[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器單元及形成存儲(chǔ)器單元的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080029583.0
• 申請(qǐng)日: 2010-06-04
• 公開（公告）號(hào): CN102473680A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢德拉·穆利
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): H01L21/8242
• 分類號(hào): H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 宋獻(xiàn)濤

1.一種存儲(chǔ)器單元，其包含：

浮動(dòng)主體，其含有經(jīng)摻雜半導(dǎo)體材料；及

選通二極管；所述選通二極管具有摻雜為與所述浮動(dòng)主體相同的導(dǎo)電性類型的區(qū)段；所述選通二極管的所述區(qū)段電連接到所述浮動(dòng)主體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述浮動(dòng)主體的所述半導(dǎo)體材料包含硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述浮動(dòng)主體的所述半導(dǎo)體材料包含鍺。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述浮動(dòng)主體及所述選通二極管由半導(dǎo)體基底支撐且彼此橫向間隔開；且所述存儲(chǔ)器單元進(jìn)一步包含在所述浮動(dòng)主體與所述選通二極管之間的空間中延伸到所述基底中的隔離區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述浮動(dòng)主體至少部分地凹入于所述半導(dǎo)體基底內(nèi)。

6.一種存儲(chǔ)器單元，其包含：

浮動(dòng)主體，其由半導(dǎo)體襯底支撐；所述浮動(dòng)主體含有經(jīng)摻雜半導(dǎo)體材料；

隔離區(qū)域，其延伸到所述襯底中；

選通二極管，其位于所述隔離區(qū)域的與所述浮動(dòng)主體相對(duì)的側(cè)上；所述選通二極管具有摻雜為與所述浮動(dòng)主體相同的導(dǎo)電性類型的區(qū)段；所述選通二極管的所述區(qū)段電連接到所述浮動(dòng)主體；及

感測(cè)電路，其鄰近所述浮動(dòng)主體且經(jīng)配置以檢測(cè)所述浮動(dòng)主體的電荷狀態(tài)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述選通二極管的所述區(qū)段為第一二極管區(qū)段，且所述存儲(chǔ)器單元進(jìn)一步包含直接鄰近所述第一二極管區(qū)段的第二二極管區(qū)段，所述第二二極管區(qū)段被摻雜為與所述第一二極管區(qū)段的導(dǎo)電性類型相反的導(dǎo)電性類型。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述第一二極管區(qū)段的所述導(dǎo)電性類型為p型，且其中所述第二二極管區(qū)段的所述導(dǎo)電性類型為n型。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述第一二極管區(qū)段的所述導(dǎo)電性類型為n型，且其中所述第二二極管區(qū)段的所述導(dǎo)電性類型為p型。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述感測(cè)電路包含位于所述浮動(dòng)主體上方的存取線及位于所述襯底內(nèi)所述浮動(dòng)主體的相對(duì)側(cè)上的一對(duì)源極/漏極區(qū)域，所述源極/漏極區(qū)域經(jīng)由位于所述襯底內(nèi)所述浮動(dòng)主體正下方的溝道區(qū)域彼此連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述浮動(dòng)主體具有上表面，且具有從所述上表面向下延伸的側(cè)壁；且其中所述存取線跨越所述上表面且至少部分地沿著所述側(cè)壁延伸。

12.一種存儲(chǔ)器單元，其包含：

浮動(dòng)主體，其位于第一半導(dǎo)體材料上方，所述浮動(dòng)主體包含摻雜為第一導(dǎo)電性類型的第二半導(dǎo)體材料；

溝道區(qū)域，其位于所述第一半導(dǎo)體材料內(nèi)且接近所述浮動(dòng)主體；

二極管，其位于所述第一半導(dǎo)體材料內(nèi)且鄰近所述溝道區(qū)域；所述二極管具有摻雜為所述第一導(dǎo)電性類型的第一區(qū)域，且具有摻雜為與所述第一導(dǎo)電性類型相反的第二導(dǎo)電性類型的第二區(qū)域；及

電介質(zhì)結(jié)構(gòu)；所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)具有位于所述浮動(dòng)主體與所述溝道區(qū)域之間的第一部分，且具有位于所述浮動(dòng)主體與所述二極管的所述第一區(qū)域之間的第二部分；所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)的所述第二部分比所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)的所述第一部分更能泄漏電荷載子。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述浮動(dòng)主體凹入到所述第一半導(dǎo)體材料中。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述浮動(dòng)主體凹入到所述第一半導(dǎo)體材料中；且其中所述凹入的浮動(dòng)主體沿著至少一個(gè)橫截面具有下伏于窄莖狀區(qū)域下面的寬球莖狀區(qū)域的形狀。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)包含至少一個(gè)二氧化硅層及至少一個(gè)高k電介質(zhì)材料層。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)的所述第二部分比所述第一部分薄。

17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)的所述第二部分在組成上不同于所述第一部分。