[發(fā)明專利]電平移位器和高電壓邏輯電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080032880.0
• 申請(qǐng)日: 2010-07-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102474242A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬爾科·卡西亞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類號(hào): H03K3/356
• 分類號(hào): H03K3/356;H03K19/0185
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 宋獻(xiàn)濤

1.一種設(shè)備，其包括：

驅(qū)動(dòng)器電路，其用以接收具有第一電壓范圍的輸入信號(hào)，并提供具有不同于所述第一電壓范圍的第二電壓范圍的驅(qū)動(dòng)信號(hào)；以及

鎖存器，其耦合到所述驅(qū)動(dòng)器電路且用以接收所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)并提供具有所述第二電壓范圍的輸出信號(hào)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述驅(qū)動(dòng)器電路包括

控制信號(hào)產(chǎn)生器，其用以接收所述輸入信號(hào)并提供具有大于所述第一電壓范圍和所述第二電壓范圍中的每一者的第三電壓范圍的控制信號(hào)，以及

鎖存器驅(qū)動(dòng)器，其耦合到所述控制信號(hào)產(chǎn)生器且用以接收所述控制信號(hào)并提供所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述輸入信號(hào)為包括Vinp和Vinn信號(hào)的第一差動(dòng)信號(hào)，且所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)為包括Vdrp和Vdrn信號(hào)的第二差動(dòng)信號(hào)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，所述驅(qū)動(dòng)器電路包括

第一反相器，其用以接收所述Vinp信號(hào)并提供第一中間信號(hào)，

第二反相器，其耦合到所述第一反相器且用以接收所述第一中間信號(hào)并提供第一控制信號(hào)，

第一金屬氧化物半導(dǎo)體MOS晶體管，其耦合到所述第二反相器且用以接收所述第一控制信號(hào)并提供所述Vdrp信號(hào)，

第三反相器，其用以接收所述Vinn信號(hào)并提供第二中間信號(hào)，

第四反相器，其耦合到所述第三反相器且用以接收所述第二中間信號(hào)并提供第二控制信號(hào)，以及

第二MOS晶體管，其耦合到所述第四反相器且用以接收所述第二控制信號(hào)并提供所述Vdrn信號(hào)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，所述第一反相器和所述第三反相器各自在所述第一電壓范圍之間操作，且所述第二反相器和所述第四反相器取決于所述輸入信號(hào)的邏輯值而各自在所述第一電壓范圍或所述第二電壓范圍之間操作。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，所述第二反相器將所述第一中間信號(hào)和所述Vdrp信號(hào)作為供應(yīng)電壓接收，且所述第四反相器接收所述第二中間信號(hào)和所述Vdrn信號(hào)作為供應(yīng)電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，當(dāng)所述輸入信號(hào)具有第一邏輯值時(shí)，所述第二反相器在所述第一電壓范圍之間操作并向所述第一控制信號(hào)提供第一電壓，當(dāng)所述輸入信號(hào)具有第二邏輯值時(shí)，所述第二反相器在所述第二電壓范圍之間操作并向所述第一控制信號(hào)提供第二電壓，所述第一電壓和所述第二電壓界定大于所述第一電壓范圍和所述第二電壓范圍中的每一者的第三電壓范圍。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，所述第一MOS晶體管和所述第二MOS晶體管為N溝道MOS?NMOS晶體管，其具有耦合到所述第二電壓范圍的高電壓的漏極和分別提供所述Vdrp信號(hào)和所述Vdrn信號(hào)的源極。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，所述第一MOS晶體管和所述第二MOS晶體管為P溝道MOS?PMOS晶體管，其具有耦合到所述第二電壓范圍的低電壓的漏極和分別提供所述Vdrp信號(hào)和所述Vdrn信號(hào)的源極。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述第一電壓范圍與所述第二電壓范圍不重疊。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述第一電壓范圍涵蓋正電壓的范圍，且所述第二電壓范圍涵蓋負(fù)電壓的范圍。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述第一電壓范圍涵蓋正電壓的第一范圍，且所述第二電壓范圍涵蓋不同于正電壓的所述第一范圍的正電壓的第二范圍。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述驅(qū)動(dòng)器電路和所述鎖存器是用具有擊穿電壓的金屬氧化物半導(dǎo)體MOS晶體管來(lái)實(shí)施，所述第一電壓范圍和所述第二電壓范圍中的每一者小于所述擊穿電壓。

14.一種方法，其包括：

接收具有第一電壓范圍的輸入信號(hào)；

基于所述輸入信號(hào)而產(chǎn)生具有第二電壓范圍的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，所述第二電壓范圍不同于所述第一電壓范圍；以及

鎖存所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)以獲得具有所述第二電壓范圍的輸出信號(hào)。