[發明專利]包含源于乙烯和硅氧烷的單元的聚合物

有效

• 申請號: 201080051438.2
• 申請日: 2010-09-14
• 公開（公告）號: CN102695735A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: M.德米羅爾斯;T.P.卡杰拉;J.O.奧斯比
• 申請（專利權）人: 陶氏環球技術有限責任公司
• 主分類號: C08F283/12
• 分類號: C08F283/12;C08J5/18
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 吳培善

1.一種包含源于乙烯和硅氧烷的單元的聚合物，該聚合物具有至少0.15個戊基基團單元/1000個碳原子，通過¹³C核磁共振(NMR)所測定。

2.權利要求1的聚合物，其包含與所述硅氧烷的一個或多個硅原子鍵接的乙烯的一部分。

3.權利要求1的聚合物，其中該聚合物包含與所述硅氧烷的硅原子鍵接的至少一個基于乙烯的聚合物支鏈。

4.前述權利要求中任一項的聚合物，其具有滿足下面數學關系式的以°C為單位的峰值熔融溫度Tm和以g/cm³為單位的密度：

Tm<771.5(°C·cc/g)(密度)–604(°C)。

5.前述權利要求中任一項的聚合物，其密度為至少0.93g/cm³。

6.前述權利要求中任一項的聚合物，其中小于40wt%的所述硅氧烷是能通過溶劑提取而提取的。

7.前述權利要求中任一項的聚合物，其具有至少13的I₁₀/I₂比。

8.前述權利要求中任一項的聚合物，其具有小于5的I₂。

9.前述權利要求中任一項的聚合物，其具有滿足下面數學關系式的以焦耳/克(J/g)為單位的熔化熱(H_f)和以g/cm³為單位的密度：

H_f<2333(J·cc/g²)x(密度)–2009(J/g)。

10.組合物，其包含權利要求1-9中任一項的聚合物。

11.制品，其包含至少一個由權利要求10的組合物形成的組件。

12.權利要求11的制品，其呈膜的形式。

13.形成包含源于乙烯和硅氧烷的單元的聚合物的方法，該方法包括：

A.在自由基引發劑的存在下使至少一種硅氧烷與乙烯在第一反應器或者多部分反應器的第一部分中接觸；以及

B.在所述自由基引發劑的存在下使所述硅氧烷與另外的乙烯在至少一個其它反應器或者所述多部分反應器的后面部分中反應，形成與所述硅氧烷鍵接的基于乙烯的聚合物支鏈。

14.權利要求13的方法，其中所述基于乙烯的聚合物支鏈通過下面步驟形成：乙烯單體與所述硅氧烷鍵接形成乙烯-硅氧烷部分，以及所得的部分與至少另外的乙烯單體聚合形成所述基于乙烯的聚合物支鏈。

15.權利要求13的方法，其中所述基于乙烯的聚合物支鏈獨立于所述硅氧烷而形成，然后接枝至所述硅氧烷上。