[發明專利]中和還原劑及脫污方法

無效

• 申請號: 201080044880.2
• 申請日: 2010-09-24
• 公開（公告）號: CN102550137A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 西條義司;山本久光;內海雅之
• 申請（專利權）人: 上村工業株式會社
• 主分類號: H05K3/42
• 分類號: H05K3/42;C09K3/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李帆

1.一種中和還原劑，其用于在對被鍍物用氧化劑進行脫污處理后，對吸附殘留在被鍍物上的氧化劑成分進行中和還原，其特征在于，含有硫代酰胺化合物及非芳香族硫醇化合物。

2.權利要求1所述的中和還原劑，其特征在于，硫代酰胺化合物是選自硫脲、二甲基硫脲、二乙基硫脲、三甲基硫脲、乙酰基硫脲、烯丙基硫脲、亞乙基硫脲、氨基硫脲及四甲基硫脲的1種或2種以上，非芳香族硫醇化合物是選自2-巰基乙醇、甲硫醇、乙硫醇、丁硫醇、正辛硫醇、正十二烷基硫醇、叔十二烷基硫醇、十六烷基硫醇、巰基乙酸、巰基琥珀酸、巰基乳酸以及它們的水溶性鹽的1種或2種以上。

3.權利要求1或2所述的中和還原劑，其特征在于，還含有選自無機酸及有機酸的1種或2種以上。

4.權利要求1至3中任一項所述的中和還原劑，其特征在于，pH為4以下。

5.權利要求1至4中任一項所述的中和還原劑，其特征在于，氧化劑為高錳酸鹽。

6.權利要求1至5中任一項所述的中和還原劑，其特征在于，被鍍物為具有通孔或盲孔的印刷電路板。

7.一種脫污方法，其特征在于，該方法包括：在對被鍍物用氧化劑進行脫污除去處理后，對吸附殘留在被鍍物上的氧化劑成分采用權利要求1至6中任一項所述的中和還原劑進行中和還原的工序。