[發(fā)明專利]基板處理裝置及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080046511.7
• 申請日: 2010-10-04
• 公開（公告）號: CN102668026A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發(fā)明（設計）人: 樸昞慜;孔斗源;孫成官;趙晃新;鄭成在;樸喜載
• 申請（專利權）人: 韓商SNU精密股份有限公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L31/042
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 郭蔚

1.一種基板處理裝置，包括：

一腔室單元，包括一內部空間，該內部空間包括一引入段、一薄膜形成段及一卸出段；

至少一個材料噴嘴單元，設置于該腔室單元的該薄膜形成段中，用以噴射一沉積材料至所傳送的一基板；以及

一冷卻板單元，設置成圍繞該腔室單元的該薄膜形成段，并適以冷卻該薄膜形成段的內部。

2.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，更包括：

一上貫穿孔與一下貫穿孔，分別形成于該腔室單元的該薄膜形成段的一上表面與一下表面；以及

一上封蓋與一下封蓋，分別可移除地安裝至該上貫穿孔與該下貫穿孔，

其中該冷卻板單元包括至少一上冷卻板及一下冷卻板，該上冷卻板與該下冷卻板分別與該上封蓋與該下封蓋一體成型。

3.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，該冷卻板單元包括一第一側面冷卻板及一第二側面冷卻板，該第一側面冷卻板與該第二側面冷卻板分別設置于該腔室單元的該引入段與該薄膜形成段之間以及該薄膜形成段與該卸出段之間。

4.根據(jù)權利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，更包括：

一第一側面貫穿孔與一第二側面貫穿孔，位于該腔室單元的一側壁上，并位于對應多個邊界的多個位置處，所述多個邊界介于該引入段與該薄膜形成段之間以及介于該薄膜形成段與該卸出段之間；以及

一第一側面封蓋與一第二側面封蓋，分別可移除地安裝至該第一側面貫穿孔與該第二側面貫穿孔，

其中該第一側面冷卻板與該第二側面冷卻板分別與該第一側面封蓋與該第二側面封蓋一體成型。

5.根據(jù)權利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于，該腔室單元包括一滑軌，該滑軌形成于該腔室單元的一下部內表面，并位于對應所述多個邊界的多個位置處，所述多個邊界介于于該引入段與該薄膜形成段之間以及介于該薄膜形成段與該卸出段之間，且

該第一側面冷卻板與該第二側面冷卻板通過在所述滑軌上滑動而進出于該腔室單元的該內部空間。

6.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，更包括至少一個冷阱單元，該至少一個冷阱單元設置于該材料噴嘴單元下方，用以收集未沉積于該基板上而殘余的沉積材料。

7.一種基板處理裝置，包括：

一腔室單元，包括一內部空間，該內部空間包括一引入段、一薄膜形成段及一卸出段；

至少一個材料噴嘴單元，設置于該腔室單元的該薄膜形成段中，用以噴射一沉積材料至所傳送的一基板；以及

至少一個冷阱單元，設置于該材料噴嘴單元下方，用以收集未沉積于該基板上而殘余的沉積材料。

8.根據(jù)權利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，該冷阱單元包括：

一基準面，設置成涵蓋一區(qū)域的一下部面積，該區(qū)域中設置有該材料噴嘴單元；

多數(shù)個散熱片，垂直地安裝至該基準面；

一冷卻路徑，形成于所述多個散熱片處，俾使一冷卻水于該冷卻路徑中流動；以及

一支撐封蓋，適以支撐該基準面的至少一個側面。

9.根據(jù)權利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于，該腔室單元包括至少一個第三側面貫穿孔，該至少一個第三側面貫穿孔形成于該腔室單元的一側壁上，并位于設置有該材料噴嘴單元的該區(qū)域的一下部部分；以及

該支撐封蓋可移除地裝設至該第三側面貫穿孔，俾該冷阱單元可分離且一體化裝設于該支撐封蓋。

10.根據(jù)權利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于，所述多個散熱片相間隔地垂直安裝，

各該散熱片自該基準面延伸至長于該材料噴嘴單元的一長度，以及

所述多個散熱片的多個上端具有自該冷阱單元的二外部朝該冷阱單元的一中部逐漸減小的高度。

11.根據(jù)權利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于，該冷卻路徑形成于所述多個散熱片的外表面上，以面朝該冷阱單元的一中部。

12.根據(jù)權利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于，該腔室單元包括至少一個滑軌，該至少一個滑軌形成于該腔室單元的一下部內表面上，且位于設置有該冷阱單元的一位置處，且

該冷阱單元的該基準面通過在該滑軌上滑動而進出于該腔室單元的該內部空間。