[發明專利]基板處理方法有效
| 申請號： | 201080032131.8 | 申請日： | 2010-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN102482758A | 公開（公告）日： | 2012-05-30 |
| 發明（設計）人： | 中村真也;藤井佳詞;長嶋英人 | 申請（專利權）人： | 愛發科股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/00 | 分類號： | C23C14/00;C23C14/56;C23C16/44;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 李偉;王軼 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 處理 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基板處理方法，其特征在于，向至少兩個處理室交替地傳送基板，在各處理室中并行地對基板進行同一處理，當各處理室中的處理片數達到規定片數時，進行使各處理室的狀態恢復的恢復處理，所述恢復處理的時間比所述處理的時間長，
當任意一個處理室中的處理片數達到規定片數時，在該一個處理室中開始所述恢復處理，在所述一個處理室中的恢復處理結束為止的期間，僅向其它處理室傳送基板來進行所述處理，
在所述一個處理室中的恢復處理結束后，在所述其它處理室中開始所述恢復處理，并且在所述其它處理室中的恢復處理結束為止的期間，僅向所述一個處理室傳送基板來進行所述處理，
當所述其它處理室中的恢復處理結束時，重新開始所述交替的傳送。
2.根據權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，
以在所述其它處理室中的處理片數達到規定片數的同時結束在所述一個處理室中進行的恢復處理的方式，確定在所述一個處理室中的所述恢復處理的開始時刻。
3.根據權利要求1或2所述的基板處理方法，其特征在于，
所述處理是通過使用Ti靶的反應性濺射，在基板表面形成氮化鈦膜的成膜處理，
所述恢復處理是通過防止Ti靶的濺射粒子飛散的擋板來遮蔽Ti靶，并對Ti靶進行濺射的偽濺射處理。
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