[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件、其制造方法及其制造裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080044368.8
• 申請日: 2010-10-02
• 公開（公告）號: CN102549756A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 佐佐木勝
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/316;H01L21/336
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;彭益群

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件、制造半導(dǎo)體器件的方法、和用于制造該半導(dǎo)體器件的裝置。

背景技術(shù)

PTL?1公開了一種制造半導(dǎo)體器件的方法。在該方法中，在半導(dǎo)體基板上形成金屬配線。然后，在半導(dǎo)體基板上形成等離子TEOS膜以覆蓋金屬配線。在等離子TEOS膜上形成有機(jī)SOG膜之后，對有機(jī)SOG膜進(jìn)行回蝕。在蝕刻過程中，物質(zhì)X在有機(jī)SOG膜和等離子TEOS膜上沉積。為了將沉積的物質(zhì)X去除，施加2.2托(torr)的氧等離子體。此公開的內(nèi)容全部并入本文以作參考。

引用列表

專利文件

PTL?1：日本專利申請公開第10-22382號

發(fā)明內(nèi)容

問題的解決方案

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，制造半導(dǎo)體器件的方法包括通過柵極絕緣膜在基板的表面上形成柵電極，在柵電極的側(cè)表面上形成絕緣膜，并將氧等離子體暴露到基板的表面上。基板表面附近的氧等離子體的電子溫度等于或低于約1.5eV。絕緣膜可以是偏置間隔物(offset?spacer)、側(cè)壁間隔物、或偏置間隔物上形成的側(cè)壁間隔物。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，半導(dǎo)體器件包括具有源極區(qū)域和漏極區(qū)域的半導(dǎo)體基板。隔著柵極絕緣膜在半導(dǎo)體基板的表面上形成柵電極。在柵電極的側(cè)表面上形成絕緣膜。在源極區(qū)域和漏極區(qū)域上的表面區(qū)域基本上不含有氧化部分。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，用于制造半導(dǎo)體器件的裝置包括被配置為隔著柵極絕緣膜在基板表面上形成柵電極的單元，被配置為在柵電極的側(cè)表面上形成絕緣膜的單元，和被配置為將氧等離子體暴露至基板表面上的單元。絕緣膜可以是偏置間隔物、側(cè)壁間隔物、或偏置間隔物上所形成的側(cè)壁間隔物。基板表面附近的氧等離子體的電子溫度等于或低于約1.5eV。

附圖說明

在結(jié)合所附的附圖考慮時，參照以下的詳細(xì)描述會更好地理解本發(fā)明，從而將會容易地得到對本發(fā)明更完整的理解及其許多附帶優(yōu)點(diǎn)。

[圖1-A]圖1A是闡釋根據(jù)本發(fā)明的實施方式制造半導(dǎo)體器件的方法的圖解。

[圖1-B]圖1B是闡釋根據(jù)本發(fā)明的實施方式制造半導(dǎo)體器件的方法的圖解。

[圖1-C]圖1C是闡釋根據(jù)本發(fā)明的實施方式制造半導(dǎo)體器件的方法的圖解。

[圖1-D]圖1D是闡釋根據(jù)本發(fā)明的實施方式制造半導(dǎo)體器件的方法的圖解。

[圖1-E]圖1E是闡釋根據(jù)本發(fā)明的實施方式制造半導(dǎo)體器件的方法的圖解。

[圖1-F]圖1F是闡釋根據(jù)本發(fā)明的實施方式制造半導(dǎo)體器件的方法的圖解。

[圖1-G]圖1G是闡釋根據(jù)本發(fā)明的實施方式制造半導(dǎo)體器件的方法的圖解。

[圖2-A]圖2-A顯示不同壓力下的沉積物去除速率。

[圖2-B]圖2-B顯示不同壓力下的沉積物去除速率。

[圖2-C]圖2-C顯示不同壓力下的氧化量。

[圖2-D]圖2-C顯示不同壓力下的氧化量。

[圖3]圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明實施方式的用于制造半導(dǎo)體器件的裝備的示意平面圖。

[圖4]圖4是RLSA蝕刻裝置的示意剖視圖。

[圖5]圖5是圖4所示的RLSA蝕刻裝置的部分放大圖解。

[圖6]圖6是用于圖4所示的RLSA蝕刻裝置中的縫隙天線的平面視圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將參照所附附圖對實施方式進(jìn)行描述，其中在各圖中，相似的附圖標(biāo)記標(biāo)志著對應(yīng)的或相同的元件。

參照圖1-A至1-G，根據(jù)本發(fā)明實施方式的制造半導(dǎo)體器件，例如MOSFET，的方法。參照圖1-A，經(jīng)柵極絕緣膜202，例如二氧化硅(SiO₂)膜，在基板W的表面212上形成由聚Si制成的柵電極203。然后，參照圖1-B，通過供應(yīng)氣體，例如含Si氣體(比如SiH₄和氧氣)，在RLSA?CVD裝置中使用化學(xué)氣相沉積在柵電極203和表面212上沉積二氧化硅(SiO₂)220。RLSA?CVD裝置包括徑向線縫隙天線(Radial?Line?Slot?Antenna)。