[發明專利]存儲器單元及形成存儲器單元的方法

有效

• 申請號: 201080029583.0
• 申請日: 2010-06-04
• 公開（公告）號: CN102473680A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 錢德拉·穆利
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

技術領域

存儲器單元及形成存儲器單元的方法。

背景技術

動態隨機存取存儲器(DRAM)通常用作計算機系統的快速存取存儲器。DRAM傳統上已利用含有電容器結合晶體管的單位單元。在此些傳統設計中，所述電容器的電荷狀態用來存儲并感測存儲器位。

組件的更高性能、更低成本、增加的小型化及集成電路的更大封裝密度為計算機行業的正在追求的目標。為追求小型化，已不斷地重新設計傳統DRAM存儲器單元的電容器/晶體管組合以實現越來越高的集成度。然而，減小DRAM電容器的尺寸同時仍維持足夠的電容以可靠地存儲存儲器位正變得越來越困難。

減小DRAM電容器的尺寸的困難已導致對所謂的無電容器存儲器裝置的開發。此些存儲器裝置將電荷存儲于除電容器之外的組件上。舉例來說，無電容器存儲器裝置可使用浮動主體來存儲存儲器位(其中術語“浮動”指示所述主體不與電位源直接歐姆連接，或者，換句話說，所述主體由電絕緣材料圍繞)。

盡管無電容器存儲器裝置展示有希望最終取代傳統DRAM存儲器單元，但目前存在眾多在嘗試利用無電容器存儲器裝置時所遇到的困難。所述困難中的一者在于無電容器存儲器裝置泄漏性往往比傳統電容器/晶體管存儲器單元高得多，此意味著需要以比傳統存儲器單元更高的速率再新無電容器存儲器裝置。更高的再新速率導致可耗盡電池，及/或造成不期望的加熱的更高電力消耗。與無電容器存儲器裝置相關聯的困難中的另一者在于此些裝置的電荷存儲組件往往比傳統DRAM的電容器更難以充電，此可導致過多電力消耗、嚴重可靠性問題及/或不充分裝置性能。

期望開發得到改善的無電容器存儲器單元。

發明內容

附圖說明

圖1是半導體構造的一部分的圖解橫截面圖，其圖解說明實例性實體例存儲器單元。

圖2及圖3是半導體構造的部分的圖解橫截面圖，其展示可替代地用于圖1中所示的結構的實例性實施例結構。

圖4是半導體構造的一部分的圖解橫截面圖，其圖解說明另一實例性實施例存儲器單元。

圖5是半導體構造的一部分的圖解橫截面圖，其圖解說明另一實例性實施例存儲器單元。

圖6是半導體構造的一部分的圖解橫截面圖，其圖解說明另一實例性實施例存儲器單元。

圖7是半導體構造的一部分的圖解橫截面圖，其圖解說明另一實例性實施例存儲器單元。

圖8是半導體構造的一部分的圖解橫截面圖，其圖解說明另一實例性實施例存儲器單元。

圖9是半導體構造的一部分的圖解橫截面圖，其圖解說明另一實例性實施例存儲器單元。

圖10到圖15是半導體構造的一部分的圖解橫截面圖，其圖解說明可用以形成圖9的實例性實施例存儲器單元的實例性處理。

具體實施方式

本文中描述新穎無電容器存儲器裝置。此些裝置可具有相對于現有技術浮動主體無電容器存儲器裝置的眾多改善。舉例來說，本文中所描述的新穎無電容器存儲器裝置可具有相對于現有技術無電容器存儲器裝置得到改善的保持時間及/或其它數據存儲特性。另外，或或者，本文中所描述的新穎無電容器存儲器裝置可具有相對于現有技術無電容器存儲器裝置得到改善的編程特性。另外，或或者，本文中所描述的新穎無電容器存儲器裝置可具有相對于現有技術無電容器存儲器裝置得到改善的響應時間及/或可靠性。

圖1展示半導體構造3的一部分，并圖解說明實例性實施例存儲器單元5。存儲器單元5包括無電容器存儲裝置6及編程裝置8。所述編程裝置經配置以用于編程無電容器存儲裝置6。

裝置6及8由半導體基底12支撐。所述半導體基底可包含(例如)用適當摻雜劑輕度背景摻雜的單晶硅。在所示實施例中，基底12用p型摻雜劑多數摻雜，且摻雜為“p-”濃度。