[發(fā)明專利]半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080054015.6 | 申請日: | 2010-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN102754200A | 公開(公告)日: | 2012-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 橫井啟時;岡祥文;矢野正三 | 申請(專利權(quán))人: | 古河電氣工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;C09J5/02;C09J7/02;C09J133/00;H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 丁香蘭;龐東成 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 晶片 表面 保護(hù) 膠帶 | ||
1.一種半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶,其具有基材樹脂膜和隔著中間樹脂層位于該基材樹脂膜上的直接粘合劑層,所述中間樹脂層是由含有丙烯酸聚合物和/或聚氨酯丙烯酸酯的基礎(chǔ)樹脂成分交聯(lián)而成的,
其中,以下述條件(a)~(d)對該半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶進(jìn)行測定,由測得的環(huán)剛度的負(fù)載荷重求出反彈力α,反彈力α為13mN/mm以下,每單位寬度的反彈力α除以基材厚度β的平方所得到的反彈系數(shù)γ為100mN/mm3以上,并且,縱向與橫向的拉伸斷裂伸長率之差為35%以下,
(a)裝置
商品名為環(huán)剛度試驗機(jī),東洋精機(jī)社制;
(b)圓環(huán)試驗片形狀
長度為50mm以上,寬為10mm;
(c)壓頭的壓入速度
3.3mm/sec;
(d)壓頭的壓入量
從壓頭與圓環(huán)接觸的時刻開始壓入5mm。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶,其特征在于,所述中間樹脂層的丙烯酸聚合物具有羥基和羧基。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶,其特征在于,所述中間樹脂層的聚氨酯丙烯酸酯具有羥基和羧基。
4.如權(quán)利要求1~3任一項所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶,其中,所述中間樹脂層的交聯(lián)后的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-10℃~30℃。
5.如權(quán)利要求1~4任一項所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶,其特征在于,所述基材樹脂膜為聚酯樹脂膜。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶,其特征在于,所述聚酯樹脂膜為聚對苯二甲酸乙二醇酯膜。
7.如權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶,其特征在于,所述聚酯樹脂膜的厚度為25μm~75μm。
8.如權(quán)利要求1~7任一項所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶,其特征在于,所述半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶為壓敏型膠帶,在20~25℃對于SUS研磨面的粘合力為0.5N/25mm以上,并且在50℃對于SUS研磨面的粘合力為0.5N/25mm以下。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶,其特征在于,構(gòu)成所述粘合劑層的基礎(chǔ)樹脂的重均分子量為100萬以上。
10.如權(quán)利要求1~7任一項所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶,其特征在于,所述粘合劑層的粘合力通過照射放射線而變低。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶,其特征在于,所述粘合劑層是使用以下述聚合物作為主要成分的基礎(chǔ)樹脂構(gòu)成的,所述聚合物相對于主鏈具有1個以上的含放射線聚合性碳-碳雙鍵的基團(tuán)且含有丙烯酸系單體作為結(jié)構(gòu)單元。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





