[發(fā)明專利]氧化鋯燒結(jié)體和氧化鋯燒結(jié)體的燒結(jié)用混合體、燒結(jié)前成型體以及燒結(jié)前假燒體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080037193.8
• 申請日: 2010-08-20
• 公開（公告）號: CN102482162A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 伊藤承央;山田芳久;稻田博;坂清子
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社則武
• 主分類號: C04B35/48
• 分類號: C04B35/48
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 段承恩;陳海紅

1.一種氧化鋯燒結(jié)體，其特征在于，

具有部分穩(wěn)定化氧化鋯來作為基體相，

含有磷(P)、砷(As)、銻(Sb)和鉍(Bi)之中的至少1種元素，

含有相對于1摩爾氧化鋯(IV)為4×10^-4摩爾～4×10^-2摩爾的所述元素。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化鋯燒結(jié)體，其特征在于，所述元素是磷。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氧化鋯燒結(jié)體，其特征在于，磷元素的含有率為0.01質(zhì)量％～1質(zhì)量％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3的任一項所述的氧化鋯燒結(jié)體，其特征在于，還含有0.03質(zhì)量％～3質(zhì)量％的二氧化硅。

5.一種氧化鋯燒結(jié)體，其特征在于，在將氧化鋯燒結(jié)體在180℃、1MPa的條件下實施了24小時的低溫劣化加速試驗的情況下，

在所述低溫劣化加速試驗后的氧化鋯燒結(jié)體的表面的X射線衍射圖中，在來源于單斜晶的[11-1]峰產(chǎn)生的位置附近存在的峰的高度相對于在來源于正方晶的[111]峰產(chǎn)生的位置附近存在的峰的高度之比為1以下。

6.一種氧化鋯燒結(jié)體，其特征在于，在將4mm×25mm×0.2mm的氧化鋯燒結(jié)體的試片在180℃、1MPa的條件下實施了24小時的低溫劣化加速試驗的情況下，

除了所述試片的尺寸以外依據(jù)JIS?R?1601標準測定的所述低溫劣化加速試驗后的所述試片的彎曲強度為50MPa以上。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的氧化鋯燒結(jié)體，其特征在于，具有在權(quán)利要求1～4的至少一項中記載的特征。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7的任一項所述的氧化鋯燒結(jié)體，其特征在于，在1450℃～1650℃下被燒結(jié)了。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8的任一項所述的氧化鋯燒結(jié)體，其特征在于，含有氧化釔，氧化釔的含有率為2摩爾％～5摩爾％。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～9的任一項所述的氧化鋯燒結(jié)體，其特征在于，作為牙科用補綴物使用。

11.根據(jù)權(quán)利要求1～10的任一項所述的氧化鋯燒結(jié)體，其特征在于，

在燒成面的X射線衍射圖中，在來源于立方晶的[200]峰產(chǎn)生的位置附近存在的峰的高度相對于在來源于正方晶的[200]峰產(chǎn)生的位置附近存在的峰的高度之比為0.4以上，

在距燒成面的深度為100μm以上的區(qū)域的X射線衍射圖中，在來源于立方晶的[200]峰產(chǎn)生的位置附近存在的峰的高度相對于在來源于正方晶的[200]峰產(chǎn)生的位置附近存在的峰的高度之比為0.3以下。

12.根據(jù)權(quán)利要求1～11的任一項所述的氧化鋯燒結(jié)體，其特征在于，

在磨削燒成面或露出面，使在X射線衍射圖中在來源于立方晶的[200]峰產(chǎn)生的位置附近存在的峰的高度相對于在來源于正方晶的[200]峰產(chǎn)生的位置附近存在的峰的高度之比為0.3以下的面露出后進行了再燒成的情況下，

在再燒成面的X射線衍射圖中，在來源于立方晶的[200]峰產(chǎn)生的位置附近存在的峰的高度相對于在來源于正方晶的[200]峰產(chǎn)生的位置附近存在的峰的高度之比為0.4以上。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的氧化鋯燒結(jié)體，其特征在于，在距所述再燒成面的深度為100μm以上的區(qū)域的X射線衍射圖中，在來源于立方晶的[200]峰產(chǎn)生的位置附近存在的峰的高度相對于在來源于正方晶的[200]峰產(chǎn)生的位置附近存在的峰的高度之比為0.3以下。