[發(fā)明專利]光電子器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080029412.8
• 申請(qǐng)日: 2010-05-28
• 公開（公告）號(hào): CN102576788A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邁克爾·齊茨爾斯佩格;埃克哈德·迪策爾;約爾格·埃里希·佐爾格
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司;賀利氏材料技術(shù)有限兩合公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L33/52;H01L33/54
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 張春水;田軍鋒

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明提出了一種光電子器件。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是，提出一種可以特別簡(jiǎn)單和成本低廉地制造的光電子器件。

根據(jù)光電子器件的至少一個(gè)實(shí)施形式，光電子器件包括連接支承體。連接支承體例如是電路板，在該電路板上或在其中設(shè)置有連接部位以及印制導(dǎo)線，用于連接和接觸電子部件。連接支承體包括在連接支承體上側(cè)處的電絕緣膜。電絕緣膜是由電絕緣材料構(gòu)成的層。例如電絕緣膜是塑料膜。

根據(jù)光電子器件的至少一個(gè)實(shí)施形式，光電子器件包括光電子半導(dǎo)體芯片，其在連接支承體的上側(cè)設(shè)置在連接支承體上。光電子半導(dǎo)體芯片例如是發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片，如發(fā)光二極管芯片或激光二極管芯片。此外光電子半導(dǎo)體芯片也可以是接收輻射的半導(dǎo)體芯片，例如光電二極管芯片。

根據(jù)光電子器件的至少一個(gè)實(shí)施形式，該器件包括電絕緣膜中的凹部，該凹部框架狀地環(huán)繞光電子半導(dǎo)體芯片。就是說，將凹部引入到連接支承體上側(cè)處的電絕緣膜中。該凹部例如可以通過材料去除，即通過移除電絕緣膜的一部分來產(chǎn)生。在此，凹部構(gòu)建為使得其框架狀地環(huán)繞光電子半導(dǎo)體芯片。術(shù)語“框架狀地”在此在凹部的形狀和走向方面不理解為是限制性的。例如凹部可以具有圓的、橢圓的或者矩形的形狀。凹部例如可以溝道式地在電絕緣膜中構(gòu)成，溝道完全地環(huán)繞光電子半導(dǎo)體芯片。于是在光電子半導(dǎo)體芯片和凹部之間可以存在電絕緣膜的未結(jié)構(gòu)化的區(qū)域。就是說，在此區(qū)域中電絕緣膜是完整無損的。

根據(jù)光電子器件的至少一個(gè)實(shí)施形式，器件包括圍繞光電子半導(dǎo)體芯片的澆注體。光電子半導(dǎo)體芯片在其暴露的面、即并不鄰接連接支承體的面由澆注體覆蓋。例如，澆注體在那里直接接觸半導(dǎo)體芯片。澆注體優(yōu)選構(gòu)成為，對(duì)于待由光電子半導(dǎo)體芯片發(fā)出或者待由光電子半導(dǎo)體芯片接收的電磁輻射而言是可透過的。例如澆注體包含硅樹脂或者由硅樹脂構(gòu)成。

根據(jù)光電子器件的至少一個(gè)實(shí)施形式，電絕緣膜中的凹部的底面至少局部地通過電絕緣膜形成。就是說，凹部至少局部地并不完全穿過電絕緣膜，而是，在凹部的區(qū)域中電絕緣膜僅僅被移除，直至確定的深度，于是凹部的底面通過電絕緣膜的未被移除的區(qū)域形成。在此尤其可能的是，凹部不在任何位置穿過電絕緣膜。這就是說，于是電絕緣塑料層僅被部分地去除，該塑料層不由于凹部而中斷。以這種方式例如避免了材料，例如澆注體10的材料，穿過凹部從連接支承體的上側(cè)到達(dá)連接支承體的背離上側(cè)的下側(cè)。這具有如下優(yōu)點(diǎn)：例如避免了連接支承體的下側(cè)的污染，在該下側(cè)例如可以存在用于接觸光電子器件的電連接位置。

根據(jù)光電子器件的至少一個(gè)實(shí)施形式，澆注體至少局部地延伸至凹部的朝向光電子半導(dǎo)體芯片的外緣。或者說，澆注體至少局部地與凹部的朝向光電子半導(dǎo)體芯片的外緣相接觸。在此，凹部的外緣作用為用于澆注體的材料的止動(dòng)邊。為了使凹部的外緣滿足作為止動(dòng)邊的功能，該外緣優(yōu)選地并未倒圓，而是具有角，例如以90°角或小于90°的角走向。就是說，外緣被限定為是銳利的，不具有倒圓、缺口或槽口。

根據(jù)光電子器件的至少一個(gè)實(shí)施形式，凹部至少局部地沒有澆注體。這就是說，澆注體至少在凹部一些位置并不進(jìn)入凹部。優(yōu)選地，凹部沒有或基本上沒有澆注體。“基本上沒有”在此是指：由制造決定，可以在凹部中存在少量的澆注體的材料，然而澆注體的材料填滿凹部體積的最高5％、優(yōu)選最高2.5％、特別優(yōu)選最高1％。特別是凹部的底面優(yōu)選沒有澆注體。就是說，澆注體的材料或許可以在凹部的限定凹部邊界的側(cè)面存在，然而凹部并不用澆注體的材料填充，并且由此至少局部地、優(yōu)選完全沒有澆注體。

根據(jù)光電子器件的至少一個(gè)實(shí)施形式，該器件包括：帶有在連接支承體上側(cè)上的電絕緣膜的連接支承體；在連接支承體上側(cè)上的光電子半導(dǎo)體芯片；在電絕緣膜中的凹部，該凹部框架狀地環(huán)繞光電子半導(dǎo)體芯片；和圍繞光電子半導(dǎo)體芯片的澆注體。在此，凹部的底面至少局部地通過電絕緣膜形成。澆注體至少局部地延伸至凹部的朝向光電子半導(dǎo)體芯片的外緣，并且凹部至少局部地沒有澆注體。