況，?甚至最差的情況下半導體晶片會破損。另外，收納至晶片盒時，若半導體晶片的翹曲大，則存在機器手臂與收納后的半導體晶片接觸從而使半導體晶片破損的問題。?

于是，提出了從背面磨削工序至切削帶安裝工序整體實施而并非將磨削后的薄型晶片收納于晶片盒這樣的裝置(串聯裝置)。另外，提出了通過提高晶片固定用夾具和機器手臂等的性能，使晶片即使發生翹曲也不易受其影響的方法。?

另一方面，提出了在將半導體晶片表面保護用膠帶貼合于半導體晶片上時，通過降低施加在半導體晶片上的應力來減少半導體晶片的翹曲的方法。例如，在專利文獻1中，提出了由基材和設置在該基材的應力緩和性膜上的粘合劑層構成的半導體晶片加工用粘合片，所述基材是由剛性膜與應力緩和性膜隔著可剝離的粘接劑層層積而成的。?

另外，專利文獻2中，提出了在基材和粘合劑層之間存在具有特定范圍的儲存彈性模量的中間層的加工用粘合片；在專利文獻3中，提出了基材膜至少由3層構成、且該基材膜的表面背面的最外層與內層的儲存彈性模量分別在特定范圍內的半導體晶片保護用粘合膜。進一步，在專利文獻4中，提出了層積有特定材料的多層片材。?

但是，使用專利文獻1的半導體晶片表面保護用膠帶時，在進行完半導體晶片加工之后，需要在可剝離的粘接劑層與剛性膜的界面、可剝離的粘接劑層與應力緩和性膜的界面、或構成可剝離的粘接劑層的內部進行剝離這樣繁雜的工序。另外，粘合劑層和應力緩和層重疊有多層，緩沖性過剩，因此在將半導體晶片磨削至50μm厚以下的情況下很有可能產生晶片斷裂。?

另外，將專利文獻2的半導體晶片加工用粘合片的半導體晶片保護用粘合片貼合于形成有聚酰亞胺膜的半導體晶片，并進行半導體晶片的背面磨削的情況下，半導體晶片的厚度達到100μm以下時，涂布于半導體晶片表面上的絕緣膜收縮，從而導致半導體晶片自身也產生翹曲。該情況下，將半導體晶片保持在晶片固定用夾具時，會出現半導體晶片掉落的問題。?

進一步，將專利文獻3的半導體晶片加工用粘合片貼合于形成有聚酰亞胺膜的半導體晶片，并進行半導體晶片的背面磨削的情況下，雖然在輸送帶有粘合片的晶片的方面沒有問題，但是在將半導體晶片磨削至50μm厚度以下的薄膜的情況下，有時會產生邊緣裂縫或晶片斷裂。?

現有技術文獻?

專利文獻?

專利文獻1：日本特開2003-261842號公報?

專利文獻2：日本特開2004-107644號公報?

專利文獻3：日本特開2002-69396號公報?

專利文獻4：日本特開2006-264296號公報?

發明內容