[發(fā)明專利]直列式成膜裝置、磁記錄介質(zhì)的制造方法以及閘閥無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201080047524.6 | 申請(qǐng)日: | 2010-12-01 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102597300A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 角田幸隆;上野諭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昭和電工株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C23C14/34 | 分類號(hào): | C23C14/34;F16K3/18;G11B5/85;G11B5/851 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 段承恩;劉蓉 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 直列式成膜 裝置 記錄 介質(zhì) 制造 方法 以及 閘閥 | ||
1.一種直列式成膜裝置,其特征在于,具備:
進(jìn)行成膜處理的多個(gè)腔室;
載體,其在所述多個(gè)腔室內(nèi)保持作為成膜對(duì)象的基板;
輸送機(jī)構(gòu),其在所述多個(gè)腔室之間依次輸送所述載體;和
閘閥,其設(shè)置于所述多個(gè)腔室之間,對(duì)所述載體所通過(guò)的通路進(jìn)行開(kāi)閉;
所述閘閥具有:設(shè)有形成所述通路的開(kāi)口部的一對(duì)分隔壁;在所述一對(duì)分隔壁之間被移動(dòng)操作的閥體;和在將所述開(kāi)口部封閉的位置與將所述開(kāi)口部開(kāi)放的位置之間驅(qū)動(dòng)所述閥體的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu);
所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)是氣缸機(jī)構(gòu),具有:連接于所述閥體的活塞;配置有所述活塞的缸;連接于所述缸內(nèi)的第1空間的第1閥機(jī)構(gòu);和連接于所述缸內(nèi)的第2空間的第2閥機(jī)構(gòu);
一邊經(jīng)由所述第1閥機(jī)構(gòu)向所述第1空間供給空氣,一邊經(jīng)由所述第2閥機(jī)構(gòu)從所述第2空間排出空氣,由此向所述閥體將所述開(kāi)口部封閉的一個(gè)方向按壓所述缸內(nèi)的活塞而使其移動(dòng);
另一方面,一邊經(jīng)由所述第2閥機(jī)構(gòu)向所述第2空間供給空氣,一邊經(jīng)由所述第1閥機(jī)構(gòu)從所述第1空間排出空氣,由此向所述閥體將所述開(kāi)口部開(kāi)放的另一個(gè)方向按壓所述缸內(nèi)的活塞而使其移動(dòng);
所述氣缸機(jī)構(gòu)在所述缸內(nèi)的活塞就要到達(dá)所述一個(gè)方向的端部之前,通過(guò)所述第2閥機(jī)構(gòu)對(duì)從所述第2空間排出的空氣的流量進(jìn)行節(jié)流;
另一方面,在所述缸內(nèi)的活塞就要到達(dá)所述另一個(gè)方向的端部之前,通過(guò)所述第1閥機(jī)構(gòu)對(duì)從所述第1空間排出的空氣的流量進(jìn)行節(jié)流。
2.如權(quán)利要求1所述的直列式成膜裝置,其特征在于:
所述第1閥機(jī)構(gòu)具有并列連接于所述缸內(nèi)的第1空間的第1開(kāi)閉閥以及第1流量調(diào)整閥;
所述第2閥機(jī)構(gòu)具有并列連接于所述缸內(nèi)的第2空間的第2開(kāi)閉閥以及第2流量調(diào)整閥;
所述氣缸機(jī)構(gòu)一邊經(jīng)由所述第1開(kāi)閉閥以及所述第1流量調(diào)整閥向所述第1空間供給空氣,一邊經(jīng)由所述第2開(kāi)閉閥以及所述第2流量調(diào)整閥從所述第2空間排出空氣,由此向所述閥體將所述開(kāi)口部封閉的一個(gè)方向按壓所述缸內(nèi)的活塞而使其移動(dòng),在該活塞就要到達(dá)所述一個(gè)方向的端部之前,通過(guò)將所述第2開(kāi)閉閥完全關(guān)閉而僅通過(guò)所述第2流量調(diào)整閥排氣;
另一方面,一邊經(jīng)由所述第2開(kāi)閉閥以及所述第2流量調(diào)整閥向所述第2空間供給空氣,一邊經(jīng)由所述第1開(kāi)閉閥以及所述第1流量調(diào)整閥從所述第1空間排出空氣,由此向所述閥體將所述開(kāi)口部開(kāi)放的另一個(gè)方向按壓所述缸內(nèi)的活塞而使其移動(dòng),在該活塞就要到達(dá)所述另一個(gè)方向的端部之前,通過(guò)將所述第1開(kāi)閉閥完全關(guān)閉而僅通過(guò)所述第1流量調(diào)整閥排氣。
3.如權(quán)利要求2所述的直列式成膜裝置,其特征在于:所述第1開(kāi)閉閥以及所述第2開(kāi)閉閥為電磁閥,所述第1流量調(diào)整閥以及所述第2流量調(diào)整閥為針閥。
4.如權(quán)利要求2或3所述的直列式成膜裝置,其特征在于:
具備導(dǎo)向機(jī)構(gòu),其具有與所述閥體一體移動(dòng)的移動(dòng)體以及和所述移動(dòng)體接合的導(dǎo)向孔,通過(guò)所述移動(dòng)體在所述導(dǎo)向孔內(nèi)移動(dòng),對(duì)所述閥體進(jìn)行導(dǎo)向,使其能夠向所述通路的切斷方向移動(dòng);
所述導(dǎo)向機(jī)構(gòu)具有在所述移動(dòng)體位于所述導(dǎo)向孔的至少一方的端部時(shí)與該移動(dòng)體抵接的樹(shù)脂擋塊。
5.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法,其特征在于:包括使用如權(quán)利要求1~4中的任意一項(xiàng)所述的直列式成膜裝置而在所述基板的表面至少形成磁性層的工序。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





