[發明專利]口腔正畸支架的表面鍍膜方法

有效

• 申請號: 201080034027.2
• 申請日: 2010-07-19
• 公開（公告）號: CN102470191A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 申雨錫
• 申請（專利權）人: HUBIT株式會社
• 主分類號: A61L27/30
• 分類號: A61L27/30;A61C7/14
• 代理公司: 北京三幸商標專利事務所 11216
• 代理人: 劉激揚

1.一種口腔正畸支架的表面鍍膜方法，其特征在于，包括：第一過程和第二過程，上述第一過程S100清洗口腔正畸支架100而清除其表面異物，該口腔正畸支架是對陶瓷進行磨工工作，或燒結成型、注塑成型、壓力加工而制作的，上述口腔正畸支架的背面110起到直接粘合到牙齒的粘合面作用，并在背面110的反面外側形成有用于插入將多個支架100進行連接的口腔正畸金屬線200的槽120；

上述第二過程S200是使用通過空心陰極放電(Hollow?Cathode?Discharge)方法產生電子束以使鈦電離為蒸鍍粒子的離子鍍(ion?plating)裝置，在由清除其表面異物的陶瓷制作的支架的表面形成用于減少與上述金屬線之間的摩擦力的厚度的鈦鍍膜層。

2.根據權利要求1所述的口腔正畸支架的表面鍍膜方法，其特征在于，

上述第一過程S100中，首先使用堿性清洗劑或超聲波清洗器將由陶瓷制作的支架100的表面異物清除之后，緊接著用水將上述支架100進行清洗，最后使用酒精或丙酮將上述支架100的表面異物徹底清除，并進行干燥。

3.根據權利要求1所述的口腔正畸支架的表面鍍膜方法，其特征在于，

上述第二過程S200包括：第一步驟S210，在設置于上述離子鍍裝置(300)的腔體310內部并傳遞接收電動機(M)的旋轉力而向一定角度旋轉的支架座320上固定用于鍍膜作業的多個支架100，并且在收納作為鍍膜物質的鈦(Ti)的靶電極330里收納鈦(Ti)；

第二步驟S220，為了便于在上述支架100的表面形成鈦鍍膜層，將設置于上述離子鍍裝置300的腔體310內側的加熱器340以200～300℃的溫度范圍預熱運轉30～50分鐘，從而引導收納于上述腔體310的上述支架100的表面組織的變化；

第三步驟S230，將上述支架100進行預熱之后，停止運轉上述加熱器340，并將上述支架100冷卻3～5分鐘，以維持上述支架100的變化的表面組織，并運轉設置于上述腔體310的一側的真空泵P，而將形成鈦鍍膜層所需的腔體310內部的真空度形成為(1.0～5.0×10)-3torr；

第四步驟S240，當上述腔體310內部維持形成鈦鍍膜層的真空度時，接著通過形成于上述腔體310一側的多個氣體投入口311向上述腔體310內部投入500～300sccm(標準立方厘米/分鐘)的氬(Ar)氣體4～10分鐘，并向空心陰極放電(HCD)電子槍360和上述靶電極330施加從電子束電源部350供應的產生電子束用電源，使產生基于輝光放電(glow?discharge)的電子束，將氬(Ar)氣體進行電離，并將收納于靶電極330的鈦(Ti)蒸發為原子或分子形狀的粒子，由此在上述腔體310內部生成包括氬離子(Ar+)和鈦(Ti)蒸發粒子的等離子；

第五步驟，在S250上述腔體310內部生成等離子的狀態下，為了將上述腔體310內部的溫度維持在1000～1500℃，減少向腔體310內部投入的氬氣體的量的同時投入5～10分鐘，從而將鈦(Ti)蒸發為原子或分子形態的粒子，同時向上述支架座320以30秒～1分鐘的間隔施加從偏壓電源部370供應的50～100V的蒸鍍用偏壓電源5～10分鐘，而在支架100的表面上形成厚度的鈦鍍膜層，以便減少與上述金屬線200之間的摩擦力；

以及第六步驟S260，形成鍍膜層后，阻斷產生電子束電源和偏壓電源，并將上述支架100冷卻60～90分鐘，之后當上述腔體310內部的溫度降低至50～80℃的溫度范圍時，將上述支架100向腔體310外抽取以完成鍍膜。