[發(fā)明專利]表面波等離子體CVD設(shè)備以及成膜方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080044034.0
• 申請日: 2010-10-04
• 公開（公告）號: CN102549194A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鈴木正康
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社島津制作所
• 主分類號: C23C16/511
• 分類號: C23C16/511
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及表面波等離子體CVD設(shè)備和使用該設(shè)備的成膜方法。

背景技術(shù)

從現(xiàn)有技術(shù)(參照專利文獻#1和專利文獻#2)實質(zhì)已知利用表面波等離子體的CVD設(shè)備。在這樣的表面波等離子體CVD設(shè)備中，微波通過設(shè)置至真空室的電介質(zhì)窗導入，并且微波沿著等離子體和電介質(zhì)窗之間的界面?zhèn)鞑楸砻娌?。結(jié)果，在電介質(zhì)窗附近產(chǎn)生高密度等離子體。上面要形成膜(即，將是成膜對象)的基板以固定的配置布置在與電介質(zhì)窗相對的位置處。

引用列表

專利文獻

專利文獻#1：日本特開2005-142448號公報；

專利文獻#2：日本特開2007-317499號公報。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

然而，等離子體的密度分布不一定是空間均勻的：例如，密度可以在室的壁面旁邊的外周區(qū)域中降低。由此，必要的是，將電介質(zhì)板的面積設(shè)定成比將是成膜對象的基板的面積大，并且難以將設(shè)備控制成在例如液晶玻璃基板的大于大約2.5m²等的面積上產(chǎn)生均勻的高密度等離子體，并且這還可以構(gòu)成成本增加的原因。此外，在諸如室壁之類的導體存在于電介質(zhì)板的邊緣處時，表面波等離子體中的電子被該導體吸收，結(jié)果，等離子體的密度在導體的表面附近降低。此外，存在如下問題：由于電子被導體吸收，因此等離子體的平均密度還在整個等離子體區(qū)域上降低。

用于解決問題的方案

(1)根據(jù)本發(fā)明的第一方面，一種表面波等離子體CVD設(shè)備，其包括：波導，所述波導連接于微波源，多個槽縫天線形成在所述波導的磁場平面上；電介質(zhì)板，所述電介質(zhì)板用于將從所述多個槽縫天線發(fā)射的微波引導到等離子體處理室中，從而產(chǎn)生表面波等離子體；絕緣遮蔽構(gòu)件，所述絕緣遮蔽構(gòu)件配置成包圍產(chǎn)生所述表面波等離子體的成膜處理區(qū)域；以及氣體噴射部，所述氣體噴射部將處理材料氣體噴射到所述成膜處理區(qū)域中。

(2)根據(jù)本發(fā)明的第二方面，在根據(jù)第一方面的表面波等離子體CVD設(shè)備中，優(yōu)選的是，所述絕緣遮蔽構(gòu)件由板狀的絕緣材料制成，并且所述表面波等離子體CVD設(shè)備還包括配置在所述成膜處理區(qū)域的端部的支撐構(gòu)件；所述絕緣遮蔽構(gòu)件能拆裝地裝配于所述支撐構(gòu)件的朝向所述成膜處理區(qū)域的側(cè)面。

(3)根據(jù)本發(fā)明的第三方面，在根據(jù)第二方面的表面波等離子體CVD設(shè)備中，優(yōu)選的是，所述絕緣遮蔽構(gòu)件是薄玻璃板。

(4)根據(jù)本發(fā)明的第四方面，在根據(jù)第二方面的表面波等離子體CVD設(shè)備中，優(yōu)選的是，所述絕緣遮蔽構(gòu)件是表面涂敷有絕緣膜的薄金屬板。

(5)根據(jù)本發(fā)明的第五方面，在根據(jù)第二方面的表面波等離子體CVD設(shè)備中，優(yōu)選的是，所述絕緣遮蔽構(gòu)件是薄絕緣塑料板。

(6)根據(jù)本發(fā)明的第六方面，在根據(jù)第一方面至第五方面中的任一方面的表面波等離子體CVD設(shè)備中，優(yōu)選的是，所述氣體噴射部設(shè)置至所述支撐構(gòu)件。

(7)根據(jù)本發(fā)明的第七方面，根據(jù)第一方面至第六方面中的任一方面的表面波等離子體CVD設(shè)備優(yōu)選地還包括：移動裝置，所述移動裝置執(zhí)行將是成膜對象的板狀基板的來回運動，使得將是成膜對象的所述基板經(jīng)過所述成膜處理區(qū)域，以及控制裝置，所述控制裝置根據(jù)成膜條件控制由所述移動裝置進行的將是成膜對象的所述基板的所述來回運動。

(8)根據(jù)本發(fā)明的第八方面，在根據(jù)第一方面至第五方面中的任一方面的表面波等離子體CVD設(shè)備中，優(yōu)選的是，所述電介質(zhì)板近似地形成為矩形，并且所述絕緣遮蔽構(gòu)件配置成將所述成膜處理區(qū)域包圍成矩形形狀；并且所述表面波等離子體CVD設(shè)備還包括：多個氣體噴射部，所述多個氣體噴射部沿著所述成膜處理區(qū)域的至少一個長邊設(shè)置，所述多個氣體噴射部將處理材料氣體噴射到所述成膜處理區(qū)域中；移動裝置，所述移動裝置執(zhí)行將是成膜對象的板狀基板的在與被所述絕緣遮蔽構(gòu)件包圍成矩形形狀的所述成膜處理區(qū)域的所述長邊正交的方向上的來回運動，使得將是成膜對象的所述基板經(jīng)過所述成膜處理區(qū)域；以及控制裝置，所述控制裝置根據(jù)成膜條件控制由所述移動裝置進行的將是成膜對象的所述基板的所述來回運動。