[發(fā)明專利]碳化硅襯底

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080045944.0
• 申請日: 2010-09-28
• 公開（公告）號: CN102741973A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 井上博揮;原田真;佐佐木信;西口太郎;沖田恭子;并川靖生
• 申請（專利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C30B29/36;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種碳化硅襯底(1)，包括：

基礎(chǔ)層(10)，所述基礎(chǔ)層由碳化硅制成；以及

多個SiC層(20)，所述多個SiC層(20)當在平面視圖中看時并排地布置在所述基礎(chǔ)層(10)上并且每個SiC層(20)均由單晶碳化硅制成，

間隙(60)形成在相鄰的SiC層(20)之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅襯底(1)，其中所述間隙(60)具有等于或者小于1mm的寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅襯底(1)，其中所述間隙(60)具有等于或者小于所述碳化硅襯底(1)的厚度的2/3的深度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅襯底(1)，其中形成多個所述間隙(60)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳化硅襯底，其中：

所述多個間隙(60)包括延伸而沒有彼此交叉的至少一對間隙(60)，以及

所述一對間隙(60)之間的間隔為5mm或更大。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳化硅襯底(1)，其中所述多個間隙(60)包括彼此交叉的至少一對間隙(60)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的碳化硅襯底(1)，其中所述多個間隙(60)形成為當在平面視圖中看時以格子的形式彼此交叉。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅襯底(1)，其中所述基礎(chǔ)層(10)具有大于所述SiC層(20)中的每一個的雜質(zhì)密度的雜質(zhì)密度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅襯底(1)，其中所述基礎(chǔ)層(10)具有等于或大于1×10¹⁸atm/cm³的雜質(zhì)密度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅襯底(1)，其中所述SiC層(20)中的每一個具有主表面(20A)，所述主表面(20A)與所述基礎(chǔ)層(10)相反并且具有相對于{0001}面不小于50°并且不大于65°的偏離角。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的碳化硅襯底(1)，其中所述SiC層(20)中的每一個的與所述基礎(chǔ)層(10)相反的所述主表面(20A)具有形成相對于<1-100>方向的5°或更小的角度的偏離取向。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的碳化硅襯底(1)，其中所述SiC層(20)中的每一個的與所述基礎(chǔ)層(10)相反的所述主表面(20A)具有在<1-100>方向上相對于{03-38}面不小于-3°并且不大于5°的偏離角。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的碳化硅襯底(1)，其中所述SiC層(20)中的每一個的與所述基礎(chǔ)層(10)相反的所述主表面(20A)具有形成相對于<11-20>方向的5°或更小的角度的偏離取向。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅襯底(1)，其中所述SiC層(20)中的每一個的與所述基礎(chǔ)層(10)相反的所述主表面(20A)被拋光。