[發(fā)明專利]電極箔及使用該電極箔的電容器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080043921.6 | 申請日: | 2010-10-05 |
| 公開(公告)號: | CN102549692A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 上口洋輝;大島章義 | 申請(專利權(quán))人: | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H01G9/04 | 分類號: | H01G9/04;H01G9/055 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電極 使用 電容器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電極箔及使用該電極箔的電容器。
背景技術(shù)
對于在個人計算機的CPU周圍使用的具有低等效串聯(lián)電阻的固體電解電容器、用于電源電路的平穩(wěn)用等的鋁電解電容器等的電容器而言,強烈要求其具有小型但大電容化的結(jié)構(gòu)。
固體電解電容器具有:在表面形成有電介質(zhì)膜的電極箔(陽極)、由形成在電介質(zhì)膜上的導(dǎo)電性高分子構(gòu)成的固體電解質(zhì)層、形成在該固體電解質(zhì)層上的陰極層。
圖11是專利文獻1中記載的以往的電極箔1的示意剖視圖。電極箔1具有:由閥作用金屬箔構(gòu)成的基材2、形成在基材2上的粗膜層3、形成在粗膜層3上的電介質(zhì)膜?;?和粗膜層3作為固體電解電容器的陽極發(fā)揮功能。
粗膜層3通過蒸鍍形成,其由從基材2的表面相連接的多個金屬微粒4構(gòu)成。粗膜層3具有分支成多個分支的結(jié)構(gòu)。由此,能夠擴大電極箔1的每單位面積的表面積,從而能夠?qū)崿F(xiàn)高電容的電容器。
電介質(zhì)膜可以通過將粗膜層3的金屬微粒4陽極氧化并利用金屬氧化物覆蓋粗膜層3的表面而形成。
由電極箔1制作的電容器的漏電流存在變大的情況。
【在先技術(shù)文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2008-258404號公報
發(fā)明內(nèi)容
電極箔具備由金屬構(gòu)成的基材和形成在基材的表面上且由多個金屬微粒構(gòu)成的粗膜層。粗膜層具有:下層、比下層遠離基材且設(shè)置在下層上的中間層、比中間層遠離基材且設(shè)置在中間層上的上層。位于中間層的金屬微粒的粒子直徑的最頻值比位于下層和上層的微粒的粒子直徑的最頻值大。
通過該電極箔能夠獲得漏電流小的電容器。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的實施方式1的電容器的立體圖。
圖2A是實施方式1的電容器的電容器元件的俯視圖。
圖2B是圖2A所示的電容器元件的線2B-2B處的剖視圖。
圖3是實施方式1的電容器元件的電極箔的示意剖視圖。
圖4是實施方式1的電極箔的放大圖。
圖5是表示實施方式1的電極箔的金屬微粒的粒子直徑的分布的圖。
圖6是表示基于實施方式1的電極箔的評價結(jié)果的圖。
圖7是實施方式1的另一電極箔的示意剖視圖。
圖8是實施方式1的又一電極箔的示意剖視圖。
圖9是本發(fā)明的實施方式2的電容器的分解立體圖。
圖10A是本發(fā)明的實施方式3的電極箔的示意剖視圖。
圖10B是實施方式3的其他電極箔的示意剖視圖。
圖11是以往的電容器的電極箔的示意剖視圖。
具體實施方式
(實施方式1)
圖1是本發(fā)明的實施方式1的電容器7的立體圖。電容器7具備層疊后的多個平板狀的電容器元件6。電容器元件6具有陽極電極部10和陰極電極部12。多個電容器元件6的各個陽極電極部10通過激光焊接與陽極公共端子(anode?common?terminal)15連接。在多個電容器元件6的陰極電極部12連接有陰極公共端子16。陰極公共端子16具有:搭載電容器元件6的搭載部分、將搭載部分的兩側(cè)面向上方折彎而形成的折彎部16A。陰極公共端子16的搭載部分與電容器元件6的陰極電極部12之間、折彎部16A與陰極電極部12之間、多個電容器元件6的陰極電極部12間通過導(dǎo)電性粘接材料631接合。
陽極公共端子15和陰極公共端子16與多個電容器元件6一起被由絕緣性樹脂構(gòu)成的外裝樹脂體17一體地覆蓋。陽極公共端子15和陰極公共端子16分別具有從外裝樹脂體17露出的陰極端子部115和陰極端子部116。陰極端子部115和陰極端子部116沿著外裝樹脂體17折彎而到達外裝樹脂體17的底面,從而構(gòu)成表面安裝型的電容器7。
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