[發明專利]雙阱溝道分裂OTP存儲單元

有效

• 申請號: 201080049218.6
• 申請日: 2010-10-29
• 公開（公告）號: CN102612717A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 沃德克·庫爾賈諾韋茨
• 申請（專利權）人: 賽鼎矽公司
• 主分類號: G11C17/08
• 分類號: G11C17/08;G11C17/14
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;宋志強

1.一種存儲器件，包括：

第一類型的第一阱；

第二類型的第二阱；

形成于所述第二阱上方的反熔絲器件，具有被摻雜為所述第二類型的第一多晶硅柵極；以及

形成于所述第一阱上方的存取器件，具有用于將所述反熔絲器件電耦接至位線接觸器的第二多晶硅柵極。

2.根據權利要求1所述的存儲器件，其中所述反熔絲器件具有第一柵極氧化層，且所述存取器件具有第二柵極氧化層，所述第二柵極氧化層比所述第一柵極氧化層厚。

3.根據權利要求2所述的存儲器件，進一步包括形成于與所述第二阱相同的第三阱中的核心晶體管器件。

4.根據權利要求3所述的存儲器件，其中所述核心晶體管具有厚度與所述第一柵極氧化層基本相同的柵極氧化層。

5.根據權利要求2所述的存儲器件，進一步包括形成于與所述第一阱相同的第三阱中的輸入/輸出晶體管器件。

6.根據權利要求5所述的存儲器件，其中所述輸入/輸出晶體管器件具有厚度與所述第二柵極氧化層基本相同的柵極氧化層。

7.根據權利要求4所述的存儲器件，其中所述反熔絲器件和所述存取器件一起形成為具有可變厚度的柵極氧化層的溝道分裂反熔絲存儲單元。

8.根據權利要求4所述的存儲器件，其中所述存取器件通過擴散區被電連接至所述反熔絲器件。

9.根據權利要求8所述的存儲器件，其中所述擴散區包括向所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極延伸的輕摻雜漏極(LDD)區。

10.根據權利要求8所述的存儲器件，其中所述反熔絲器件包括具有形成于所述第二阱上的可變厚度的柵極氧化層的溝道分裂反熔絲存儲單元。

11.根據權利要求10所述的存儲器件，其中所述溝道分裂反熔絲存儲單元包括存取器件部分和反熔絲器件部分。

12.根據權利要求11所述的存儲器件，其中所述存取器件部分具有第三柵極氧化層，所述第三柵極氧化層比所述第一柵極氧化層厚。

13.根據權利要求12所述的存儲器件，其中所述第二柵極氧化層和所述第三柵極氧化層的厚度基本相同。

14.根據權利要求8所述的存儲器件，其中所述反熔絲器件的所述第一柵極氧化層在所述第一多晶硅柵極的整個長度的下方具有均勻的厚度。

15.根據權利要求14所述的存儲器件，其中所述擴散區包括向所述第二多晶硅柵極延伸的輕摻雜漏極(LDD)區。

16.根據權利要求15所述的存儲器件，其中所述擴散區省略了向所述第一多晶硅柵極延伸的LDD區。

17.根據權利要求16所述的存儲器件，其中所述反熔絲器件包括與所述第一多晶硅柵極相鄰形成的第一側壁間隔件，且所述存取器件包括與所述第二多晶硅柵極相鄰形成的第二側壁間隔件，所述第一側壁間隔件比所述第二側壁間隔件厚。

18.一種存儲器陣列，包括：

形成于第一類型的阱中的反熔絲器件；以及

形成于與所述第一類型相反的第二類型的阱中的存取器件，用于將所述反熔絲器件電連接至相應的位線。

19.根據權利要求18所述的存儲器陣列，其中所述反熔絲器件包括被摻雜為所述第一類型的多晶硅柵極。

20.根據權利要求18所述的存儲器陣列，其中所述反熔絲器件和所述存取器件中的每一個被形成為具有可變厚度的柵極氧化層的單晶體管反熔絲存儲單元，其中所述反熔絲器件具有第一柵極氧化層厚度，且所述存取器件具有大于所述第一柵極氧化層厚度的第二柵極氧化層厚度。