[發明專利]半導體封裝用環氧樹脂組合物、半導體裝置及脫模劑

無效

• 申請號: 201080047226.7
• 申請日: 2010-10-07
• 公開（公告）號: CN102575085A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 田部井純一
• 申請（專利權）人: 住友電木株式會社
• 主分類號: C08L63/00
• 分類號: C08L63/00;C08K3/00;C08L23/26;C08L83/04;H01L23/29;H01L23/31
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 苗堃;趙曦

技術領域

本發明涉及半導體封裝用環氧樹脂組合物、半導體裝置及脫模劑。

背景技術

在半導體包裝組裝工序中，通過在半導體芯片的鋁電極和內部引線之間熱壓接金屬線來進行電連接的方法現在成為主流。另外，近年來伴隨著電子器件的小型化、輕量化、高性能化的市場動向，電子部件的高集成化、多引腳化逐年發展。因此，要求比以前更復雜的焊線工序，使用銅制引線框時，由于在200～250℃的高溫狀態長時間暴露，因而銅表面的氧化更加進行。

這種狀況下，即使以往的對于未氧化的銅表面的粘合性優異的半導體封裝材料，對于表面狀態不同的氧化銅也常有粘合性差的情況，從而出現在樹脂封裝后除去鑄模時、回焊時引起剝離的問題。

用于抑制剝離的插入物與封裝材料樹脂的粘合性是與對于模具的脫模性相反的指標，因此，存在如果使粘合性提高則脫模性較差、成型性降低這類問題。采用電子部件的高集成化而銅框的氧化成為問題的以前，為了兼顧粘合性和脫模性，提出了添加氧化聚乙烯蠟以及α烯烴與馬來酸的共聚物的半酯化物作為脫模劑的方法。(例如參照專利文獻1、2。)根據該方法，雖然對未氧化的銅的粘合性和脫模性優異，但由于并用了氧化聚乙烯蠟，因而存在封裝樹脂對被氧化的銅框的粘合性降低的問題。而且，對于α烯烴部分短至碳原子為25個以下的共聚物脫模劑(例如參照專利文獻3)，存在連續成型性(通氣口堵塞等的脫模性)較差的問題。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特許第3975386號公報

專利文獻2：日本特許第4010176號公報

專利文獻3：日本特公昭61-52862號公報

發明內容

本發明是鑒于所述情況而完成的，要提供對氧化銅的粘合性良好并且脫模性、連續成型性也優異的半導體封裝用環氧樹脂組合物、及具備利用其進行了封裝的元件的半導體裝置以及脫模劑。

本發明人為了解決上述的課題，反復深入研究，結果發現，通過在半導體封裝用環氧樹脂組合物中使用特定的脫模劑能夠達到上述的目的，至此完成了本發明。

即，本發明如下。

[1]一種半導體封裝用環氧樹脂組合物，其含有(A)環氧樹脂、(B)固化劑、(C)無機填充材料、以及脫模劑，

其中，所述脫模劑含有(D)用碳原子數為10～25的長鏈脂肪族醇將碳原子數為28～60的α-烯烴與馬來酸酐的共聚物進行酯化而得的化合物。

[2]根據[1]所述的半導體封裝用環氧樹脂組合物，其進一步含有下述通式(Ⅰ)表示的硅氧烷加成聚合物改性物。

(式中，R¹～R²選自氫原子、碳原子數為1～55的取代或者無取代的烴基、亞烷基氧縮水甘油醚基以及環氧烷基，全部可以相同也可以不同。R³～R⁴選自氫原子、碳原子數為1～10的取代或者無取代的烴基、氨基、羧基、縮水甘油醚基以及烷基羧酸-4，4’-(1-甲基乙叉基)雙酚縮水二甘油醚基，全部可以相同也可以不同。n表示1～100的整數。)

[3]根據[1]或[2]所述的半導體封裝用環氧樹脂組合物，其中，相對于所述脫模劑的總量100質量％，所述(D)用碳原子數為10～25的長鏈脂肪族醇將碳原子數為28～60的α-烯烴與馬來酸酐的共聚物進行酯化而得的化合物的含量為55質量％～100質量％。

[4]根據[2]所述的半導體封裝用環氧樹脂組合物，其中，相對于所述半導體封裝用環氧樹脂組合物的總量100質量％，所述硅氧烷加成聚合物改性物的含量為0.1質量％～2質量％。

[5]根據[1]～[4]中任一項所述的半導體封裝用環氧樹脂組合物，其中，所述(A)環氧樹脂包含選自聯苯型環氧樹脂、對二甲苯型環氧樹脂以及具有亞聯苯基骨架的苯酚芳烷基型環氧樹脂中的至少一種。

[6]根據[1]～[5]中任一項所述的半導體封裝用環氧樹脂組合物，其用于具備含銅引線框的半導體裝置中的半導體元件的封裝。

[7]一種半導體裝置，其特征在于，用[1]～[6]中任一項所述的半導體封裝用環氧樹脂組合物的固化物封裝半導體元件。

[8]一種脫模劑，其含有(D)用碳原子數為10～25的長鏈脂肪族醇將碳原子數為28～60的α-烯烴與馬來酸酐的共聚物進行酯化而得的化合物。

[9]根據[8]所述的脫模劑，其用于半導體封裝用環氧樹脂組合物。