[發明專利]表面波等離子體CVD設備以及成膜方法

無效

• 申請號: 201080044034.0
• 申請日: 2010-10-04
• 公開（公告）號: CN102549194A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 鈴木正康
• 申請（專利權）人: 株式會社島津制作所
• 主分類號: C23C16/511
• 分類號: C23C16/511
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種表面波等離子體CVD設備，其包括：

波導，所述波導連接于微波源，多個槽縫天線形成于所述波導的磁場平面上；

電介質板，所述電介質板用于將從所述多個槽縫天線發射的微波引導到等離子體處理室中，從而產生表面波等離子體；

絕緣遮蔽構件，所述絕緣遮蔽構件配置成包圍產生所述表面波等離子體的成膜處理區域；以及

氣體噴射部，所述氣體噴射部將處理材料氣體噴射到所述成膜處理區域中。

2.根據權利要求1所述的表面波等離子體CVD設備，其特征在于，

所述絕緣遮蔽構件由板狀的絕緣材料制成，并且所述表面波等離子體CVD設備還包括配置在所述成膜處理區域的端部的支撐構件；

所述絕緣遮蔽構件能拆裝地裝配于所述支撐構件的朝向所述成膜處理區域的側面。

3.根據權利要求2所述的表面波等離子體CVD設備，其特征在于，所述絕緣遮蔽構件是薄玻璃板。

4.根據權利要求2所述的表面波等離子體CVD設備，其特征在于，所述絕緣遮蔽構件是表面涂敷有絕緣膜的薄金屬板。

5.根據權利要求2所述的表面波等離子體CVD設備，其特征在于，所述絕緣遮蔽構件是薄絕緣塑料板。

6.根據權利要求1至5中的任一項所述的表面波等離子體CVD設備，其特征在于，所述氣體噴射部設置至所述支撐構件。

7.根據權利要求1至6中的任一項所述的表面波等離子體CVD設備，其特征在于，所述表面波等離子體CVD設備還包括：

移動裝置，所述移動裝置執行將是成膜對象的板狀基板的來回運動，使得將是成膜對象的所述基板經過所述成膜處理區域，以及

控制裝置，所述控制裝置根據成膜條件控制由所述移動裝置進行的將是成膜對象的所述基板的所述來回運動。

8.根據權利要求1至5中的任一項所述的表面波等離子體CVD設備，其特征在于，所述電介質板近似地形成為矩形，并且所述絕緣遮蔽構件配置成將所述成膜處理區域包圍成矩形形狀；并且所述表面波等離子體CVD設備還包括：

多個氣體噴射部，所述多個氣體噴射部沿著所述成膜處理區域的至少一個長邊設置，所述多個氣體噴射部將處理材料氣體噴射到所述成膜處理區域中；

移動裝置，所述移動裝置執行將是成膜對象的板狀基板的在與被所述絕緣遮蔽構件包圍成矩形形狀的所述成膜處理區域的所述長邊正交的方向上的來回運動，使得將是成膜對象的所述基板經過所述成膜處理區域；以及

控制裝置，所述控制裝置根據成膜條件控制由所述移動裝置進行的將是成膜對象的所述基板的所述來回運動。

9.根據權利要求1至5中的任一項所述的表面波等離子體CVD設備，其特征在于，所述電介質板由近似矩形的第一電介質板和近似矩形的第二電介質板組成，所述第一電介質板和所述第二電介質板以它們的長邊彼此相鄰的方式并排地配置，并且所述絕緣遮蔽構件配置成將所述成膜處理區域包圍成矩形形狀；并且所述表面波等離子體CVD設備還包括：

分隔壁，所述分隔壁配置在并排地配置的第一矩形電介質板和第二矩形電介質板之間，并且所述分隔壁將所述成膜處理區域分成沿著所述來回運動的方向并排地配置的第一分隔區域和第二分隔區域；

多個氣體噴射部，所述多個氣體噴射部沿著所述成膜處理區域的相應長邊設置，所述多個氣體噴射部將處理材料氣體噴射到所述第一分隔區域和所述第二分隔區域二者中；

移動裝置，所述移動裝置執行將是成膜對象的板狀基板的在與被所述絕緣遮蔽構件包圍成矩形形狀的所述成膜處理區域的所述長邊正交的方向上的來回運動，使得將是成膜對象的所述基板經過所述成膜處理區域；以及

控制裝置，所述控制裝置根據成膜條件控制由所述移動裝置進行的將是成膜對象的所述基板的所述來回運動。