[發(fā)明專利]用于Western印跡的納米纖維膜及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080043816.2
• 申請日: 2010-09-16
• 公開（公告）號: CN102574067A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鞠重基;趙紀云;金燦;徐尚哲;金哲賢;徐寅踴;李承勳;金允譓;樸奏映
• 申請（專利權(quán)）人: 阿莫麥迪有限公司;阿莫綠色技術(shù)有限公司
• 主分類號: B01D67/00
• 分類號: B01D67/00;B01D71/00;C08J7/12;G01N33/53
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204
• 代理人: 王達佐;陰亮

1.制備用于Western印跡的膜的方法，所述方法包括如下步驟：

將疏水性聚合物溶解于溶劑中以制備紡絲溶液；

使所述紡絲溶液經(jīng)過紡絲過程以獲得疏水性聚合物納米纖維網(wǎng)；以及

將獲得的所述納米纖維網(wǎng)壓延以獲得用于Western印跡的膜。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其還包括進行表面改性以賦予經(jīng)壓延的納米纖維網(wǎng)親水性的步驟。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述疏水性聚合物材料為選自聚偏1，1-二氟乙烯(PVdF)、尼龍、硝化纖維素、聚氨基甲酸酯(PU)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)、聚乳酸(PLA)、聚丙烯腈(PAN)、聚乳酸-羥基乙酸共聚物(PLGA)、聚乙烯亞胺(PEI)、聚甲基吖丙啶(PPI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯乙酸酯(PVAc)和聚苯乙烯二乙烯基苯共聚物中的一種或者兩種或多種的混合物。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述溶劑選自二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基乙酰胺(DMAc)、四氫呋喃(THF)、丙酮、乙醇、氯仿、二甲基亞砜(DMSO)、二氯甲烷、乙酸、甲酸、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、氟代醇和水中的一種或多種。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述納米纖維網(wǎng)的納米纖維的直徑為50nm至1000nm。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述紡絲過程選自電紡絲、電霧化、電吹制紡絲、離心電紡絲、快速電紡絲、氣泡電紡絲、熔融電紡絲和非針電紡絲中的任一種。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述壓延通過選自壓縮、加壓、熱板壓延、滾壓、熱粘合、超聲波粘合、縫口密封帶法和層壓中的任一過程而進行。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中基于所述紡絲溶液的總重量，所述疏水性聚合物材料的量為5％重量比至90％重量比。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中進行所述壓延步驟時在60℃至200℃下進行熱處理。

10.如權(quán)利要求2所述的方法，其中通過等離子處理進行所述表面改性。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中使用氧氣或氬氣進行所述等離子處理。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中將所述等離子處理進行30秒至300秒。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述膜的平均孔徑為0.1μm至1.0μm、厚度為30μm至200μm以及孔隙率大于等于60％。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一權(quán)利要求制備的用于Western印跡的膜。