[發(fā)明專(zhuān)利]電極箔及使用該電極箔的電容器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201080043921.6 | 申請(qǐng)日: | 2010-10-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102549692A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 上口洋輝;大島章義 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01G9/04 | 分類(lèi)號(hào): | H01G9/04;H01G9/055 |
| 代理公司: | 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電極 使用 電容器 | ||
1.一種電極箔,其特征在于,具備:
由金屬構(gòu)成的基材;
形成在所述基材的表面上的由多個(gè)金屬微粒構(gòu)成的粗膜層,所述粗膜層具有:
下層;
比所述下層遠(yuǎn)離所述基材且設(shè)置在所述下層上的中間層;
比所述中間層遠(yuǎn)離所述基材且設(shè)置在所述中間層上的上層;
所述多個(gè)金屬微粒包括:
位于所述下層的多個(gè)第一微粒;
位于所述中間層的多個(gè)第二微粒;
位于所述上層的多個(gè)第三微粒;
所述多個(gè)第二微粒的粒子直徑的最頻值比所述多個(gè)第一微粒的粒子直徑的最頻值和所述多個(gè)第三微粒的粒子直徑的最頻值大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極箔,其特征在于,
所述粗膜層還具有與所述基材的表面接合的密接層,
所述多個(gè)金屬微粒還包括位于所述密接層的多個(gè)第四微粒,
所述多個(gè)第四微粒的粒子直徑的最頻值比所述多個(gè)第二微粒的粒子直徑的最頻值大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極箔,其特征在于,
所述中間層的膜厚比所述下層的膜厚小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極箔,其特征在于,
所述中間層的膜厚比所述上層的膜厚小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極箔,其特征在于,
所述下層由多個(gè)第一部分結(jié)構(gòu)體構(gòu)成,所述多個(gè)第一部分結(jié)構(gòu)體通過(guò)所述多個(gè)第一微粒相連而形成且具有在彎曲的同時(shí)分別向遠(yuǎn)離所述基材的所述表面的方向延伸的柱形狀,
所述上層由多個(gè)第二部分結(jié)構(gòu)體構(gòu)成,所述多個(gè)第二部分結(jié)構(gòu)體通過(guò)所述多個(gè)第三微粒相連而形成且具有在彎曲的同時(shí)分別向遠(yuǎn)離所述基材的所述表面的方向延伸的柱形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極箔,其特征在于,
所述粗膜層由多個(gè)結(jié)構(gòu)體構(gòu)成,所述多個(gè)結(jié)構(gòu)體由所述多個(gè)金屬微粒相連而形成且分別從所述基材的所述表面延伸到所述上層。
7.一種電容器,其特征在于,具備:
電極箔,其具有由金屬構(gòu)成的基材和形成在所述基材的表面上的由多個(gè)金屬微粒構(gòu)成的粗膜層;
設(shè)置在所述粗膜層上的電介質(zhì)膜;
設(shè)置在所述電介質(zhì)膜上的電解質(zhì);
隔著所述電解質(zhì)與所述電介質(zhì)膜對(duì)置的電極,
所述粗膜層具有:
下層;
比所述下層遠(yuǎn)離所述基材且設(shè)置在所述下層上的中間層;
比所述中間層遠(yuǎn)離所述基材且設(shè)置在所述中間層上的上層;
所述多個(gè)金屬微粒包括:
位于所述下層的多個(gè)第一微粒;
位于所述中間層的多個(gè)第二微粒;
位于所述上層的多個(gè)第三微粒;
所述多個(gè)第二微粒的粒子直徑的最頻值比所述多個(gè)第一微粒的粒子直徑的最頻值和所述多個(gè)第三微粒的粒子直徑的最頻值大。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電容器,其特征在于,
還具備設(shè)置在所述電極箔與所述電極之間的間隔件,
所述電解質(zhì)是浸滲于所述間隔件且與所述電介質(zhì)膜和所述電極接觸的驅(qū)動(dòng)用電解液。
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