[發明專利]利用多個曝光和阻擋掩模方式減少設計規則違反的半導體器件制造

有效

• 申請號: 201080050771.1
• 申請日: 2010-11-09
• 公開（公告）號: CN102754186A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 理查德·舒爾茨
• 申請（專利權）人: 超威半導體公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/311;H01L21/8244
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種在半導體器件結構上制造器件特征的方法，該方法包括：

創建在該半導體器件結構的目標材料之上的第一光阻劑特征圖樣（301），該第一光阻劑特征圖樣（301）由第一部分光刻掩模（300）定義；

創建在該目標材料之上的第二光阻劑特征圖樣（304，306），該第二光阻劑特征圖樣（304，306）由第二部分光刻掩模（302）定義，該第一光阻劑特征圖樣（301）和該第二光阻劑特征圖樣（304，306）一起形成光阻劑特征的組合圖樣；

將該光阻劑特征的組合圖樣作為蝕刻掩模來選擇性地蝕刻該目標材料，并生成形成在該目標材料中的凹線圖樣（422）；并且

形成第三光阻劑特征圖樣（322），其覆蓋該凹線圖樣（422）的指定部分。

2.如權利要求1所述的方法，其中：

該目標材料被形成在第二材料層之上；

選擇性地蝕刻該目標材料以曝光該第二材料的一部分；并且

所述形成步驟在該第二材料的曝光部分形成該第三光阻劑特征圖樣（322）。

3.如權利要求2所述的方法，進一步包括將該目標材料和該第三光阻劑特征圖樣（322）作為第二蝕刻掩模選擇性地蝕刻該第二材料，并生成形成在該第二材料中的溝道（452）。

4.如權利要求3所述的方法，進一步包括用導電材料（472）至少部分地填充該溝道（452）。

5.如權利要求3所述的方法，其中該溝道（452）中的至少一個是雙向的。

6.如權利要求1所述的方法，其中該光阻劑特征的組合圖樣不存在引腳到引腳和引腳到線的違規。

7.一種制造半導體器件的方法，該方法包括：

提供半導體器件，該半導體器件包括半導體材料層（402）和覆在該半導體材料層（402）之上的絕緣材料層（404）；

在該絕緣材料層（404）之上形成硬掩模材料層（408）；

在該硬掩模材料層（408）之上創建光阻劑特征的組合圖樣，該光阻劑特征的組合圖樣包括利用第一光刻掩模（300）形成的第一光阻劑特征（301）和利用第二光刻掩模（302）形成的第二光阻劑特征（304，306）；

將該光阻劑特征的組合圖樣作為蝕刻圖樣選擇性地蝕刻該硬掩模材料層(408)，生成定義在硬掩模材料（408）中的正性硬掩模圖樣和負性的凹線圖樣（422）；并且

創建在該絕緣材料（404）上方的附加的光阻劑特征的圖樣，該附加的光阻劑特征與定義在該負性的凹線圖樣（422）中的一個或多個凹線相交。

8.如權利要求7所述的方法，進一步包括將該正性硬掩模圖樣和該附加的光阻劑特征作為第二蝕刻掩模來選擇性地蝕刻該絕緣材料（404），生成形成在該絕緣材料（404）中的溝道（452）。

9.如權利要求8所述的方法，進一步包括：

從該半導體器件結構上移除該正性硬掩模；并且

從該半導體器件結構上移除該附加的光阻劑特征。

10.如權利要求9所述的方法，進一步包括在該溝道（452）中沉積導電材料（472）。

11.如權利要求8所述的方法，其中該溝道（452）中的至少一個是雙向的。

12.如權利要求7所述的方法，其中該光阻劑特征的組合圖樣中不存在引腳到引腳和引腳到線的違規。