[發明專利]半導體制造裝置有效
| 申請號： | 201080032024.5 | 申請日： | 2010-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN102576669A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 樸相俊;金穎俊 | 申請（專利權）人： | 圓益IPS股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/22 | 分類號： | H01L21/22 |
| 代理公司： | 北京青松知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 鄭青松 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 制造 裝置 | ||
1.一種半導體制造裝置，其特征在于，包括：
管，其在內部具有工序空間，且在一側具有排出口；
容器，其能夠通過上述管的下側開口出入；
多個基座，這些基座在上述容器內上下相互隔開地被支承，且各個基座的旋轉中心形成有中央孔，并且在各個基座的上表面繞著中心放置有多個晶片；以及
供給管，其設置成從上述容器的上側貫通于上述多個基座的各中央孔，形成有將從外部接收的工序氣體噴向上述多個基座的各上表面的多個噴射口。
2.根據權利要求1所述的半導體制造裝置，其特征在于，
上述多個噴射口形成為水平地噴射工序氣體；
上述多個基座形成為放置晶片的面從中央趨向邊緣向上側傾斜，以在晶片上形成均勻的膜。
3.根據權利要求1所述的半導體制造裝置，其特征在于，
上述多個基座形成為放置晶片的面呈水平面；
上述多個噴射口形成為能夠向朝著基座側傾斜的方向噴射工序氣體，以在晶片上形成均勻的膜。
4.根據權利要求1所述的半導體制造裝置，其特征在于，上述容器能夠通過旋轉機構而旋轉，從而使上述多個基座能夠相對于上述供給管旋轉。
5.根據權利要求4所述的半導體制造裝置，其特征在于，還包括向上述管內輔助地供給工序氣體的輔助供給管。
6.根據權利要求5所述的半導體制造裝置，其特征在于，上述輔助供給管為，供給第一工序氣體的第一供給流路、供給第二供給氣體的第二供給流路以及供給冷媒的第三供給流路呈同軸狀形成的三重管結構。
7.根據權利要求1所述的半導體制造裝置，其特征在于，在上述管和上述容器之間還包括具有多個隔板孔的隔板，以將上述管內的剩余氣體引向上述排出口。
8.根據權利要求7所述的半導體制造裝置，其特征在于，上述多個隔板孔形成在與上述多個基座的各高度分別對應的高度。
9.根據權利要求1所述的半導體制造裝置，其特征在于，上述供給管為，供給第一工序氣體的第一供給流路、供給第二工序氣體的第二供給流路以及供給冷媒的第三供給流路呈同軸狀形成的三重管結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于圓益IPS股份有限公司，未經圓益IPS股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201080032024.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：干熄焦焦罐蓋著床對位裝置
- 下一篇：一種粉末成型壓機加料機構
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
