[發明專利]半導體器件、其制造方法及其制造裝置

有效

• 申請號: 201080044368.8
• 申請日: 2010-10-02
• 公開（公告）號: CN102549756A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 佐佐木勝
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/316;H01L21/336
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;彭益群

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

隔著柵極絕緣膜在基板的表面上形成柵電極；

在所述柵電極的側表面上形成絕緣膜；和

將氧等離子體暴露到所述基板的所述表面上，所述基板的所述表面附近的氧等離子體的電子溫度等于或低于約1.5eV。

2.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中所述絕緣膜是偏置間隔物。

3.根據權利要求2所述的制造半導體器件的方法，其中在所述偏置間隔物上形成側壁間隔物。

4.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中所述絕緣膜是側壁間隔物。

5.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中使用通過用徑向線縫隙天線所產生的表面波微波等離子體來進行暴露所述氧等離子體的工序。

6.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中進行具有約100毫托或更大壓力的所述氧等離子體的沖洗。

7.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中偏置間隔物和側壁間隔物中的至少一個在處理室中形成，并且其中在所述處理室中對所述氧等離子體進行沖洗。

8.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中將所述氧等離子體沖洗到其下的基板包含Si的表面上。

9.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中距離所述基板的所述表面20mm處的所述氧等離子體的電子溫度為約1.0eV至約1.5eV。

10.根據權利要求9所述的制造半導體器件的方法，其中距離所述基板的所述表面20mm處的所述氧等離子體的電子溫度為約1.0eV至約1.2eV。

11.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中所述基板放置在基座上，在對所述氧等離子體進行沖洗時所述基座的溫度為約20攝氏度至約30攝氏度。

12.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中產生等離子體的微波功率為約2000W至約3000W。

13.一種半導體器件，包括：

具有源極區域和漏極區域的半導體基板；

隔著柵極絕緣膜形成于所述半導體基板的表面上的柵電極；

形成于所述柵電極的側表面上的絕緣膜；和

所述源極區域和所述漏極區域上的基本上不包含氧化部分的表面區域。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中所述氧化部分的厚度小于約1nm。

15.一種用于制造半導體器件的裝置，所述裝置包括：

被配置為隔著柵極絕緣膜在基板的表面上形成柵電極的單元；

被配置為在所述柵電極的側表面上形成絕緣膜的單元；和

被配置為將氧等離子體暴露至所述基板的所述表面上的單元，所述基板的所述表面附近的所述氧等離子體的電子溫度等于或低于約1.5eV。