[發明專利]半導體制造裝置

有效

• 申請號: 201080032024.5
• 申請日: 2010-06-24
• 公開（公告）號: CN102576669A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 樸相俊;金穎俊
• 申請（專利權）人: 圓益IPS股份有限公司
• 主分類號: H01L21/22
• 分類號: H01L21/22
• 代理公司: 北京青松知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11384
• 代理人: 鄭青松

技術領域

本發明涉及在半導體制造工序中在晶片上形成膜等各種工序中使用的半導體制造裝置。

背景技術

一般而言，半導體制造裝置使用在如退火(annealing)工序、擴散工序、氧化工序以及化學氣相蒸鍍工序之類的半導體制造工序中。這種裝置中爐大致分為水平式和垂直式。

低壓化學氣相蒸鍍用爐中相比水平式爐更多采用垂直式爐，這是因為垂直式爐相比水平式爐較少地生成微粒之類的微小的雜質粒子。此外，垂直式爐由于沿著垂直方向配置工序管，所以具有能夠縮窄下部支承臺所占的底部面積的優點。

以下，參照圖1對以往的垂直式爐進行說明。

參照圖1，垂直式爐10包括：包括加熱器的加熱腔室11；設置于加熱腔室11內的外部管(outer?tube)12；設置于外部管12內的內管(inner?tube)13；供外部管12及內部管13安裝的凸緣(flange)14；設置于內部管13內且供晶片W放置的容器(boat)15；以及設置于凸緣14且從外部注入工序氣體的噴嘴16。從噴嘴16噴射出的工序氣體一邊在容器15與內部管13之間流動，一邊在各個晶片W上形成膜。

然而，圖1所示出的垂直式爐10在容器15中沿著上下方向一個一個地裝載晶片W。因此，為了一次對更多的晶片W進行工序處理來提高生產率，需要增加晶片W的裝載數量。那么，晶片W的裝載高度增加，因此導致工序氣體在所有晶片W上形成膜所需的時間增加。這在一次所能工序處理的晶片W的數量的增加上存在限制。

此外，圖1所示出的垂直式爐10，工序氣體從下端被供給，而一邊在容器15與內部管13之間流動一邊在晶片W上形成膜之后，剩余氣體經由內部管13的上端通過內部管13與外部管12之間向外部排出。在上述情況下，由于工序氣體一邊上升一邊供給于晶片W，因而無法在所有晶片W上形成均勻的膜的可能性大。

發明內容

本發明的課題在于，提供一種能夠增加一次所能工序處理的晶片的數量，能夠縮短工序處理時間，并且能夠在所有晶片上形成均勻的膜的半導體制造裝置。

為了達成上述課題，本發明所涉及的半導體制造裝置，包括：管，其在內部具有工序空間，且在一側具有排出口；容器，其能夠通過上述管的下側開口出入；多個基座，這些基座在上述容器內上下相互隔開地被支承，且各個基座的旋轉中心形成有中央孔，并且在各個基座的上表面繞著中心放置有多個晶片；以及供給管，其設置成從上述容器的上側貫通于上述多個基座的各中央孔，形成有將從外部接收的工序氣體噴向上述多個基座的各上表面的多個噴射口。

按照本發明，上下排列的多個基座個個都能裝載多個晶片，所以與以往的垂直式爐相比，一次能對更多的晶片進行工序處理。因此，能夠提高生產率。

此外，按照本發明，工序氣體能夠噴向多個基座的各上表面，因此與以往的垂直式爐相比，能夠與晶片的裝載位置無關地對所有晶片均勻地供給工序氣體。由此，能夠在多個晶片上分別形成均勻的膜。

附圖說明

圖1為現有的一個例子所涉及的垂直式爐的剖視圖。

圖2為本發明的一實施例所涉及的半導體制造裝置的剖視圖。

圖3為在圖2中提取一個基座進行表示的立體圖。

圖4為表示在圖2中基座的上表面傾斜的狀態的剖視圖。

圖5為表示在圖2中噴射口的工序氣體的噴射方向傾斜的狀態的剖視圖。

圖6為表示在圖2中基座與容器一起相對于供給管旋轉的例子的俯視圖。

圖7及圖8為在圖2中對于其他例子的供給管的橫截面圖及縱截面圖。

具體實施方式

圖2為本發明的一實施例所涉及的半導體制造裝置的剖視圖。另外，圖3為在圖2中提取一個基座進行表示的立體圖。

參照圖2及圖3，半導體制造裝置100包括管110、容器120、多個基座(susceptor)130、供給管140以及隔板(baffle)150。

管110在內部具有工序空間，并且在一側具有排出口103。所謂工序可以為退火工序、擴散工序、氧化工序以及化學氣相蒸鍍工序等。管110通過供給管140接收工序氣體。管110構成為上部封閉下部開口的結構，容器120可通過呈開口的下部而出入。

此外，在管110的下側一端可具有用于將工序氣體向管110外部排出的排出口103。容器120可通過升降裝置(未圖示)而出入。在容器120進入管110內的狀態下，管110的內部空間可被密封部件102密封。