[發明專利]基板處理方法

有效

• 申請號: 201080032131.8
• 申請日: 2010-07-15
• 公開（公告）號: CN102482758A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 中村真也;藤井佳詞;長嶋英人
• 申請（專利權）人: 愛發科股份有限公司
• 主分類號: C23C14/00
• 分類號: C23C14/00;C23C14/56;C23C16/44;H01L21/285
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李偉;王軼

技術領域

本發明涉及在至少兩個處理室中并行地進行同一處理，當各處理室中的處理片數達到規定片數時，進行使各處理室的狀態恢復的恢復處理的基板處理方法。

背景技術

現在，作為對基板施以成膜處理的處理裝置，如圖1所示，公知有一種濺射裝置100，其具備：傳送室T；收納于該傳送室T中的具有兩個機械手12a、12b的傳送機器人1；以圍繞該傳送室T的方式配置的兩個裝載互鎖室A、B以及作為兩個處理室的成膜室C、D。

在上述濺射裝置100中，通過機器人30將載置于裝載端口3的基板收納容器4中所收納的批單位(例如25片)的基板交替地投入裝載互鎖室A、B中，再通過傳送機器人1將被投入的基板分別傳送至成膜室C、D中。然后，在兩個成膜室C、D中，同樣的成膜處理被并行地進行。

這里，當兩個成膜室C、D中并行地進行同樣的處理時，例如，在裝載互鎖室A、B的處理時間比成膜室C、D的處理時間長，或者傳送機器人1、機器人30的速度變成慢而傳送速度受限等諸如此類的情況下，在各成膜室C、D中處理結束后不能馬上搬出基板，從而產生等待時間。若能夠有效地縮短此等待時間，則能夠實現生產能力生產能力(Throughput)的進一步提高。

此外，眾所周知，濺射裝置100可應用于例如基于反應性濺射的氮化鈦(TiN)膜的成膜(例如，專利文獻1)。在形成氮化鈦的情況下，存在隨著處理片數的增加，進行成膜時堆積在基板表面的微粒子數增加的問題。于是，若成膜室中的處理片數達到規定片數(任意地設定)，則通過防止靶的濺射粒子飛散的擋板來遮蔽Ti靶，并對Ti靶進行濺射的偽濺射處理(所謂恢復處理)。這樣的偽濺射處理例如在每當批單位的處理結束時進行。即，若以25片基板為1批，則當任意一個成膜室中的處理片數達到規定片數(12片)時，在該一成膜室中開始進行偽濺射處理，當另一成膜室中的處理片數達到規定片數(13片)時，在該另一成膜室中開始進行偽濺射處理。這時，當偽濺射處理時間比成膜室的處理時間長時，在兩個成膜室中，偽濺射處理會在時間上相互重疊地進行。在這種情況下，變得等同于在批次之間在兩成膜室中插入有規定時間的處理。因此，不會有助于等待時間的縮短。

專利文獻1：日本特開2004-128210號公報

發明內容

本發明鑒于上述問題而提出，其目的為提供一種基板處理方法，使其在交替地將基板傳送到至少兩個處理室而對各基板并行地進行同一處理的中途，進行處理室的恢復處理的裝置中，能夠在恢復處理時間比處理時間長時提高生產能力。

為了實現上述目的，本發明的基板處理方法，其特征在于，交替地向至少兩個處理室傳送基板，在各處理室中并行地對基板進行同一處理，當各處理室中的處理片數達到規定片數時，進行使各處理室的狀態恢復的恢復處理，所述恢復處理的時間比所述處理的時間要長，當任意一個處理室中的處理片數達到規定片數時，在該一處理室中開始所述恢復處理，在所述一處理室中的恢復處理結束為止的期間，僅向其它處理室傳送基板來進行所述處理，在所述一處理室中的恢復處理結束后，在所述其它處理室中開始所述恢復處理，并且在所述其它處理室中的恢復處理結束為止的期間，僅向所述一處理室傳送基板來進行所述處理，當所述其它處理室中的恢復處理結束時，重新開始所述交替的傳送。

此外，在本發明中，上述處理包含成膜處理、蝕刻處理等，恢復處理包含偽濺射處理、干洗處理、穩定性處理等。另外，處理時間除了包含成膜時間、蝕刻時間等之外，還包含在載置基板的載置臺中設置的升降機構(升降銷)的移動時間、基板的傳送時間(搬入時間、搬出時間)等。另外，恢復處理時間除了包含偽濺射處理時間、干洗處理時間等之外，還包含上述升降機構的移動時間、基板的傳送時間、在用擋板遮蔽靶時該擋板的動作時間等。另外，規定片數可以根據處理室中進行的處理適當設定。

在本發明中，還可以按照在其它處理室中的處理片數達到規定片數的同時結束在一處理室中進行的恢復處理的方式，確定在一處理室中的恢復處理的開始時刻。這里，在本發明中，“同時”并不意味著嚴格的一致，而是意味著包含雖產生了相當于上述升降機構移動時間、基板傳送時間、擋板動作時間等的微小的時間差，但兩個時期大致相同的情況。

在本發明中，優選，上述處理是指通過使用Ti靶的反應性濺射，在基板表面對氮化鈦膜進行成膜的處理；上述恢復處理是指通過防止Ti靶的濺射粒子飛散的擋板來遮蔽Ti靶，并對Ti靶進行濺射的偽濺射處理。另外，在本發明中，優選在兩個處理室中進行同一處理。