[發明專利]太陽能電池及其制造方法無效
| 申請號: | 201080049288.1 | 申請日: | 2010-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN102598299A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發明(設計)人: | 李東根 | 申請(專利權)人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 許向彤;林錦輝 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
1.一種太陽能電池,包括:
圖案層,布置在襯底上且包括不平整圖案;
后電極,布置在所述圖案層上;
光吸收層,布置在所述后電極上;
緩沖層,布置在所述光吸收層上;以及
前電極,布置在所述緩沖層上。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,凹槽和突起周期性地形成在所述不平整圖案中。
3.根據權利要求2所述的太陽能電池,其中,所述凹槽的寬度為100-300nm,所述突起的寬度為100-200nm,所述凹槽和所述突起的高度為100-300nm,并且包括所述凹槽和所述突起的所述不平整圖案的周期為200-500nm。
4.根據權利要求2所述的太陽能電池,其中,就所述襯底、所述圖案層和所述后電極而言,其中,a是從所述不平整圖案的上表面,即所述突起的上表面,到所述后電極的表面的距離,b是所述凹槽的高度,c是所述突起的高度,d是在所述圖案層中從所述凹槽的下表面到所述襯底的厚度,滿足條件表達式(a+b)=W(c+d),其中W的值為0.17-0.43。
5.根據權利要求2所述的太陽能電池,其中,就所述圖案層而言,其中,c是所述突起的高度,d是在所述圖案層中從所述凹槽的下表面到所述襯底的厚度,滿足條件表達式(c)=X(d),其中X的值為0.03-0.15。
6.根據權利要求2所述的太陽能電池,其中,就所述襯底和所述圖案層而言,其中,d是在所述圖案層中從所述凹槽的下表面到所述襯底的厚度,e是所述襯底的厚度,滿足條件表達式(d)=Y(e),其中Y的值為0.04-0.12。
7.根據權利要求2所述的太陽能電池,其中,就所述圖案層而言,其中,f是所述凹槽的寬度,g是所述突起的寬度,滿足條件表達式(f)=Z(g),其中Z的值為1-2。
8.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述圖案層可以由包含樹脂的材料形成,該樹脂為諸如環氧樹脂、環氧樹脂三聚氰胺、亞克力和聚氨酯樹脂的單一型或混合型樹脂。
9.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述后電極的與所述圖案層接觸的側面被形成為具有與所述圖案層的所述不平整圖案相對應的凹面-凸面,所述后電極的上表面形成為與所述襯底平行。
10.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述不平整圖案的寬度從所述襯底朝向所述后電極變窄。
11.一種太陽能電池制造方法,包括:
在襯底上形成包括不平整圖案的圖案層;
在所述圖案層上形成后電極;
在所述后電極上形成光吸收層;
在所述光吸收層上形成緩沖層;以及
在所述緩沖層上形成前電極。
12.根據權利要求11所述的太陽能電池制造方法,其中,形成所述圖案層包括:
在所述襯底上形成樹脂層;以及
通過對所述樹脂層應用利用模具的模制過程同時應用UV硬化過程,來形成具有不平整圖案的所述圖案層。
13.根據權利要求12所述的太陽能電池制造方法,其中,所述樹脂層可以由包含樹脂的材料形成,該樹脂為諸如環氧樹脂、環氧樹脂三聚氰胺、亞克力和聚氨酯樹脂的單一型或混合型樹脂。
14.根據權利要求11所述的太陽能電池制造方法,其中,凹槽和突起周期性地形成在所述不平整圖案中。
15.根據權利要求14所述的太陽能電池制造方法,其中,所述凹槽的寬度為100-300nm,所述突起的寬度為100-200nm,所述凹槽和所述突起的高度為100-300nm,并且包括所述凹槽和所述突起的所述不平整圖案的周期為200-500nm。
16.根據權利要求14所述的太陽能電池制造方法,其中,就所述襯底、所述圖案層和所述后電極而言,其中,a是從所述不平整圖案的上表面,即所述突起的上表面,到所述后電極的表面的距離,b是所述凹槽的高度,c是所述突起的高度,d是在所述圖案層中從所述凹槽的下表面到所述襯底的厚度,滿足條件表達式(a+b)=W(c+d),其中W的值為0.17-0.43。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于LG伊諾特有限公司,未經LG伊諾特有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201080049288.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:場效應磁傳感器
- 下一篇:超聲波輔助稠油化學催化裂解靜態模擬實驗裝置及方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





