[發(fā)明專利]二維通信用低介電薄片及其制造方法、通信用薄片結(jié)構(gòu)體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080043986.0
• 申請日: 2010-09-29
• 公開（公告）號: CN102549949A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 兒玉清明;齋藤誠;請井博一;富田俊彥
• 申請（專利權(quán)）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H04B13/00
• 分類號: H04B13/00;H04B5/02;H01B3/00
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種二維通信用低介電薄片，其特征在于，其密度為0.01～0.2g/cm³，介電常數(shù)為1.6以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維通信用低介電薄片，其特征在于，其介質(zhì)損耗角正切為0.01以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維通信用低介電薄片，其特征在于，其含有氣泡。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的二維通信用低介電薄片，其中，氣泡的平均泡孔直徑為1～300μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維通信用低介電薄片，其特征在于，其由熱塑性樹脂組合物形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的二維通信用低介電薄片，其特征在于，所述熱塑性樹脂組合物至少包含聚烯烴系樹脂。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維通信用低介電薄片，其中，其在至少單面具有導(dǎo)電層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的二維通信用低介電薄片，其中，所述導(dǎo)電層的表面電阻率等于或小于1Ω/1cm²。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的二維通信用低介電薄片，其特征在于，所述導(dǎo)電層的厚度為0.1mm以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維通信用低介電薄片，其中，彎曲剛度為100N·mm²以下。

11.一種通信用薄片結(jié)構(gòu)體，其使用了權(quán)利要求1所述的二維通信用低介電薄片。

12.一種二維通信用低介電薄片的制造方法，其特征在于，其為由樹脂發(fā)泡體形成的二維通信用低介電薄片的制造方法，使樹脂組合物發(fā)泡成形，從而形成密度為0.01～0.2g/cm³，介電常數(shù)為1.6以下的樹脂發(fā)泡體。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的二維通信用低介電薄片的制造方法，其使用高壓氣體使樹脂組合物發(fā)泡。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的二維通信用低介電薄片的制造方法，其中，高壓氣體為二氧化碳或氮氣。

15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的二維通信用低介電薄片的制造方法，其中，高壓氣體為超臨界流體。