[發(fā)明專利]基板處理裝置及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080046511.7 | 申請日: | 2010-10-04 |
| 公開(公告)號: | CN102668026A | 公開(公告)日: | 2012-09-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 樸昞慜;孔斗源;孫成官;趙晃新;鄭成在;樸喜載 | 申請(專利權)人: | 韓商SNU精密股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/20 | 分類號: | H01L21/20;H01L31/042 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 郭蔚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
【技術領域】
本發(fā)明關于一種基板處理裝置以及一種基板處理方法,更具體而言,是關于一種能夠防止基板受熱并有效地收集殘余沉積材料的基板處理裝置及基板處理方法。
【背景技術】
太陽能電池(solar?cel1)系例如通過以下方式制成:形成硒(Se)或含Se化合物之一薄膜于一太陽能電池基板上,并將該Se薄膜圖案化成具有一預定圖案。更具體而言,通過例如化學氣相沉積(chemical?vapor?deposition;CVD)及物理氣相沉積(physical?vapor?deposition;PVD)等氣相沉積制程(vapor?deposition?process)而形成多數個薄膜層于一玻璃基板上。之后,將所述多個薄膜層圖案化以制造太陽能電池。
用于太陽能電池的沉積材料系在由一汽化器(vaporizer)加熱后以一汽化狀態(tài)供應至玻璃基板。由一加熱單元加熱該沉積材料之一傳送線(transfer?line)及一噴射單元(injection?unit),以傳送汽化的沉積材料至玻璃基板。因此,受到加熱的傳送線及噴射單元會升高腔室的內部溫度,導致置于腔室中的基板受熱。如此一來,會降低沉積材料的沉積效率。
由于沉積效率降低,未沉積于玻璃基板上而殘余的沉積材料可能會沉積于腔室的內壁上或腔室中各種組件的外表面上,進而會污染裝置并降低裝置的壽命。
【發(fā)明內容】
[技術問題]
本發(fā)明提供一種基板處理裝置以及一種基板處理方法,其能夠通過集中地冷卻用于執(zhí)行氣相沉積的腔室中的薄膜形成段而提升沉積材料的沉積效率,藉此防止置于薄膜形成段中的基板受熱。
本發(fā)明亦提供一種基板處理裝置及一種基板處理方法,其能夠通過為薄膜形成段設置一殘余沉積材料收集單元而防止殘余沉積材料造成污染,藉此延長裝置的壽命。
[技術解決方案]
根據一實例性實施例,一種基板處理裝置包括:一腔室單元,包括一內部空間,該內部空間包括一引入段、一薄膜形成段及一卸出段;至少一個材料噴嘴單元,設置于該腔室單元的該薄膜形成段中,用以噴射一沉積材料至所傳送的一基板;以及一冷卻板單元(cooling?plate?unit),設置成圍繞該腔室單元的該薄膜形成段并適以冷卻該薄膜形成段的內部。
該基板處理裝置可更包括:一上貫穿孔與一下貫穿孔,分別形成于該腔室單元的該薄膜形成段的一上表面與一下表面;以及一上封蓋與一下封蓋,分別可移除地安裝至該上貫穿孔與該下貫穿孔,其中該冷卻板單元包括至少一上冷卻板及一下冷卻板,該上冷卻板與該下冷卻板分別與該上封蓋與該下封蓋一體成型。
該冷卻板單元可包括一第一側面冷卻板及一第二側面冷卻板,該第一側面冷卻板與該第二側面冷卻板分別設置于該腔室單元的該引入段與該薄膜形成段之間以及該薄膜形成段與該卸出段之間。
該基板處理裝置可更包括:一第一側面貫穿孔與一第二側面貫穿孔,位于該腔室單元的一側壁上,并位于對應多個邊界的多個位置處,所述多個邊界介于該引入段與該薄膜形成段之間以及介于該薄膜形成段與該卸出段之間;以及一第一側面封蓋與一第二側面封蓋,分別可移除地安裝至該第一側面貫穿孔與該第二側面貫穿孔,其中該第一側面冷卻板與該第二側面冷卻板分別與該第一側面封蓋與該第二側面封蓋一體成型。
該腔室單元可更包括一滑軌,該滑軌形成于該腔室單元的一下部內表面,并位于對應所述多個邊界的多個位置處,所述多個邊界介于于該引入段與該薄膜形成段之間以及介于該薄膜形成段與該卸出段之間,且該第一側面冷卻板與該第二側面冷卻板通過在所述滑軌上滑動而進出于該腔室單元的該內部空間。
該基板處理裝置可更包括至少一個冷阱單元(cold?trap?unit),該至少一個冷阱單元設置于該材料噴嘴單元下方,用以收集未沉積于該基板上而殘余的該沉積材料。
根據另一實例性實施例,一種基板處理裝置包括:一腔室單元,包括一內部空間,該內部空間包括一引入段、一薄膜形成段及一卸出段;至少一個材料噴嘴單元,設置于該腔室單元的該薄膜形成段中,用以噴射一沉積材料至所傳送的一基板;以及至少一個冷阱單元,設置于該材料噴嘴單元下方,用以收集未沉積于該基板上而殘余的該沉積材料。
該冷阱單元可包括:一基準面(base?plane),設置成涵蓋一區(qū)域的一下部面積,該區(qū)域中設置有該材料噴嘴單元;多數個散熱片(heat?sink),垂直地安裝至該基準面;一冷卻路徑,形成于所述多個散熱片處,俾使一冷卻水于該冷卻路徑中流動;以及一支撐封蓋,適以支撐該基準面的至少一個側面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





