[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201080045152.3
• 申請日: 2010-10-07
• 公開（公告）號: CN102576684A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 瀨野良太
• 申請（專利權）人: 日亞化學工業株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L33/62
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 雒運樸

技術領域

本發明涉及一種半導體裝置及其制造方法，更詳細地，涉及一種具備使半導體裝置內部或與其它半導體元件之間被接合線接合的半導體元件的半導體裝置及其制造方法。

背景技術

在使用發光二極管等半導體元件的現有半導體裝置中，有一種在一個封裝內搭載有多個半導體元件的半導體裝置，已提出將這樣的多個半導體元件間由接合線接合進行連接的方法(例如，專利文獻1)。根據該方法，對多個半導體發光元件間進行接合線連接(接合線接合)時，首先，作為第一接合線從封裝的電極圖形的端子上楔形焊接到半導體發光元件的上部電極上。接著，在此楔形焊接部上將第二接合線重疊地進行球形焊接。由此，成為在半導體發光元件的上部電極上連接有由球形焊接所形成的球的結構，可防止該部分的接合線的薄膜化，實現接合線接合的接合強化。

另外，已提出了一種將通過球形焊接所形成的第一接合線的球頸由毛細管前端壓碎，再將其上所折疊的第一接合線側面壓在壓碎的球頸上，進而在其上焊接第二接合線的方法(例如，專利文獻2)。根據該方法，在焊接第二接合線時，利用壓在球頸的接合線的變形來緩和焊接的沖擊。由此，降低了半導體受到的損傷。另外，在焊接第二接合線時，利用毛細管的按壓力使第一接合線變形為進入毛細管中心孔的凸部，在進入毛細管中心孔的凸部和毛細管的內倒角部之間使第二接合線夾住地進行壓縮。

專利文獻1日本特開2002-353267號公報

專利文獻2日本特開2009-76783號公報

在專利文獻1記載的方法中，存在這樣的課題，即，當在半導體元件的電極上直接進行楔形焊接時，因上述電極的膜厚較薄而得不到穩定的接合。這是因為在電極的膜厚較薄的情況下，由于焊接時施加的負荷的作用，而使半導體損壞之虞存在。此外，在形成該半導體元件的半導體層的一面側具有正負雙方電極的類型的半導體元件的情況，由于一電極面的高度低于發光元件表面的高度，所以當在上述一電極面上進行上述楔形焊接時，由毛細管的前端部對半導體元件的階梯表面造成損傷這樣的不良情況會產生。另外，在專利文獻1記載的方法中，從楔形焊接部上重疊而進行球形焊接。因此，接合線的楔形焊接部和半導體元件表面的間隔變窄，在楔形焊接部和半導體元件之間，周邊部件等的散熱效率降低這樣的問題存在。

在專利文獻2記載的方法中，由于毛細管的中心為使接合線材料被供給的部分，因此，在焊接第二接合線時不能通過毛細管的中心進行按壓。因此，就第二接合線而言，由于成為在球頸的周邊部之上被接合的狀態，所以不能確保良好的接合狀態之虞存在。另外，就上述凸部周邊的第一接合線而言，由于在毛細管的面部和球部之間被壓縮，成為被壓碎得很薄的狀態，因此，在該部位接合線容易斷線這樣的問題存在。

發明內容

于是，本發明的目的在于提供一種具備多個焊接有接合線的半導體元件的半導體裝置，尤其提供接合線的接合強度高、且能夠實現充分的接合可靠性的半導體裝置及其制造方法。

本發明涉及一種半導體裝置，該半導體裝置包含：第一接合線，其一端被焊接在電極上，另一端被焊接在上述電極外的第二焊接點；第二接合線，其一端被焊接在電極上的第一接合線上，另一端被焊接在該電極外的第三焊接點，并且第二接合線的一端的焊接部覆蓋第一接合線的上面及側面的至少一部分。根據該結構，不管半導體元件的電極位置，都能夠減少接合線數及長度，并且，能夠確保接合線的充分的接合面積，因此，能夠提高接合線的接合強度。

另外，優選的是，第一接合線具有：一端被焊接在上述電極上的球部；從該球部向與第二焊接點不同的方向延伸后在上述球部上折回的折回部，第二接合線的一端被焊接在上述折回部上，且第二接合線覆蓋折回部的與第二焊接點相反側的側面的至少一部分。

根據該結構能夠進一步提高接合線的接合強度。

另外，優選的是，折回部具有：從球部上向與接合線的延伸方向相反方向引出的下部、和從下部伸出的接合線在球部上被折回而成的上部，第二接合線的前端，至少覆蓋第二接合線的延伸方向相反側的折回部的下部。根據該結構，能夠提高接合線的接合強度。

優選的是，第二接合線的前端至少覆蓋球部。另外，優選的是，第二接合線的前端至少覆蓋球部。根據該結構，能夠提高接合線的接合強度。

優選的是，第二接合線在第二接合線的延伸方向側的折回部上以大致水平的方式設置。根據該結構，能夠降低接合線上的應力，因此，能夠防止接合線的斷線等。